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公开(公告)号：CN113039464B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN201980073952.7
申请日：2019-10-31
申请人： 应用材料股份有限公司
发明人： 约瑟·C·欧尔森 , 卢多维克·葛特 , 鲁格·迈尔提摩曼提森 , 摩根·艾文斯
IPC分类号： G02B5/18
摘要： 提供形成光学格栅组件的方法与测量光学格栅的性质的系统。在一些实施例中，一种方法包括提供光学格栅层以及在光学格栅层中形成光学格栅，其中光学格栅包括相对于光学格栅层的平面的垂直线以非零倾斜角设置的多个斜角沟槽。所述方法可还包括将来自光源的光传送至光学格栅层中以及测量以下中的至少一者：光的离开光学格栅层的非绕射部分及光的离开光学格栅层的绕射部分。
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公开(公告)号：CN113169113A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980077202.7
申请日：2019-12-05
申请人： 应用材料股份有限公司
发明人： 彼得·F·库鲁尼西 , 摩根·艾文斯 , 约瑟·C·欧尔森 , 克里斯多福·A·罗兰德 , 詹姆士·布诺德诺
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/306
摘要： 一种系统可包括被配置成支撑衬底的衬底台，其中所述衬底的主表面界定衬底平面。所述系统可包括离子源，所述离子源包括提取组件，所述提取组件取向成沿着相对于所述衬底平面的垂线界定非零入射角的轨迹将离子束导向所述衬底。所述系统可包括自由基源，所述自由基源取向成沿着相对于所述衬底平面的垂线界定所述非零入射角的轨迹将自由基束导向所述衬底。所述衬底台还可被配置成沿着第一方向扫描所述衬底，所述第一方向位于所述衬底平面上，同时所述衬底的所述主表面在所述衬底平面内取向。
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公开(公告)号：CN113039464A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201980073952.7
申请日：2019-10-31
申请人： 应用材料股份有限公司
发明人： 约瑟·C·欧尔森 , 卢多维克·葛特 , 鲁格·迈尔提摩曼提森 , 摩根·艾文斯
IPC分类号： G02B5/18
摘要： 提供光学格栅组件及形成方法。在一些实施例中，一种方法包括提供光学格栅层以及在光学格栅层中形成光学格栅，其中光学格栅包括相对于光学格栅层的平面的垂直线以非零倾斜角设置的多个斜角沟槽。所述方法可还包括将来自光源的光传送至光学格栅层中以及测量以下中的至少一者：光的离开光学格栅层的非绕射部分及光的离开光学格栅层的绕射部分。
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公开(公告)号：CN112888986A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201980069603.8
申请日：2019-09-18
申请人： 应用材料股份有限公司
发明人： 鲁格·迈尔提摩曼提森 , 卢多维克·葛特 , 摩根·艾文斯 , 约瑟·C·欧尔森
IPC分类号： G02B27/00
摘要： 一种形成光栅元件的方法。所述方法可包括：提供基板，所述基板包括下伏层及设置于所述下伏层上的硬遮罩层。所述方法可包括：将所述硬遮罩层图案化以界定光栅场；以及在所述光栅场内蚀刻所述下伏层，以沿第一方向界定所述下伏层的可变高度，所述第一方向平行于所述基板的平面。所述方法可包括使用成角离子蚀刻在所述光栅场内形成光栅，所述光栅包括多个成角结构，所述多个成角结构相对于所述基板的平面的垂直线以非零度的倾角设置，其中所述多个成角结构基于所述下伏层的所述可变高度沿所述第一方向界定可变深度。
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公开(公告)号：CN114651198B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202080078221.4
申请日：2020-10-24
申请人： 应用材料股份有限公司
发明人： 摩根·艾文斯 , 鲁格·迈尔提摩曼提森 , 约瑟·C·欧尔森
摘要： 提供制造具有拥有可变高度的沟槽的光栅的方法，具体而言，提供一种形成衍射光学元件的方法。在一个实例中，一种形成衍射光学元件的方法可包括：在衬底之上提供光学光栅层；在所述光学光栅层之上图案化硬掩模；以及在所述硬掩模之上形成牺牲层，所述牺牲层具有从所述光学光栅层的顶表面测量的非均匀高度。所述方法还可包括在所述光学光栅层中蚀刻成角度的多个沟槽以形成光学光栅，其中所述多个沟槽中的第一沟槽的深度不同于所述多个沟槽中的第二沟槽的深度。
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公开(公告)号：CN118778162A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202411097581.5
