公开(公告)号：CN103094395A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210294465.3

申请日：2012-08-17

申请人： 常州天合光能有限公司

发明人： 崔艳峰 ,  袁声召 ,  石建华 ,  陆中丹 ,  孟凡英 ,  刘正新

IPC分类号： H01L31/0747 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/20

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明公开了降低P型衬底HIT太阳能电池串阻的方法。根据本发明的一种P型衬底HIT太阳能电池，包括：P型晶硅衬底层；P型晶硅衬底层两侧的第一和第二本征非晶硅层；第一本征非晶硅层外侧的N型非晶硅层；第二本征非晶硅层外侧的P型非晶硅层；N型非晶硅层外侧的第一TCO层和电极；以及P型非晶硅层外侧的第二TCO层和电极，其中，所述第二TCO层是由高功函数TCO层和低功函数TCO层组成的叠层，高功函数TCO层和P型非晶硅层接触。本发明同时公开了形成上述太阳能电池的相应方法。

公开(公告)号：CN103077976A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201210294462.X

申请日：2012-08-17

申请人： 常州天合光能有限公司

发明人： 崔艳峰 ,  袁声召 ,  石建华 ,  陆中丹 ,  孟凡英 ,  刘正新

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/20

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明公开了提高N型衬底HIT太阳能电池开路电压的方法。根据本发明的一种N型衬底HIT太阳能电池，包括：N型晶硅衬底层；N型晶硅衬底层两侧的第一和第二本征非晶硅层；第一本征非晶硅层外侧的N型非晶硅层；第二本征非晶硅层外侧的P型非晶硅层；N型非晶硅层外侧的第一TCO层和电极；以及P型非晶硅层外侧的第二TCO层和电极，其中，所述第二TCO层是由高功函数TCO层和低功函数TCO层组成的叠层，高功函数TCO层和P型非晶硅层接触。本发明同时公开了形成上述太阳能电池的相应方法。