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公开(公告)号:CN117363356A
公开(公告)日:2024-01-09
申请号:CN202311261996.7
申请日:2023-09-27
Applicant: 广东省科学院资源利用与稀土开发研究所
IPC: C09K11/80 , A01G7/04 , G06V40/18 , F21V9/32 , F21V9/45 , H01L33/50 , G01K11/20 , C01G17/00 , F21Y115/10
Abstract: 本发明公开了一种虹膜识别用钙钆镓锗石榴石基近红外光荧光粉及其制备方法。一种虹膜识别用钙钆镓锗石榴石基近红外光荧光粉,其化学组GeCr3+2成O离子浓度1为2:xC:Cra3+2,G,其中xd为Ga掺:30
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公开(公告)号:CN114836203B
公开(公告)日:2023-04-07
申请号:CN202210574687.4
申请日:2022-05-24
Applicant: 广东省科学院资源利用与稀土开发研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于Mn4+和稀土离子共激活的氟化物单基质白光材料的制备方法。该制备方法,包括如下步骤:取六氟合锰酸钾加入至氟硅酸溶液中完全溶解得到溶液1,将钡盐和铽盐加入到去离子水中完全溶解得到溶液2,将溶液1和溶液2混合并搅拌5‑10分钟,再经离心处理得到沉淀,沉淀经洗涤和干燥后,得到最终产物。本发明提供的制备方法具有操作简便、绿色环保等优点。
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公开(公告)号:CN115746852A
公开(公告)日:2023-03-07
申请号:CN202211575568.7
申请日:2022-12-08
Applicant: 广东省科学院资源利用与稀土开发研究所
IPC: C09K11/80
Abstract: 本发明提供了一种X射线激发的高热稳定的近红外发光材料,其化学通式为MLu2Al4‑xCrxSiO12;其M为Ca,Sr中的至少一种,0.015≤x≤0.025。上述材料的制备方法为按照化学通式中摩尔含量分别称取反应原料,将所述反应原料和助熔剂混合烧结。本发明的近红外发光材料在紫外光、可见光及X射线激发下可发射出600‑850nm的近红外光;该荧光粉具有高的热稳定性,在温度425开尔文相对于300开尔文时的发光强度没有出现猝灭;该荧光粉化学性质稳定,制备方法简单,易于规模化生产。
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公开(公告)号:CN117363356B
公开(公告)日:2024-05-31
申请号:CN202311261996.7
申请日:2023-09-27
Applicant: 广东省科学院资源利用与稀土开发研究所
IPC: C09K11/80 , A01G7/04 , G06V40/18 , F21V9/32 , F21V9/45 , H01L33/50 , G01K11/20 , C01G17/00 , F21Y115/10
Abstract: 本发明公开了一种虹膜识别用钙钆镓锗石榴石基近红外光荧光粉及其制备方法。一种虹膜识别用钙钆镓锗石榴石基近红外光荧光粉,其化学组成为:Ca2GdGa3(1‑x)Ge2O12:xCr3+,x为掺杂的Cr3+离子浓度,其中:0
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公开(公告)号:CN117965169A
公开(公告)日:2024-05-03
申请号:CN202311804695.4
申请日:2023-12-26
Applicant: 广东省科学院资源利用与稀土开发研究所
Abstract: 本发明公开了一种热稳定性良好的镥钙镓锗石榴石基宽带近红外荧光粉和应用,其化学组成为Lu2+xCa1‑xGa3.97+xGe1‑xO12:0.03Cr3+,其中x为Lu或Ga的取代量,且0≤x<1,可被360‑530nm的蓝绿光、540‑680nm的红光和X‑射线激发,发射峰涵盖600nm到840nm,其发光强度在25‑175℃(298‑448K)之间随温度的上升而增强,在175℃时可达室温时的144%,具有发光亮度高、热稳定性好、荧光寿命短、合成简便、所需能耗低等优点,可用于大功率发光器件、眼睛哺光仪、高能射线探测、植物生长照明等领域,可用作蓝光LED芯片激发的近红外光转换材料。
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公开(公告)号:CN115353884B
公开(公告)日:2024-03-29
申请号:CN202210865325.0
申请日:2022-07-21
Applicant: 广东省科学院资源利用与稀土开发研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于交流LED的石榴石基长余辉发光材料及其制备方法,化学通式如下:M3‑yCeyAl5‑x‑zGezGaxO12,其中M为Y、Lu、Gd中的一种或几种,2≤x≤3.5,0
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公开(公告)号:CN116425547A
公开(公告)日:2023-07-14
申请号:CN202310251953.4
申请日:2023-03-16
Applicant: 广东省科学院资源利用与稀土开发研究所
IPC: C04B35/553 , C04B35/622 , C09K11/77
Abstract: 本发明公开了一种铬离子激活的钪基氟化物宽带近红外发光陶瓷材料及其制备方法,利用水热法和高温热压后处理得到铬离子激活的氟化物宽带近红外发光陶瓷材料,其化学式为:K2LiSc1‑xCrxF6,x=0.10~0.20。该材料在350‑500纳米之间有一个很强的宽带吸收峰,可被蓝光芯片激发,在770纳米左右有一个很强的宽带发射峰,且与相应的粉体材料相比,该陶瓷材料具有更高的致密度,从而具有更好的导热性和热稳定性,可用于高功率NIRpc‑LED器件封装。
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