发明公开
- 专利标题： 一种新型P型晶硅TOPCon电池结构及其制备工艺
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申请号： CN202011015384.6申请日： 2020-09-24
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公开(公告)号： CN112071919A公开(公告)日： 2020-12-11
- 发明人: 杨飞飞 , 赵科巍 , 张云鹏 , 郭丽 , 李雪方 , 杜泽霖 , 李陈阳 , 梁玲
- 申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
- 申请人地址： 山西省长治市郊区漳泽新型工业园区
- 专利权人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
- 当前专利权人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
- 当前专利权人地址： 山西省长治市郊区漳泽新型工业园区
- 代理机构： 太原市科瑞达专利代理有限公司
- 代理商 李富元
- 主分类号： H01L31/0216
- IPC分类号： H01L31/0216 ; H01L31/068 ; H01L31/18
摘要：
本发明涉及太阳能电池生产领域。一种新型P型晶硅TOPCon电池结构，该P型晶硅TOPCon电池背面自下而上为氮化硅层SixNy、硼掺杂氧化硅层SiOx(B)、二氧化硅层（SiO2）。本发明还涉及该新型P型晶硅TOPCon电池结构的制备工艺。本发明不仅与当前P型PERC电池制程工艺兼容性高，设备投入额小，而且解决了硼掺杂绕度的问题，制造过程产品良率高达98%以上。
IPC分类:
