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    全背型异质结太阳电池及其制备方法
    1.
    发明授权
    全背型异质结太阳电池及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN105514206B

    公开(公告)日：2018-02-02

    申请号：CN201610028152.1

    申请日：2016-01-16

    申请人： 常州天合光能有限公司

    发明人： 包健 ,  王栋良 ,  舒欣 ,  陈奕峰 ,  杨阳 ,  张学玲

    IPC分类号： H01L31/072 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/20

    CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521

    摘要： 本发明公开了一种全背型异质结太阳电池，包括硅基体层，其特征在于：在硅基体层的前表面依次设置前N型表面场和减反层，在硅基体层的背表面设置本征非晶硅钝化层，在本征非晶硅钝化层上间隔地设置有P型非晶硅层和N型非晶硅层，P型非晶硅层和N型非晶硅层上分别设置有透明导电薄膜层，透明导电薄膜层上设置有电极，所述P型非晶硅层的厚度为5‑20nm，宽度为100‑1000μm，N型非晶硅层的厚度为5‑20nm，宽度为100‑1000μm，相邻的P型非晶硅层的中心点与N型非晶硅层的中心点间隔150‑3000μm，在所述P型非晶硅层与N型非晶硅层之间设置有绝缘隔离层。本发明还公开了一种全背型异质结太阳电池的制备方法。本发明可防止漏电流的产生，提升太阳电池的开路电压。

    一种高效钝化接触晶体硅太阳电池的制备方法
    3.
    发明授权
    一种高效钝化接触晶体硅太阳电池的制备方法 有权

    公开(公告)号：CN105185866B

    公开(公告)日：2017-07-28

    申请号：CN201510502103.2

    申请日：2015-08-15

    申请人： 常州天合光能有限公司

    发明人： 崔艳峰 ,  王子港 ,  陈奕峰

    IPC分类号： H01L31/18

    CPC分类号： Y02P70/521

    摘要： 本发明公开了一种高效钝化接触晶体硅太阳电池的制备方法，属于太阳电池技术领域，通过利用扩散过程中形成的本应被刻蚀掉的硅氧化层作为阻挡层，而不需要额外沉积一层薄膜作为阻挡层，极大地优化了电池的制备工艺过程，同时有利于成本的降低；通过本发明的制备方法可以在保证电池高开路电压的同时，极大的提高电池的填充因子，因此可以有效的提高电池的光电转换效率；同时，本发明工艺相对简单，适合应用于规模化生产。

    一种太阳能组件抗PID效应能力的检测装置及检测方法
    5.
    发明公开
    一种太阳能组件抗PID效应能力的检测装置及检测方法 无效

    公开(公告)号：CN105281664A

    公开(公告)日：2016-01-27

    申请号：CN201510095724.3

    申请日：2015-03-04

    申请人： 常州天合光能有限公司

    发明人： 王子港 ,  陈奕峰 ,  崔艳峰

    IPC分类号： H02S50/10

    摘要： 本发明公开了一种太阳能组件抗PID效应能力的检测装置，用于检测太阳能组件的抗PID效应能力，包括电源、可形成测试所需环境的环境箱，环境箱内设置绝缘支架，其特在于：在所述环境箱内设置有UV灯源，太阳能组件的铝边框接电源的正电极并接地，太阳能组件连接接线盒，接线盒的正负极端子短接并与电源负极相连。同时，本发明还公开了一种使用上述检测装置的太阳能组件抗PID效应能力的检测方法。本发明解决现有技术中太阳能组件PID测试条件与实际户外使用情况不一致，影响测试的准确性的技术问题。本发明更加真实地模拟组件在户外环境中的衰减，可更加准确地测定太阳能组件的抗PID效应能力，对减少和预防PID现象具有指导意义。

