一种低铂催化剂的制备方法及应用

    公开(公告)号:CN113388844B

    公开(公告)日:2022-06-14

    申请号:CN202110578204.3

    申请日:2021-05-26

    IPC分类号: C25B1/04 C25B11/091

    摘要: 本发明公开了一种低铂催化剂的制备方法及应用。一种低铂催化剂,所述的催化剂由表面掺杂氮的碳载体和原位还原于碳载体表面的铂纳米颗粒组成,所述的铂纳米颗粒粒径为1~3nm,所述的催化剂中铂的负载量为1~14wt.%,所述的碳载体中氮的掺杂量为0.1~1at.%。本发明提出的低铂催化剂,具有较高的电化学活性面积,可有效地降低贵金属的使用量,提高贵金属的利用效率;在碱性析氢反应中表现出优异的质量活性,在相同的金属载量和电化学测试条件下要明显优于商用铂碳。

    一种催化MgH2快速放氢的复合氧化物及其应用

    公开(公告)号:CN113856670A

    公开(公告)日:2021-12-31

    申请号:CN202110938663.8

    申请日:2021-08-16

    IPC分类号: B01J23/20 C01B3/04

    摘要: 本发明公开了一种催化MgH2快速放氢的复合氧化物及其应用,所述复合氧化物由p型氧化物半导体与n型氧化物半导体组成,所述p型氧化物半导体与所述n型氧化物半导体在材料的内部形成p‑n结。本发明的复合氧化物在热辐射的作用下,其中n型氧化物半导体的表面形成自由电子,p型氧化物半导体的表面形成空穴,两者在材料的内部形成“p‑n结”,降低自由电子与空穴复合的几率,提高催化体系的性能;通过材料表面的自由电子与空穴,实现快速、有效地催化MgH2分解放氢。

    一种催化MgH2快速放氢的复合氧化物及其应用

    公开(公告)号:CN113856670B

    公开(公告)日:2023-11-24

    申请号:CN202110938663.8

    申请日:2021-08-16

    IPC分类号: B01J23/20 C01B3/04

    摘要: 本发明公开了一种催化MgH2快速放氢的复合氧化物及其应用,所述复合氧化物由p型氧化物半导体与n型氧化物半导体组成,所述p型氧化物半导体与所述n型氧化物半导体在材料的内部形成p‑n结。本发明的复合氧化物在热辐射的作用下,其中n型氧化物半导体的表面形成自由电子,p型氧化物半导体的表面形成空穴,两者在材料的内部形成“p‑n结”,降低自由电子与空穴复合的几率,提高催化体系的性能;通过材料表面的自由电子与空穴,实现快速、有效地催化MgH2分解放氢。

    一种低铂催化剂的制备方法及应用

    公开(公告)号:CN113388844A

    公开(公告)日:2021-09-14

    申请号:CN202110578204.3

    申请日:2021-05-26

    IPC分类号: C25B1/04 C25B11/091

    摘要: 本发明公开了一种低铂催化剂的制备方法及应用。一种低铂催化剂,所述的催化剂由表面掺杂氮的碳载体和原位还原于碳载体表面的铂纳米颗粒组成,所述的铂纳米颗粒粒径为1~3nm,所述的催化剂中铂的负载量为1~14wt.%,所述的碳载体中氮的掺杂量为0.1~1at.%。本发明提出的低铂催化剂,具有较高的电化学活性面积,可有效地降低贵金属的使用量,提高贵金属的利用效率;在碱性析氢反应中表现出优异的质量活性,在相同的金属载量和电化学测试条件下要明显优于商用铂碳。