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公开(公告)号：CN113725305A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110993209.2
申请日：2021-08-26
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/042
摘要： 本发明涉及太阳能电池生产领域。一种新型低电流输出晶硅电池结构，单块的太阳能电池板的正面激光图形和/或背面激光图形被分割成多个独立区块，每个独立区块都存在独立的主栅线和副栅线，每个独立区块构成一个独立的子晶硅电池结构，单块的太阳能电池板晶硅电池结构由所有子晶硅电池结构并列构成。本发明单块的太阳能电池板内部进行分区，实现区域单独发电，从而实现单片电池片更低电流的输出，合理控制电流输出的大小，发电效率高。
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公开(公告)号：CN111628048A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010515714.1
申请日：2020-06-09
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
摘要： 本发明涉及太阳能电池返工片领域。一种晶硅电池丝网印刷返工片清洗方法，首先使用工业酒精擦除固化于返工片上的银铝浆料，然后将返工片浸泡于盐酸和双氧水混合液中，最后在等离子水中浸泡冲洗干净后烘干。本发明中采用手动擦除清洗方法，对银铝浆料蘸取工业酒精润湿后，直接擦除，能够完成95%以上的银铝浆料清除，然后采用盐酸和双氧水混合液彻底清楚剩余的银铝浆料，盐酸和双氧水不与硅片反应，最后通过去离子水鼓泡清洗和冲洗后烘干获得完好的返工片，能够满足后续再次丝网印刷的要求。
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公开(公告)号：CN116705906A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310681920.3
申请日：2023-06-09
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L21/306 , H01L21/308
摘要： 本发明涉及太阳能电池片生成领域，一种硅片制绒工艺，包括如下步骤：步骤一、将经过预清洗的硅片掩膜后氧化，在未掩膜区域形成致密氧化层区；步骤二、去掉掩膜，使用刻蚀液对硅片进行刻蚀，在硅片的致密氧化层区形成刻蚀槽；步骤三、对具有刻蚀槽的硅片进行制绒。一方面对光照的反射更小，另一方面能够得到了更多和更深的PN结，从而提高了太阳能电池的发电效率。
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公开(公告)号：CN112172338A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202011013416.9
申请日：2020-09-24
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
摘要： 本发明属于光伏晶硅电池领域。一种丝网印刷Mark点自动定位系统，包括安装在丝网印刷进口的进料相机、安装在丝网印刷出口的出料相机、执行机构、PLC系统，进料相机、出料相机、执行机构电信号连接PLC系统，检测机构由电池片进料相机与出料相机组成。利用印刷前后两对角线中心位置平均值差值与倾斜角度差值平均值，实时进行位置偏差补偿，实现自动激光与丝印的高精度对位，避免人工调试的低效与高误差。
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公开(公告)号：CN111564529A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010517933.3
申请日：2020-06-09
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068
摘要： 本发明涉及太阳能电池生产领域，特别涉及PERC电池发射极前表面氧化领域。保持压力为常压，同时在整个流程阶段保持气体流量为5-10slm，在恒温和沉积阶段，保持总气体流量不变的前提下，提高氧气浓度，使N2/O2得体积比为0.5:1。本发明通过增加氧气浓度降低反应温度和反应时间，使PERC电池发射极前表面氧化能够在常压下完成。
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公开(公告)号：CN115312622A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210916731.5
申请日：2022-08-01
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/02 , H01L21/223 , H01L31/0216 , C30B33/00
摘要： 本发明涉及太阳能电池生产领域。一种太阳能电池生产工艺，硅锭被切割成硅片后，经过预清洗后烘干；在硅片表面形成一层保护膜；采用碱液对硅片表面进行抛光；在硅片表面制绒；进行扩散工艺制备PN结；对硅片表面抛光，去磷硅玻璃；使用氧气对硅片表面进行钝化；采用PECVD设备镀膜；丝网印刷。本发明在减重最少情况下实现了对硅片表面的抛光。本发明可以形成较深的P‑N结，最终形成效率高的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN113283053B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202110414857.8
申请日：2021-04-17
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
IPC分类号： G06F30/20 , C23C16/52 , C23C16/50 , G06F111/10 , G06F113/08
摘要： 本发明涉及太阳能电池生产领域。一种晶硅电池pecvd镀膜工艺参数建立的方法，包括设备初始参数建立方法和设备工艺参数优化方法，设备初始参数建立方法，工艺气体总流量初始值的确定，工艺腔体压力初始值的确定，工艺气体沉积功率初始值的确定；设备工艺参数优化方法，工艺腔体气体总流量优化值的确定，工艺腔体压力优化值的确定。本发明可有效降低新设备工艺参数建立的难度，同时保证参数优化的合理性，为工艺参数的优化调整提供便利。
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公开(公告)号：CN113283053A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110414857.8
申请日：2021-04-17
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
IPC分类号： G06F30/20 , C23C16/52 , C23C16/50 , G06F111/10 , G06F113/08
摘要： 本发明涉及太阳能电池生产领域。一种晶硅电池pecvd镀膜工艺参数建立的方法，包括设备初始参数建立方法和设备工艺参数优化方法，设备初始参数建立方法，工艺气体总流量初始值的确定，工艺腔体压力初始值的确定，工艺气体沉积功率初始值的确定；设备工艺参数优化方法，工艺腔体气体总流量优化值的确定，工艺腔体压力优化值的确定。本发明可有效降低新设备工艺参数建立的难度，同时保证参数优化的合理性，为工艺参数的优化调整提供便利。
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公开(公告)号：CN112018206A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202011013403.1
申请日：2020-09-24
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本发明属于光伏晶硅电池制造领域。一种N型晶硅电池结构，背面膜层结构自下而上为氮化硅层、氧化硅层、磷硅玻璃层、重掺杂层，其中磷硅玻璃层和重掺杂层通过磷扩散形成，氮化硅层和氧化硅层使用PECVD设备沉积。本发明还涉及N型晶硅电池结构制备工艺，磷硅玻璃层与重掺杂层重掺杂层的存在，使其在充当电子选择层的同时，有效降低背面的接触电阻，提高电池效，而外层的氧化硅，进一步对硅基体背表面进行化学钝化，降低少数载流子在表面的复合速率。
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公开(公告)号：CN111584667A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010519716.8
申请日：2020-06-09
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及N型晶硅TOPCon电池生产领域。一种新型N型晶硅TOPCon电池结构，背面膜层结构自下而上为SixNy/SiOx/SiOxNy，其中，中间SiOx为磷掺杂的膜层；其中，SiOxNy层的折射率为1.7-2.0，厚度为3-5nm，SiOx层折射率为1.5-1.7，厚度为50-100nm，SixNy层折射率为2.1-2.3，厚度为70-80nm。本发明还涉及该电池结构的制备工艺。本发明不仅与当前P型PERC电池制程工艺兼容性高，设备投入额小，而且解决了磷掺杂绕度的问题，制造过程产品良率高。
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