公开(公告)号：CN101154388A

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200710105543.X

申请日：2007-05-25

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 平野浩二 ,  小田切充

IPC: G11B5/39 ,  H01L43/08

CPC classification number: G11B5/3909 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3906 ,  G11C11/16 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3272 ,  H01F41/307 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  Y10T428/1107

Abstract: 本发明涉及磁阻效应元件及其制造方法。所述磁阻效应元件包含：磁化固定层；形成在所述磁化固定层上的阻挡层；和形成在所述阻挡层上的自由层。所述磁阻效应元件的制造方法包括以下步骤：在基板上形成所述磁化固定层；形成金属膜作为所述阻挡层，其中，所述磁化固定层侧的金属膜的一部分处于无定形状态或微晶态，而在另一侧的其另一部分处于晶态；在氧化性气氛中自然氧化所述金属膜；在所述被氧化的金属层上形成所述自由层。