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公开(公告)号：CN113283053B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202110414857.8
申请日：2021-04-17
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
IPC分类号： G06F30/20 , C23C16/52 , C23C16/50 , G06F111/10 , G06F113/08
摘要： 本发明涉及太阳能电池生产领域。一种晶硅电池pecvd镀膜工艺参数建立的方法，包括设备初始参数建立方法和设备工艺参数优化方法，设备初始参数建立方法，工艺气体总流量初始值的确定，工艺腔体压力初始值的确定，工艺气体沉积功率初始值的确定；设备工艺参数优化方法，工艺腔体气体总流量优化值的确定，工艺腔体压力优化值的确定。本发明可有效降低新设备工艺参数建立的难度，同时保证参数优化的合理性，为工艺参数的优化调整提供便利。
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公开(公告)号：CN114765234A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202210286211.0
申请日：2022-03-23
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
摘要： 本发明涉及P型晶硅双面太阳能电池背钝化领域。一种P型晶硅双面电池退火增强背钝化方法，按如下步骤进行步骤一、第一次SiON膜层沉积+第一次退火，步骤二、第二次SiON膜层沉积+第二次退火，步骤三、第二次SiON膜层沉积+第三次退火，步骤四、SiN膜层沉积构，SiN膜层采用三层沉积，步骤五、第四次退火。本发明将SiON膜层进行合理的拆分，并与退火工艺拼接，可减少SiON膜层过厚时内部缺陷。
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公开(公告)号：CN112382696B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202011100277.3
申请日：2020-10-15
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068 , H01L31/0216 , C23C16/30 , C23C16/515 , C23C16/52 , C23C16/56
摘要： 本发明涉及太阳能电池生产领域，特别涉及双面太阳能电池生产领域。一种新型晶硅SiON双面电池背钝化工艺，在背面晶硅基体上直接制备氮氧化硅层，然后在进行退火，最后再制备氮化硅层；氮氧化硅层为单层膜，采用PECVD的方式沉积，工艺参数为，压力1500‑2000mTorr，温度450‑500℃，功率为8500‑12000W,脉冲开关比为1:10至1:16，所通SiH4/NH3/N2O=1.65/1/4至2.5/1/5,且三种气体SiH4、NH3、N2O总流量需大于7000sccm，时间40‑60s。本发明不仅有效降低了双面电池的背面钝化制造成本，同时创造性的解决钝化SiON膜层变薄后钝化效果变差的问题。
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公开(公告)号：CN113283053A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110414857.8
申请日：2021-04-17
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
IPC分类号： G06F30/20 , C23C16/52 , C23C16/50 , G06F111/10 , G06F113/08
摘要： 本发明涉及太阳能电池生产领域。一种晶硅电池pecvd镀膜工艺参数建立的方法，包括设备初始参数建立方法和设备工艺参数优化方法，设备初始参数建立方法，工艺气体总流量初始值的确定，工艺腔体压力初始值的确定，工艺气体沉积功率初始值的确定；设备工艺参数优化方法，工艺腔体气体总流量优化值的确定，工艺腔体压力优化值的确定。本发明可有效降低新设备工艺参数建立的难度，同时保证参数优化的合理性，为工艺参数的优化调整提供便利。
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公开(公告)号：CN112382701A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011220405.8
申请日：2020-11-05
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
摘要： 本发明涉及太阳能电池生产领域。一种校准管式PECVD石墨舟的方法，首先人工检测待校准的石墨舟连接块、舟片有无断裂、变形或破损，如果有请及时更换，人工检测待校准的石墨舟舟内或卡点内有无异物，如有异物及时进行清理或者清洗；然后将待校准的石墨舟放置在校准台上进行检测。本发明实施的校准方法可以简单准确的校准光伏太阳能管式PECVD石墨舟，解决了因石墨舟引起的掉片、划伤和破片报警等问题，提高了电池片的合格率，增加了车间的产量。
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公开(公告)号：CN112071919A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202011015384.6
申请日：2020-09-24
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及太阳能电池生产领域。一种新型P型晶硅TOPCon电池结构，该P型晶硅TOPCon电池背面自下而上为氮化硅层SixNy、硼掺杂氧化硅层SiOx(B)、二氧化硅层（SiO2）。本发明还涉及该新型P型晶硅TOPCon电池结构的制备工艺。本发明不仅与当前P型PERC电池制程工艺兼容性高，设备投入额小，而且解决了硼掺杂绕度的问题，制造过程产品良率高达98%以上。
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公开(公告)号：CN112018206A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202011013403.1
申请日：2020-09-24
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本发明属于光伏晶硅电池制造领域。一种N型晶硅电池结构，背面膜层结构自下而上为氮化硅层、氧化硅层、磷硅玻璃层、重掺杂层，其中磷硅玻璃层和重掺杂层通过磷扩散形成，氮化硅层和氧化硅层使用PECVD设备沉积。本发明还涉及N型晶硅电池结构制备工艺，磷硅玻璃层与重掺杂层重掺杂层的存在，使其在充当电子选择层的同时，有效降低背面的接触电阻，提高电池效，而外层的氧化硅，进一步对硅基体背表面进行化学钝化，降低少数载流子在表面的复合速率。
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公开(公告)号：CN111584667A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010519716.8
申请日：2020-06-09
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及N型晶硅TOPCon电池生产领域。一种新型N型晶硅TOPCon电池结构，背面膜层结构自下而上为SixNy/SiOx/SiOxNy，其中，中间SiOx为磷掺杂的膜层；其中，SiOxNy层的折射率为1.7-2.0，厚度为3-5nm，SiOx层折射率为1.5-1.7，厚度为50-100nm，SixNy层折射率为2.1-2.3，厚度为70-80nm。本发明还涉及该电池结构的制备工艺。本发明不仅与当前P型PERC电池制程工艺兼容性高，设备投入额小，而且解决了磷掺杂绕度的问题，制造过程产品良率高。
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公开(公告)号：CN111649807B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202010435614.8
申请日：2020-05-21
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
IPC分类号： G01F25/10
摘要： 本发明涉及太阳能电池生产领域，一种检测管式PECVD的质量流量计是否正常的方法，管式PECVD的上的质量流量计为正常流量计时，记录管式PECVD的炉管压力最低时的压力值，记录正常质量流量计量程范围内多个不同流量值一一对应的管式PECVD的炉管压力，记录每个对应的管式PECVD的炉管压力与压力差值，记录压力算术平均值为；进行正常的管式PECVD镀膜工作，记录待检测的质量流量计与步骤一正常质量流量计对应多个值，如果偏差超出正常范围，需要更换新的质量流量计。
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公开(公告)号：CN114759117A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210291697.7
申请日：2022-03-24
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L21/02 , H01L21/306
摘要： 本发明涉及硅太阳能电池领域。特别涉及硅片制绒领域。一种改善晶硅电池制绒均匀性的方法，对金刚切割原始硅片顺序进行高压氮气吹扫、预清洗、第一次水洗、第一次抛光、第二次水洗、第二次抛光、第三次水洗、制绒、第四次水洗、第五次水洗、后清洗、酸洗、水洗、烘干；本发明的有益效果是：本发明一方面能够保证把硅片表面存在切割损伤和应力缺陷消除,另一方面通过两次抛光，减少药液的消耗量。
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