    一种适合于MBB技术的太阳电池主栅图案结构
    7.
    发明授权
    一种适合于MBB技术的太阳电池主栅图案结构 有权

    公开(公告)号：CN105679852B

    公开(公告)日：2017-03-08

    申请号：CN201610186020.1

    申请日：2016-03-25

    申请人： 常州天合光能有限公司

    发明人： 袁声召 ,  陈奕峰 ,  邓伟伟 ,  杨阳 ,  张舒 ,  谢燕

    IPC分类号： H01L31/0224

    摘要： 本发明公开了一种适合于MBB技术的太阳电池主栅图案结构(100)，其特征在于：每一主栅图案结构(100)包括两条平行的直线(1)，每条直线的宽度为30μm-200μm，两直线内边缘之间的距离为D1,两直线外边缘之间的距离为D2，细铜线的直径为D3，0.1mm≤D1≤0.4mm，D2＜D3。本发明还公开了一种太阳电池，在太阳电池的正面形成上述主栅图案结构(100)，在主栅图案结构上焊接细铜线(3)作为太阳电池的主栅线。本发明的太阳电池主栅图案结构，主栅线焊接牢固，总的接触电阻小，几乎不产生额外的遮挡面积。采用本发明的太阳电池主栅图案结构，结合细铜线MBB技术制备的太阳电池，具有短路电流大、填充因子高的优点。

    分布式局域硼掺杂的双面感光晶体硅太阳电池及其制备方法
    8.
    发明授权
    分布式局域硼掺杂的双面感光晶体硅太阳电池及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN104091842B

    公开(公告)日：2017-02-15

    申请号：CN201410321813.0

    申请日：2014-07-07

    申请人： 常州天合光能有限公司

    发明人： 陈奕峰 ,  刘斌辉 ,  董建文 ,  皮尔·威灵顿 ,  冯志强

    IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/18

    CPC分类号： Y02P70/521

    摘要： 本发明公开了一种分布式局域硼掺杂的双面感光晶体硅太阳电池及其制备方法，该电池包括硅衬底，在硅衬底正面设有N型掺杂区、N型掺杂区上设有正面减反钝化膜，硅衬底背面设有背面钝化膜，制备方法还包括以下步骤：在背面钝化膜上以分布式短线的图案将背面钝化膜局部去除，露出硅衬底，形成多个去除通道；然后局域印刷硼硅浆料以覆盖去除通道；随后分别印刷背面电极层和正面电极层，并烘干；然后进行高温烧结，去除通道内的硼硅浆料与硅衬底接触界面形成分布式的P型硼重掺杂区域，组成P型硼重掺杂层；并在高温烧结过程中，同时形成正面电极层和背面电极层。本发明不仅降低了太阳能电池背面的少子在接触界面的复合速率，有利于电池开路电压和转换效率的提升，而且降低了开膜面积，进一步降低了表面的复合速率。

    一种消除B掺杂晶硅太阳电池光致衰减的方法及其设备
    10.
    发明公开
    一种消除B掺杂晶硅太阳电池光致衰减的方法及其设备 有权

    公开(公告)号：CN105552173A

    公开(公告)日：2016-05-04

    申请号：CN201610091453.9

    申请日：2016-02-19

    申请人： 常州天合光能有限公司

    发明人： 崔艳峰 ,  陈奕峰 ,  王子港 ,  端伟元 ,  皮尔·威灵顿

    IPC分类号： H01L31/18

    CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L31/18

    摘要： 本发明公开了一种消除B掺杂晶硅太阳电池光致衰减的方法，依次包括如下步骤：S1：将电池片在第一温度下进行高光照处理，持续第一时间；S2：将电池片在第二温度下进行高光照处理，持续第二时间；S3：将电池片在第三温度下进行高光照处理，持续第三时间；其中，第二时间长于第一时间和第二时间，高光照处理的光照强度范围为1×103w/m2~3×106w/m2。本发明还公开了一种消除B掺杂晶硅太阳电池光致衰减的设备，包括：传输轨道，用于输送电池片；以及沿输送路径依次设置的第一光照区、第二光照区以及第三光照区。本发明可以极大程度上、甚至完全消除与光致衰减相关的复合中心，从而抑制衰减，实现电池的高效和高可靠性。