公开(公告)号：CN103474518B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201310467811.8

申请日：2013-10-10

申请人： 常州天合光能有限公司

发明人： 陆中丹 ,  石建华

IPC分类号： H01L31/20

CPC分类号： Y02P70/521

摘要： 本发明公开了一种多孔金字塔减反射结构制备方法及HIT太阳能电池制备工艺，多孔金字塔减反射结构制备方法的步骤如下：1）对单晶硅衬底进行清洗制绒，使其表面形成金字塔结构的绒面；2）将具有所述金字塔结构的单晶硅衬底浸没在酸性溶液中进行处理；3）采用反应离子刻蚀方法对经过步骤2）处理的单晶硅衬底进行刻蚀，在金字塔结构上制备纳米结构，使经过步骤2）处理的单晶硅衬底表面形成多孔状金字塔结构；4）将经过步骤3）处理后的单晶硅衬底进行碱刻蚀，得到该太阳能电池表面的多孔金字塔减反射结构。本发明能够降低衬底的反射率，从而提高短路电流密度的同时提高了衬底的钝化效果，适当地提高了电池的开路电压，提高了电池的转换效率。

公开(公告)号：CN103077976A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201210294462.X

申请日：2012-08-17

申请人： 常州天合光能有限公司

发明人： 崔艳峰 ,  袁声召 ,  石建华 ,  陆中丹 ,  孟凡英 ,  刘正新

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/20

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明公开了提高N型衬底HIT太阳能电池开路电压的方法。根据本发明的一种N型衬底HIT太阳能电池，包括：N型晶硅衬底层；N型晶硅衬底层两侧的第一和第二本征非晶硅层；第一本征非晶硅层外侧的N型非晶硅层；第二本征非晶硅层外侧的P型非晶硅层；N型非晶硅层外侧的第一TCO层和电极；以及P型非晶硅层外侧的第二TCO层和电极，其中，所述第二TCO层是由高功函数TCO层和低功函数TCO层组成的叠层，高功函数TCO层和P型非晶硅层接触。本发明同时公开了形成上述太阳能电池的相应方法。

公开(公告)号：CN103474518A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201310467811.8

申请日：2013-10-10

申请人： 常州天合光能有限公司

发明人： 陆中丹 ,  石建华

IPC分类号： H01L31/20

CPC分类号： Y02P70/521

摘要： 本发明公开了一种多孔金字塔减反射结构制备方法及HIT太阳能电池制备工艺，多孔金字塔减反射结构制备方法的步骤如下：1）对单晶硅衬底进行清洗制绒，使其表面形成金字塔结构的绒面；2）将具有所述金字塔结构的单晶硅衬底浸没在酸性溶液中进行处理；3）采用反应离子刻蚀方法对经过步骤2）处理的单晶硅衬底进行刻蚀，在金字塔结构上制备纳米结构，使经过步骤2）处理的单晶硅衬底表面形成多孔状金字塔结构；4）将经过步骤3）处理后的单晶硅衬底进行碱刻蚀，得到该太阳能电池表面的多孔金字塔减反射结构。本发明能够降低衬底的反射率，从而提高短路电流密度的同时提高了衬底的钝化效果，适当地提高了电池的开路电压，提高了电池的转换效率。

公开(公告)号：CN103094395A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210294465.3

申请日：2012-08-17

申请人： 常州天合光能有限公司

发明人： 崔艳峰 ,  袁声召 ,  石建华 ,  陆中丹 ,  孟凡英 ,  刘正新

IPC分类号： H01L31/0747 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/20

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明公开了降低P型衬底HIT太阳能电池串阻的方法。根据本发明的一种P型衬底HIT太阳能电池，包括：P型晶硅衬底层；P型晶硅衬底层两侧的第一和第二本征非晶硅层；第一本征非晶硅层外侧的N型非晶硅层；第二本征非晶硅层外侧的P型非晶硅层；N型非晶硅层外侧的第一TCO层和电极；以及P型非晶硅层外侧的第二TCO层和电极，其中，所述第二TCO层是由高功函数TCO层和低功函数TCO层组成的叠层，高功函数TCO层和P型非晶硅层接触。本发明同时公开了形成上述太阳能电池的相应方法。