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公开(公告)号：CN113192857B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202110422772.4
申请日：2021-04-20
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明涉及太阳能电池生产领域。一种判断晶硅太阳能电池片失效的方法，该晶硅太阳能电池片采用SE+PERC生产，如果能全部满足以下条件说明该该晶硅太阳能电池片为良好电池片，否则该晶硅太阳能电池片为失效的电池片，条件一、电池片外观不存在明显清晰SE细栅线；条件二、将电池片放置在二次元显微镜镜头下，选取光源亮度30%，倍镜选取96X，观察栅线以外的区域不存在明显的亮点、亮斑；条件三、将镀膜后蓝膜片放置在二次元显微镜镜头下，选取光源亮度50%，倍镜选取96X，观察栅线光斑是饱满的不存在缺角的。
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公开(公告)号：CN115312622A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210916731.5
申请日：2022-08-01
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/02 , H01L21/223 , H01L31/0216 , C30B33/00
摘要： 本发明涉及太阳能电池生产领域。一种太阳能电池生产工艺，硅锭被切割成硅片后，经过预清洗后烘干；在硅片表面形成一层保护膜；采用碱液对硅片表面进行抛光；在硅片表面制绒；进行扩散工艺制备PN结；对硅片表面抛光，去磷硅玻璃；使用氧气对硅片表面进行钝化；采用PECVD设备镀膜；丝网印刷。本发明在减重最少情况下实现了对硅片表面的抛光。本发明可以形成较深的P‑N结，最终形成效率高的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN113283053B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202110414857.8
申请日：2021-04-17
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
IPC分类号： G06F30/20 , C23C16/52 , C23C16/50 , G06F111/10 , G06F113/08
摘要： 本发明涉及太阳能电池生产领域。一种晶硅电池pecvd镀膜工艺参数建立的方法，包括设备初始参数建立方法和设备工艺参数优化方法，设备初始参数建立方法，工艺气体总流量初始值的确定，工艺腔体压力初始值的确定，工艺气体沉积功率初始值的确定；设备工艺参数优化方法，工艺腔体气体总流量优化值的确定，工艺腔体压力优化值的确定。本发明可有效降低新设备工艺参数建立的难度，同时保证参数优化的合理性，为工艺参数的优化调整提供便利。
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公开(公告)号：CN114765234A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202210286211.0
申请日：2022-03-23
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
摘要： 本发明涉及P型晶硅双面太阳能电池背钝化领域。一种P型晶硅双面电池退火增强背钝化方法，按如下步骤进行步骤一、第一次SiON膜层沉积+第一次退火，步骤二、第二次SiON膜层沉积+第二次退火，步骤三、第二次SiON膜层沉积+第三次退火，步骤四、SiN膜层沉积构，SiN膜层采用三层沉积，步骤五、第四次退火。本发明将SiON膜层进行合理的拆分，并与退火工艺拼接，可减少SiON膜层过厚时内部缺陷。
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公开(公告)号：CN112382696B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202011100277.3
申请日：2020-10-15
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068 , H01L31/0216 , C23C16/30 , C23C16/515 , C23C16/52 , C23C16/56
摘要： 本发明涉及太阳能电池生产领域，特别涉及双面太阳能电池生产领域。一种新型晶硅SiON双面电池背钝化工艺，在背面晶硅基体上直接制备氮氧化硅层，然后在进行退火，最后再制备氮化硅层；氮氧化硅层为单层膜，采用PECVD的方式沉积，工艺参数为，压力1500‑2000mTorr，温度450‑500℃，功率为8500‑12000W,脉冲开关比为1:10至1:16，所通SiH4/NH3/N2O=1.65/1/4至2.5/1/5,且三种气体SiH4、NH3、N2O总流量需大于7000sccm，时间40‑60s。本发明不仅有效降低了双面电池的背面钝化制造成本，同时创造性的解决钝化SiON膜层变薄后钝化效果变差的问题。
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公开(公告)号：CN112510112B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202011218485.3
申请日：2020-11-04
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/225
摘要： 本发明涉及太阳能电池生产领域。一种高致密性氧化层的扩散工艺方法，按如下的步骤进行前氧化、第一步沉积、第一步推进、第二步沉积、第二步推进、第三步沉积、第三步推进、后氧化。通过前氧化及多次分布式沉积推进，有效改善PN结深，降低死层，减少复合；通过后氧化，使用低温，高浓度进行沉积，即增加了氧化层厚度，又不会使磷源近一步的扩散进电池片，减少了扩散半成品控制难度。
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公开(公告)号：CN111063763B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201911221900.8
申请日：2019-12-03
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L21/66 , H01L21/677 , H01L21/683
摘要： 本发明涉及光伏太阳能硅片检测湿法制绒领域，一种提高光伏湿法制绒设备产能方法，对JJC‑SC‑CSZ600E‑15F光伏湿法制绒设备进行改进，降低机械手对硅片的感应时间，提高机械手的抓片频率，提高导轨传送速率，增大TTV上探头与硅片之间的距离，在开始检测点与结束点过滤掉40ms的检测时间，同时减少检测数据点，传感器感应到硅片后，导轨停顿360ms，相机的破片感应时间由原来的200ms降低为现在的100ms，改进六、对机械手的真空吸盘的改造，由原来的橡胶垫片，更换为同样形状的塑料垫片。发明的有益效果是：产能提升10%以上。
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公开(公告)号：CN113283053A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110414857.8
申请日：2021-04-17
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
IPC分类号： G06F30/20 , C23C16/52 , C23C16/50 , G06F111/10 , G06F113/08
摘要： 本发明涉及太阳能电池生产领域。一种晶硅电池pecvd镀膜工艺参数建立的方法，包括设备初始参数建立方法和设备工艺参数优化方法，设备初始参数建立方法，工艺气体总流量初始值的确定，工艺腔体压力初始值的确定，工艺气体沉积功率初始值的确定；设备工艺参数优化方法，工艺腔体气体总流量优化值的确定，工艺腔体压力优化值的确定。本发明可有效降低新设备工艺参数建立的难度，同时保证参数优化的合理性，为工艺参数的优化调整提供便利。
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公开(公告)号：CN113257954A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110422738.7
申请日：2021-04-20
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068
摘要： 本发明涉及太阳能电池生产领域。种解决碱抛SE‑PERC电池EL不良的方法，扩散过程按如下步骤进行，入舟排空，制绒后的硅片放入石英舟，然后将石英舟放入扩散炉中，通入氮气排除空气；前氧化，前氧化分两步，分别通入不同浓度的氮气和氧气，第一步在硅片表面形成深而疏的氧化层，第二步在第一步的基础上形成密而薄的氧化层；多步扩散和推进；后氧化，后氧化分三步，第一步采用恒温氧化，第二步采用恒温补源氧化，第三步采用低温氧化；出管，测试。
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公开(公告)号：CN112510112A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011218485.3
申请日：2020-11-04
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/225
摘要： 本发明涉及太阳能电池生产领域。一种高致密性氧化层的扩散工艺方法，按如下的步骤进行前氧化、第一步沉积、第一步推进、第二步沉积、第二步推进、第三步沉积、第三步推进、后氧化。通过前氧化及多次分布式沉积推进，有效改善PN结深，降低死层，减少复合；通过后氧化，使用低温，高浓度进行沉积，即增加了氧化层厚度，又不会使磷源近一步的扩散进电池片，减少了扩散半成品控制难度。
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