申请日：2020-10-24
申请人： 应用材料股份有限公司
发明人： 摩根·艾文斯 , 鲁格·迈尔提摩曼提森 , 约瑟·C·欧尔森
摘要： 提供制造具有拥有可变高度的沟槽的光栅的方法，具体而言，提供一种形成衍射光学元件的方法。在一个实例中，一种形成衍射光学元件的方法可包括：在衬底之上提供光学光栅层；在所述光学光栅层之上图案化硬掩模；以及在所述硬掩模之上形成牺牲层，所述牺牲层具有从所述光学光栅层的顶表面测量的非均匀高度。所述方法还可包括在所述光学光栅层中蚀刻成角度的多个沟槽以形成光学光栅，其中所述多个沟槽中的第一沟槽的深度不同于所述多个沟槽中的第二沟槽的深度。
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公开(公告)号：CN118525365A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202280079553.3
申请日：2022-11-18
申请人： 应用材料股份有限公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/687 , H01J37/317 , H01J37/20 , H01L21/67
摘要： 公开了一种包括旋转碟的系统。所述系统包括半导体处理系统，例如高能植入系统。半导体处理系统产生点离子束，所述点离子束被导引到设置在旋转碟上的多个工件。旋转碟包括旋转中心毂以及多个台。所述多个台可从中心毂朝外延伸且工件被静电挟持到台。所述多个台还可能够旋转。中心毂还控制台中的每一者围绕与中心毂的旋转轴线正交的轴线旋转。以这种方式，可实行可变角度的植入。另外，这使得工件能够在处于水平定向时进行安装。
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公开(公告)号：CN112805812B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN201980065792.1
申请日：2019-09-18
申请人： 应用材料股份有限公司
发明人： 摩根·艾文斯 , 约瑟·C·欧尔森 , 鲁格·迈尔提摩曼提森
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/762 , H01L21/3065 , H01L21/768
摘要： 提供一种在基板中形成斜角结构的方法及一种形成光学光栅的方法。所述方法可包括通过在设置于所述基板的基板基底上的掩模层中蚀刻斜角掩模特征而形成掩模的操作，所述斜角掩模特征具有相对于所述基板的主表面的垂直线以非零倾斜角定向的侧壁。所述方法可包括在所述掩模就位的情况下蚀刻所述基板，所述蚀刻包括引导轨迹相对于所述主表面的所述垂直线以非零入射角布置的离子。
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公开(公告)号：CN115668430A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202180038682.3
申请日：2021-05-17
申请人： 应用材料股份有限公司
发明人： 克里斯多夫·坎贝尔 , 科斯特尔·拜洛 , 彼得·F·库鲁尼西 , 杰伊·R·沃利斯 , 凯文·M·丹尼尔斯 , 凯文·T·莱恩 , 米纳布·B·特费里 , 法兰克·辛克莱 , 约瑟·C·欧尔森
IPC分类号： H01J37/147 , H01J37/317 , H01J37/08 , H01J37/32
摘要： 一种处理系统可包括：等离子体腔室，能够操作以产生等离子体；以及提取总成，沿着等离子体腔室的一侧布置。所述提取总成可包括：提取板，包括提取开孔，所述提取板具有非平面形状且当衬底的平面与等离子体腔室的所述侧平行地布置时相对于所述衬底的所述平面的垂线以高入射角度产生提取离子束。
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公开(公告)号：CN118522622A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410586731.2
申请日：2019-12-05
申请人： 应用材料股份有限公司
发明人： 彼得·F·库鲁尼西 , 摩根·艾文斯 , 约瑟·C·欧尔森 , 克里斯多福·A·罗兰德 , 詹姆士·布诺德诺
IPC分类号： H01J37/305 , H01L21/3065
摘要： 提供一种反应性斜角离子束蚀刻系统以及处理衬底的方法。所述系统可包括被配置成支撑衬底的衬底台，其中所述衬底的主表面界定衬底平面。所述系统可包括离子源，所述离子源包括提取组件，所述提取组件取向成沿着相对于所述衬底平面的垂线界定非零入射角的轨迹将离子束导向所述衬底。所述系统可包括自由基源，所述自由基源取向成沿着相对于所述衬底平面的垂线界定所述非零入射角的轨迹将自由基束导向所述衬底。所述衬底台还可被配置成沿着第一方向扫描所述衬底，所述第一方向位于所述衬底平面上，同时所述衬底的所述主表面在所述衬底平面内取向。
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