-
公开(公告)号：CN101136208A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200710140241.6
申请日：2007-08-06
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/31
CPC classification number: G11B5/3109 , G11B5/1278 , G11B5/147 , G11B5/1872 , G11B5/3116
Abstract: 本发明提供了磁头和信息存储装置。该磁头包括：磁极，其被放置成与记录介质的表面相对，并且在沿着所述表面的方向上相对于所述表面移动，该磁极产生与所述记录介质的所述表面相交的磁力线；和线圈，其对所述磁极励磁。所述磁极具有在沿着相对于所述记录介质的所述表面移动的方向上彼此堆叠的多个层，并且所述多个层包括：最前层，其位于所述移动的最前方位置并且包含第一磁性材料；和最后层，其位于所述移动的最后方位置并且包含第二磁性材料，所述第二磁性材料的饱和磁通量密度高于所述第一磁性材料的饱和磁通量密度并且所述第二磁性材料的矫顽磁力大于所述第一磁性材料的矫顽磁力。
-
-
公开(公告)号：CN1707614A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200410098212.4
申请日：2004-11-30
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01F10/16 , B82Y25/00 , H01F10/3231 , H01F41/183 , Y10T428/115 , Y10T428/1171
Abstract: 本发明提供了一种能够被实际应用的磁性装置的磁性膜，该磁性膜具有大于2.45T的饱和磁化强度。该磁性膜是一种由铁、钴和钯组成的合金膜。钯的摩尔含量为1－7％，而且该合金膜通过溅射法形成。本发明还提供了另一种磁性膜，该磁性膜含有交替层叠的铁磁性膜以及钯膜或含有钯的合金膜。该钯膜或含有钯的合金膜的厚度为0.05－0.28nm，而且所述层叠的膜通过溅射法或蒸镀法形成。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101312044A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200810099947.7
申请日：2008-05-22
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 本发明涉及磁头和信息存储设备。本发明的磁头包含：磁极，所述磁极面向记录介质的表面，按照沿所述表面的方向相对于所述表面移动，并产生与所述记录介质的表面相交的磁力线；和对所述磁极进行励磁的线圈，其中，所述磁极包含具有800A/m以下的矫顽力的层积体，所述层积体包含按照沿相对于所述记录介质的表面的移动的方向堆叠的两层或更多层，所述两层或更多层包含位于所述移动的最前方位置的第一磁性层和位于所述移动的最后方位置的第二磁性层，所述第二磁性层的饱和磁通密度高于所述第一磁性层的饱和磁通密度。
-
公开(公告)号：CN100394477C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200510097112.4
申请日：2005-12-30
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/313 , H01F10/16 , H01F10/3231
Abstract: 本发明提供一种具有大于或等于2.46特斯拉的高饱和磁化强度的磁性材料。通过在记录头中使用这种磁性材料，可以在记录介质上以更高的密度来记录信息。该磁性材料还可以应用于各种固态器件。一种用于磁性器件的磁性膜由交替层叠铁磁性膜和钯膜或者含钯合金膜的多层膜构成。层叠的钯膜或者含钯合金膜的主要晶体结构是体心立方结构，而且所述多层膜通过干法工艺来形成。
-
公开(公告)号：CN100431006C
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200410098212.4
申请日：2004-11-30
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01F10/16 , B82Y25/00 , H01F10/3231 , H01F41/183 , Y10T428/115 , Y10T428/1171
Abstract: 本发明提供了一种能够被实际应用的磁性装置的磁性膜，该磁性膜具有大于2.45T的饱和磁化强度。该磁性膜是一种由铁、钴和钯组成的合金膜。钯的摩尔含量为1-7%，而且该合金膜通过溅射法形成。本发明还提供了另一种磁性膜，该磁性膜含有交替层叠的铁磁性膜以及钯膜或含有钯的合金膜。该钯膜或含有钯的合金膜的厚度为0.05-0.28nm，而且所述层叠的膜通过溅射法或蒸镀法形成。
-
公开(公告)号：CN101038812A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200610136670.1
申请日：2006-11-09
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/3163 , C25D5/022 , C25D5/54 , G11B5/1871 , G11B5/3116 , Y10T29/49021
Abstract: 本发明提供一种磁头制造方法及磁头。该磁头制造方法能够稳定形成写入头的磁极的经镀覆的磁膜的淀积速度。在该方法所制造的磁头中，写入头的磁极由磁膜制成，该磁头制造方法包括如下步骤：在工件的表面上形成由Ru制成的种子层；在该种子层的表面上形成盖层，以便稳定该磁膜的淀积速度；以及，通过电镀形成磁膜，并将该种子层和该盖层用作用于进行所述电镀的馈电层。
-
公开(公告)号：CN1913000A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200510097112.4
申请日：2005-12-30
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/313 , H01F10/16 , H01F10/3231
Abstract: 本发明提供一种具有大于或等于2.46特斯拉的高饱和磁化强度的磁性材料。通过在记录头中使用这种磁性材料，可以在记录介质上以更高的密度来记录信息。该磁性材料还可以应用于各种固态器件。一种用于磁性器件的磁性膜由交替层叠铁磁性膜和钯膜或者含钯合金膜的多层膜构成。层叠的钯膜或者含钯合金膜的主要晶体结构是体心立方结构，而且所述多层膜通过干法工艺来形成。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.031 seconds)
