公开(公告)号：CN101221769A

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200710192703.9

申请日：2007-11-16

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 青木知佳 ,  桥本淳一 ,  小田切充 ,  秋元秀行

IPC: G11B5/31 ,  G11B5/39

CPC classification number: C25D5/10 ,  G11B5/112 ,  G11B5/3106 ,  G11B5/3967 ,  G11B5/40 ,  Y10T428/1121

Abstract: 本发明提供一种磁头及其制造方法。在该磁头中，读取头的下屏蔽层和上屏蔽层以及写入头的下磁极电连接到基板，以便防止静电对MR元件造成损坏，并且不会不利地影响读取头的读取特性。该磁头包括：读取头，该读取头具有下屏蔽层和上屏蔽层，它们通过分流电阻电连接到基板；和写入头，该写入头具有下磁极，该下磁极通过所述分流电阻电连接到所述基板，其中所述下屏蔽层和所述上屏蔽层通过一导电层电连接到所述基板，并且所述下磁极通过一导电层电连接到所述基板，该导电层形成为该下磁极的基层。

公开(公告)号：CN1257292A

公开(公告)日：2000-06-21

申请号：CN99126710.9

申请日：1999-12-14

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小田切充 ,  竹房早奈江 ,  三宅裕子

IPC: H01F10/14 ,  H01F1/147 ,  G11B5/31

CPC classification number: G11B5/3967 ,  G11B5/3109 ,  G11B5/3113 ,  H01F1/14708 ,  H01F10/14 ,  Y10S428/90 ,  Y10T428/11 ,  Y10T428/24942

Abstract: 本发明涉及一种由NiFeMo构成的磁头,它具有优异的高频特性,无需任何热处理易于形成磁畴结构,因此,提高了磁记录能力。磁性材料由Ni、Fe和Mo构成,其特征在于,按照这样的条件选择NiFeMo的成分比,即按原子%值计,Ni为77—82%,Fe为15—21%,Mo为6%以下,以及磁应变常数λs范围为－1×10-6≤λs≤1×10-6。

公开(公告)号：CN1147884C

公开(公告)日：2004-04-28

申请号：CN99126710.9

申请日：1999-12-14

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小田切充 ,  竹房早奈江 ,  三宅裕子

IPC: H01F10/14 ,  H01F1/147 ,  G11B5/31

CPC classification number: G11B5/3967 ,  G11B5/3109 ,  G11B5/3113 ,  H01F1/14708 ,  H01F10/14 ,  Y10S428/90 ,  Y10T428/11 ,  Y10T428/24942

Abstract: 本发明涉及一种由NiFeMo构成的磁头，它具有优异的高频特性，无需任何热处理易于形成磁畴结构，因此，提高了磁记录能力。磁性材料由Ni、Fe和Mo构成，其特征在于，按照这样的条件选择NiFeMo的成分比，即按原子%值计，Ni为77-82%，Fe为15-21%，Mo为6%以下，以及磁应变常数λs范围为-1×10-6≤λs≤1×10-6。

公开(公告)号：CN101312044A

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200810099947.7

申请日：2008-05-22

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 三宅裕子 ,  松冈正昭 ,  小田切充

IPC: G11B5/31 ,  G11B5/127

Abstract: 本发明涉及磁头和信息存储设备。本发明的磁头包含：磁极，所述磁极面向记录介质的表面，按照沿所述表面的方向相对于所述表面移动，并产生与所述记录介质的表面相交的磁力线；和对所述磁极进行励磁的线圈，其中，所述磁极包含具有800A/m以下的矫顽力的层积体，所述层积体包含按照沿相对于所述记录介质的表面的移动的方向堆叠的两层或更多层，所述两层或更多层包含位于所述移动的最前方位置的第一磁性层和位于所述移动的最后方位置的第二磁性层，所述第二磁性层的饱和磁通密度高于所述第一磁性层的饱和磁通密度。

公开(公告)号：CN101154388A

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200710105543.X

申请日：2007-05-25

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 平野浩二 ,  小田切充

IPC: G11B5/39 ,  H01L43/08

CPC classification number: G11B5/3909 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3906 ,  G11C11/16 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3272 ,  H01F41/307 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  Y10T428/1107

Abstract: 本发明涉及磁阻效应元件及其制造方法。所述磁阻效应元件包含：磁化固定层；形成在所述磁化固定层上的阻挡层；和形成在所述阻挡层上的自由层。所述磁阻效应元件的制造方法包括以下步骤：在基板上形成所述磁化固定层；形成金属膜作为所述阻挡层，其中，所述磁化固定层侧的金属膜的一部分处于无定形状态或微晶态，而在另一侧的其另一部分处于晶态；在氧化性气氛中自然氧化所述金属膜；在所述被氧化的金属层上形成所述自由层。