公开(公告)号：CN103460344B

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201280018001.8

申请日：2012-04-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·班达 ,  J·孙 ,  R-G·段 ,  T·格雷夫斯 ,  W·G·小博伊德 ,  R·W·小达德利 ,  K·多恩 ,  W·M-Y·陆

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02

CPC classification number: B24B37/042 ,  B08B1/04 ,  B24B27/033 ,  B24B37/107 ,  B24B37/245 ,  B24B37/26 ,  C23C16/4407 ,  Y10T137/85938 ,  Y10T156/11

Abstract: 此述的实施例大体上关于用于刷新用在沉积腔室或蚀刻腔室中的气体分配板组件的方法与设备。一个实施例中，提供一种用于刷新气体分配板组件的方法。该方法包括以下步骤：推抵气体分配板组件的面板靠住研磨（polishing）装置的研磨垫，该面板具有配置在该面板中的多个气体分配孔；提供该面板与该研磨垫之间的相对运动；以及抵靠该研磨垫研磨该面板。

公开(公告)号：CN103460344A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201280018001.8

申请日：2012-04-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·班达 ,  J·孙 ,  R-G·段 ,  T·格雷夫斯 ,  W·G·小博伊德 ,  R·W·小达德利 ,  K·多恩 ,  W·M-Y·陆

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02

CPC classification number: B24B37/042 ,  B08B1/04 ,  B24B27/033 ,  B24B37/107 ,  B24B37/245 ,  B24B37/26 ,  C23C16/4407 ,  Y10T137/85938 ,  Y10T156/11

Abstract: 此述的实施例大体上关于用于刷新用在沉积腔室或蚀刻腔室中的气体分配板组件的方法与设备。一个实施例中，提供一种用于刷新气体分配板组件的方法。该方法包括以下步骤：推抵气体分配板组件的面板靠住研磨（polishing）装置的研磨垫，该面板具有配置在该面板中的多个气体分配孔；提供该面板与该研磨垫之间的相对运动；以及抵靠该研磨垫研磨该面板。

公开(公告)号：CN206758409U

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201720101925.4

申请日：2017-01-26

Applicant: 应用材料公司

Inventor： V·菲鲁兹多尔 ,  I·优素福 ,  S·E·巴巴扬 ,  R·丁德萨 ,  C·李 ,  K·多恩 ,  A·奥马利

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/673

Abstract: 本文所公开的实施方式涉及一种半导体处理腔室部件组件。在一个实施方式中，半导体处理腔室部件组件包括第一半导体处理腔室部件、第二半导体处理部件和密封构件。密封构件具有基本上由聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene；PTFE)形成的主体。密封构件在第一半导体处理腔室部件和第二半导体处理腔室部件之间提供密封。主体包括第一表面、第二表面、第一密封表面和第二密封表面。第一表面被配置成暴露于等离子体处理区域。第二表面与第一表面相对。第一密封表面和第二密封表面在第一表面和第二表面之间延伸。第一密封表面接触第一半导体处理腔室部件。第二密封表面接触第二半导体处理腔室部件。