发明公开
- 专利标题: 具有深度调制的角度光栅的光学元件及其形成方法
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申请号: CN201980069603.8申请日: 2019-09-18
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公开(公告)号: CN112888986A公开(公告)日: 2021-06-01
- 发明人: 鲁格·迈尔提摩曼提森 , 卢多维克·葛特 , 摩根·艾文斯 , 约瑟·C·欧尔森
- 申请人: 应用材料股份有限公司
- 申请人地址: 美国加州圣塔克拉尔,鲍尔斯大道3050号(邮递区号:95054)
- 专利权人: 应用材料股份有限公司
- 当前专利权人: 应用材料股份有限公司
- 当前专利权人地址: 美国加州圣塔克拉尔,鲍尔斯大道3050号(邮递区号:95054)
- 代理机构: 北京同立钧成知识产权代理有限公司
- 代理商 马爽; 臧建明
- 优先权: 16/168,185 20181023 US
- 国际申请: PCT/US2019/051646 2019.09.18
- 国际公布: WO2020/086196 EN 2020.04.30
- 进入国家日期: 2021-04-21
- 主分类号: G02B27/00
- IPC分类号: G02B27/00
摘要:
一种形成光栅元件的方法。所述方法可包括:提供基板,所述基板包括下伏层及设置于所述下伏层上的硬遮罩层。所述方法可包括:将所述硬遮罩层图案化以界定光栅场;以及在所述光栅场内蚀刻所述下伏层,以沿第一方向界定所述下伏层的可变高度,所述第一方向平行于所述基板的平面。所述方法可包括使用成角离子蚀刻在所述光栅场内形成光栅,所述光栅包括多个成角结构,所述多个成角结构相对于所述基板的平面的垂直线以非零度的倾角设置,其中所述多个成角结构基于所述下伏层的所述可变高度沿所述第一方向界定可变深度。
公开/授权文献
- CN112888986B 光栅元件及其形成方法 公开/授权日:2023-05-23