单晶硅双面太阳电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN105826411A

    公开(公告)日:2016-08-03

    申请号:CN201610328025.3

    申请日:2016-05-17

    IPC分类号: H01L31/0236 H01L31/18

    摘要: 本发明公开了一种单晶硅双面太阳电池,在单晶硅衬底(100)的正面依次形成正面制绒形貌结构(1)、正面PN发射结(2)、正面钝化减反介质层(3)以及正面电极(4),在单晶硅衬底的背面依次形成背面制绒形貌结构(5)、背表面场(6)、背面钝化减反介质层(7)以及背面电极(8),其特征在于:所述背面制绒形貌结构(5)为平台形绒面,各平台结构(5a)分散,或者,平铺,或者,部分分散、部分平铺、部分相连、部分交叠地分布在硅衬底上。同时,本发明还公开了一种单晶硅双面太阳电池的制备方法。本发明可优化双面太阳电池的少数载流子表面复合和光学吸收特性,提高量子转换效率。

    用于太阳能电池的刻蚀浆料及其制备方法和使用方法

    公开(公告)号:CN103865541A

    公开(公告)日:2014-06-18

    申请号:CN201410082025.0

    申请日:2014-03-07

    发明人: 崔艳峰 袁声召

    IPC分类号: C09K13/06

    摘要: 本发明公开了一种用于太阳能电池的刻蚀浆料及其制备方法和使用方法,该用于太阳能电池的刻蚀浆料的组份和各组份质量百分比如下:氢氟酸:5%~15%;硝酸:40%~60%;有机溶剂:15%~30%;有机粘结剂:10%~20%;助剂:5%~10%;其中,氢氟酸和硝酸的比例控制在1:4~1:8。本发明能够同时完成钝化膜的完全刻蚀和使硅表面呈现多孔化,增强后续镀层的粘附力。

    N型晶体硅太阳能电池的选择性发射结结构的实现方法

    公开(公告)号:CN104022187B

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201410275382.9

    申请日:2014-06-19

    IPC分类号: H01L31/18

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 本发明公开了一种N型晶体硅太阳能电池的选择性发射结结构的实现方法,该方法的步骤如下:a)运用硼扩散在N型晶体硅太阳能电池的衬底上形成P型发射结,并且在硼原子推进扩散后,进行氧气气氛的高温处理,其中,氧气流量和炉腔的体积比为0.01~0.15slm/L,温度为800℃~1100℃,时间为5min~60min;b)通过刻蚀方法刻蚀预设的发射结金属化区域,直至高扩散浓度位置,从而形成选择性发射结结构。本发明能够保证N型太阳能选择性发射结结构的金属化区域具有较高的掺杂浓度和非金属化区域具有较低的掺杂浓度,获得良好的发射结钝化和电学接触效果。

    一种新型的异质结太阳能电池

    公开(公告)号:CN103346192B

    公开(公告)日:2015-09-09

    申请号:CN201310310101.4

    申请日:2013-07-23

    发明人: 崔艳峰 袁声召

    CPC分类号: Y02E10/50

    摘要: 本发明公开了一种新型的异质结太阳能电池,其中,超晶格结构P+层包括至少两层沉积在一起的P+复合层,该P+复合层由下至上依次包括P+窄禁带层和P+宽禁带层,每层P+复合层中的P+宽禁带层沉积在P+窄禁带层的上表面上,最下层P+复合层的P+窄禁带层沉积在P型单晶硅衬底的正面上;浅掺杂P型层沉积在最上层P+复合层的P+宽禁带层的上表面上;超晶格结构N型层包括至少两层沉积在一起的N型复合层,该N型复合层由下至上依次包括N型宽禁带层和N型窄禁带层,每层N型复合层中的N型窄禁带层沉积在N型宽禁带层的上表面上,最下层N型复合层的N型宽禁带层沉积在钝化层的上表面上。本发明不仅能够提高电池的开路电压和填充因子,从而提高转换效率,而且能够有效地降低成本。

    一种电镀前表面处理的方法

    公开(公告)号:CN102709383A

    公开(公告)日:2012-10-03

    申请号:CN201210140700.1

    申请日:2012-05-08

    发明人: 袁声召

    IPC分类号: H01L31/18 C25D7/12 C23F1/32

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 本发明涉及一种电镀前表面处理的方法,用于解决传统电池片在电镀前表面粘附性处理成本高且容易产生副作用的缺陷,提供一种电镀前表面处理的方法,首先在去掉电池片栅线处氮化硅减反层的电池片上涂覆一层多孔掩模层,然后通过纳米压印技术将带有目标图形的掩模板压印到多孔掩模层上,最后通过湿法刻蚀使电池片表面带有目标图形的凹凸表面。通过使用纳米压印技术作电镀工艺前的硅片表面处理,有效的避免了传统处理方法的容易产生副作用和成本过高的缺陷,并且避免对硅片表面减反层破坏。

    一种适合于MBB技术的太阳电池主栅图案结构

    公开(公告)号:CN105679852B

    公开(公告)日:2017-03-08

    申请号:CN201610186020.1

    申请日:2016-03-25

    IPC分类号: H01L31/0224

    摘要: 本发明公开了一种适合于MBB技术的太阳电池主栅图案结构(100),其特征在于:每一主栅图案结构(100)包括两条平行的直线(1),每条直线的宽度为30μm-200μm,两直线内边缘之间的距离为D1,两直线外边缘之间的距离为D2,细铜线的直径为D3,0.1mm≤D1≤0.4mm,D2<D3。本发明还公开了一种太阳电池,在太阳电池的正面形成上述主栅图案结构(100),在主栅图案结构上焊接细铜线(3)作为太阳电池的主栅线。本发明的太阳电池主栅图案结构,主栅线焊接牢固,总的接触电阻小,几乎不产生额外的遮挡面积。采用本发明的太阳电池主栅图案结构,结合细铜线MBB技术制备的太阳电池,具有短路电流大、填充因子高的优点。

    用于太阳能电池的刻蚀浆料及其制备方法和使用方法

    公开(公告)号:CN103865541B

    公开(公告)日:2015-06-24

    申请号:CN201410082025.0

    申请日:2014-03-07

    发明人: 崔艳峰 袁声召

    IPC分类号: C09K13/06

    摘要: 本发明公开了一种用于太阳能电池的刻蚀浆料及其制备方法和使用方法,该用于太阳能电池的刻蚀浆料的组份和各组份质量百分比如下:氢氟酸:5%~15%;硝酸:40%~60%;有机溶剂:15%~30%;有机粘结剂:10%~20%;助剂:5%~10%;其中,氢氟酸和硝酸的比例控制在1:4~1:8。本发明能够同时完成钝化膜的完全刻蚀和使硅表面呈现多孔化,增强后续镀层的粘附力。