本发明涉及太阳能电池生产领域。适用于碱抛工艺单晶PERC‑SE双面电池制作方法，顺序按照清洗制绒、扩散制结、激光掺杂、PSG+碱抛、二氧化硅层制备、背钝化膜制备、正面氮化硅层制备、背面激光开槽、正背面电极制备的工艺步骤制备，二氧化硅层制备时，采用热氧化方法在硅片正、背面沉积一层二氧化硅薄膜，其中，热氧化温度：300‑900℃，氧气流量：100‑10000sccm，时间：2‑50min。采用碱抛SE工艺，SE实现降低硅片和电极之间的接触电阻，又降低了表面的复合，提高了少子寿命，使得短路电流、开路电压和填充因子都能得到较好的改善，从而提高转换效率。