公开(公告)号：CN113257954A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN202110422738.7

申请日：2021-04-20

申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司

发明人： 张志强 ,  王斌 ,  戴大洲 ,  赵晨 ,  蒋万昌

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/068

摘要： 本发明涉及太阳能电池生产领域。种解决碱抛SE‑PERC电池EL不良的方法，扩散过程按如下步骤进行，入舟排空，制绒后的硅片放入石英舟，然后将石英舟放入扩散炉中，通入氮气排除空气；前氧化，前氧化分两步，分别通入不同浓度的氮气和氧气，第一步在硅片表面形成深而疏的氧化层，第二步在第一步的基础上形成密而薄的氧化层；多步扩散和推进；后氧化，后氧化分三步，第一步采用恒温氧化，第二步采用恒温补源氧化，第三步采用低温氧化；出管，测试。

公开(公告)号：CN112382698A

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN202011187845.8

申请日：2020-10-30

申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司

发明人： 王斌 ,  戴大洲 ,  赵晨 ,  蒋万昌

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  C23C16/50 ,  C23C16/02 ,  C23C16/40 ,  C23C16/30 ,  C23C16/34

摘要： 本发明涉及太阳能电池生产领域。适用于碱抛工艺单晶PERC‑SE双面电池制作方法，顺序按照清洗制绒、扩散制结、激光掺杂、PSG+碱抛、二氧化硅层制备、背钝化膜制备、正面氮化硅层制备、背面激光开槽、正背面电极制备的工艺步骤制备，二氧化硅层制备时，采用热氧化方法在硅片正、背面沉积一层二氧化硅薄膜，其中，热氧化温度：300‑900℃，氧气流量：100‑10000sccm，时间：2‑50min。采用碱抛SE工艺，SE实现降低硅片和电极之间的接触电阻，又降低了表面的复合，提高了少子寿命，使得短路电流、开路电压和填充因子都能得到较好的改善，从而提高转换效率。

公开(公告)号：CN113257954B

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202110422738.7

申请日：2021-04-20

申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司

发明人： 张志强 ,  王斌 ,  戴大洲 ,  赵晨 ,  蒋万昌

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/068

摘要： 本发明涉及太阳能电池生产领域。种解决碱抛SE‑PERC电池EL不良的方法，扩散过程按如下步骤进行，入舟排空，制绒后的硅片放入石英舟，然后将石英舟放入扩散炉中，通入氮气排除空气；前氧化，前氧化分两步，分别通入不同浓度的氮气和氧气，第一步在硅片表面形成深而疏的氧化层，第二步在第一步的基础上形成密而薄的氧化层；多步扩散和推进；后氧化，后氧化分三步，第一步采用恒温氧化，第二步采用恒温补源氧化，第三步采用低温氧化；出管，测试。

公开(公告)号：CN113097346A

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN202110424217.5

申请日：2021-04-20

申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司

发明人： 王斌 ,  戴大洲 ,  赵晨 ,  蒋万昌

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/068

摘要： 本发明涉及太阳能电池生产领域。一种适用于硅电池背面叠层膜钝化结构，按照包括制绒、扩散、正面重掺杂、臭氧化、背面去PSG、碱抛光、正面氧化、正面沉积氮化硅膜、背面沉积氮氧化硅/氮化硅叠层钝化膜、背面激光开孔、电极印刷、高温烧结、电注入的工艺步骤进行，背面沉积氮氧化硅/氮化硅叠层钝化膜是指首先制备多层的氮氧化硅层，然后制备多层的氮化硅层，最后再制备一层氮氧化硅层和一层氮化硅。本发明通过在电池的背面沉积氮氧化硅/氮化硅叠层钝化膜，有效的提高了氢钝化，太阳能电池的光电转换效率得到了进一步提升，同时设备不需大规模改进。