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公开(公告)号：CN115312622A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210916731.5
申请日：2022-08-01
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/02 , H01L21/223 , H01L31/0216 , C30B33/00
摘要： 本发明涉及太阳能电池生产领域。一种太阳能电池生产工艺，硅锭被切割成硅片后，经过预清洗后烘干；在硅片表面形成一层保护膜；采用碱液对硅片表面进行抛光；在硅片表面制绒；进行扩散工艺制备PN结；对硅片表面抛光，去磷硅玻璃；使用氧气对硅片表面进行钝化；采用PECVD设备镀膜；丝网印刷。本发明在减重最少情况下实现了对硅片表面的抛光。本发明可以形成较深的P‑N结，最终形成效率高的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN111063763B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201911221900.8
申请日：2019-12-03
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L21/66 , H01L21/677 , H01L21/683
摘要： 本发明涉及光伏太阳能硅片检测湿法制绒领域，一种提高光伏湿法制绒设备产能方法，对JJC‑SC‑CSZ600E‑15F光伏湿法制绒设备进行改进，降低机械手对硅片的感应时间，提高机械手的抓片频率，提高导轨传送速率，增大TTV上探头与硅片之间的距离，在开始检测点与结束点过滤掉40ms的检测时间，同时减少检测数据点，传感器感应到硅片后，导轨停顿360ms，相机的破片感应时间由原来的200ms降低为现在的100ms，改进六、对机械手的真空吸盘的改造，由原来的橡胶垫片，更换为同样形状的塑料垫片。发明的有益效果是：产能提升10%以上。
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公开(公告)号：CN112071919A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202011015384.6
申请日：2020-09-24
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及太阳能电池生产领域。一种新型P型晶硅TOPCon电池结构，该P型晶硅TOPCon电池背面自下而上为氮化硅层SixNy、硼掺杂氧化硅层SiOx(B)、二氧化硅层（SiO2）。本发明还涉及该新型P型晶硅TOPCon电池结构的制备工艺。本发明不仅与当前P型PERC电池制程工艺兼容性高，设备投入额小，而且解决了硼掺杂绕度的问题，制造过程产品良率高达98%以上。
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公开(公告)号：CN112018206A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202011013403.1
申请日：2020-09-24
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本发明属于光伏晶硅电池制造领域。一种N型晶硅电池结构，背面膜层结构自下而上为氮化硅层、氧化硅层、磷硅玻璃层、重掺杂层，其中磷硅玻璃层和重掺杂层通过磷扩散形成，氮化硅层和氧化硅层使用PECVD设备沉积。本发明还涉及N型晶硅电池结构制备工艺，磷硅玻璃层与重掺杂层重掺杂层的存在，使其在充当电子选择层的同时，有效降低背面的接触电阻，提高电池效，而外层的氧化硅，进一步对硅基体背表面进行化学钝化，降低少数载流子在表面的复合速率。
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公开(公告)号：CN109873052A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201910249286.X
申请日：2019-03-29
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
IPC分类号： H01L31/18
摘要： 本发明涉及太阳能电池片生产领域。一种太阳能电池扩散后退火工艺，正常温度推进，将石英炉管升温至840℃，以7slm/min的流量通入氮气，以2.5slm/min的流量通入氧气，不通入其它气体，推进7-9min；降温到810℃同时进行推进和退火，以5℃/min速率降至810℃，以7slm/min的流量通入氮气，不通入其它气体，保持推进和退火5-7min；将温度降至750℃-800℃进行变温退火，以2℃/min降温至780℃，同时保持以7slm/min的流量通入氮气，不通入其它气体，然后保温15-25min。
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公开(公告)号：CN104677953B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201510089111.9
申请日：2015-02-27
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
IPC分类号： G01N27/20
摘要： 本发明涉及硅棒切片检测领域，具体是涉及一种快速检测黑心片的方法。一种快速检测黑心片的方法，按照如下步骤进行：步骤一、将待测硅棒进行切片；步骤二、硅棒切片的电阻率，低于临界值的为合格产品，高于临界值的产品为不合格产品。本发明的有益效果是：本发明能够快速简便的区别黑心片，节省了成本，提高了工作效率；对环境要求不是很高，可以采用现场生产现场测试的方法，降低了测试周期；节省材料，降低能源消耗。
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公开(公告)号：CN115323481A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210922506.2
申请日：2022-08-02
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
摘要： 本发明涉及太阳能电池生产领域，一种偏心的直拉硅单晶炉，包括炉体、坩埚、籽晶杆，坩埚安装在炉体内部，坩埚内部装有熔融硅液，坩埚偏离坩埚轴中心线自转转动；籽晶杆安装在炉体内部，籽晶杆沿着自身轴中心线自转转动，籽晶杆沿着自身轴向相对所述坩埚可升降。本发明坩埚偏离坩埚轴中心线自转相当于增大了坩埚口径，因此对杂质的分离效果大于不偏心的坩埚。
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公开(公告)号：CN110010722B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201910249818.X
申请日：2019-03-29
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
摘要： 本发明涉及太阳能电池生产领域。一种控制非防溢胶铝边框自动溢胶效果的方法，采用非防溢胶铝边框固定电池组的层压件，安装非防溢胶铝边框时，层压件的背面朝下固定在平台上，非防溢胶铝边框A面朝下固定在装框机上，非防溢胶铝边框的槽口对准层压件待安装非防溢胶铝边框的一侧，装框机推动非防溢胶铝边框向槽口内部平移。本发明节约了人力资源、节约了硅胶材料，提出了一种使用非防溢胶边框时，在自动线达到自动溢胶效果的方法。
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公开(公告)号：CN116741884A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310915187.7
申请日：2023-07-25
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/223
摘要： 本发明涉及太阳能电池生产领域，一种太阳能电池智能扩散工艺，获取数据库中评分最高的扩散工艺的设定参数；在扩散炉中，按照扩散工艺的设定参数进行扩散，实时检测扩散过程中的尾气中的气体组成和浓度；根据扩散工艺的设定参数、扩散过程中的尾气中的气体组成和浓度获得扩散过程中气体实时的消耗量；根据扩散过程中气体实时的消耗量，实时调整扩散工艺的气体流量的设定参数；将调整后的扩散工艺的气体流量的设定参数作为扩散工艺的设定参数，返回步骤二按照扩散工艺的设定参数继续进行扩散，直至完成整个扩散工艺；检测扩散完成后太阳能电池片的扩散情况，将评分及其对应的扩散工艺的设定参数反馈回数据库中。
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公开(公告)号：CN116252400A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202310167323.9
申请日：2023-02-27
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
摘要： 本发明涉及硅片切割技术领域，一种硅片切割工艺，通过金刚线切割硅块形成硅片，硅块在切割液中被金刚线切割成硅片，所述切割液为过氧化水或者含双氧根的异丙醇的溶液，所述切割液中双氧根离子的浓度为0.05摩尔/升‑0.8摩尔/升。1、本发明的硅片切割是在切割液中进行切割，切割液能够带走切割过程产生的热量，相比与喷洒切割液，更不易产生硅片局部高温，避免发生翘曲；2、切割液中含有双氧根离子，能够对切割面的游离态硅进行氧化形成二氧化硅，进而硅原子以氢氧根离子结合，形成新的共价键，从而保证切割的稳定性。
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