-
公开(公告)号：CN101022011A
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200610087901.4
申请日：2006-06-06
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 三宅裕子
IPC: G11B5/31
CPC classification number: G11B5/3163 , G11B5/1278 , G11B5/3113 , G11B5/3967 , H01F10/14 , H01F10/16 , H01F41/26
Abstract: 一种软磁性薄膜，其具有高饱和磁通密度和良好的软磁特性，并且它适宜用做磁盘驱动装置的磁头的磁性膜。这种软磁性薄膜是通过电镀法由含有选自Fe、Co和Ni的两种或三种元素的合金制成的，并且镀膜的内应力为大于或等于400MPa。
-
公开(公告)号：CN1147884C
公开(公告)日：2004-04-28
申请号：CN99126710.9
申请日：1999-12-14
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/3967 , G11B5/3109 , G11B5/3113 , H01F1/14708 , H01F10/14 , Y10S428/90 , Y10T428/11 , Y10T428/24942
Abstract: 本发明涉及一种由NiFeMo构成的磁头，它具有优异的高频特性，无需任何热处理易于形成磁畴结构，因此，提高了磁记录能力。磁性材料由Ni、Fe和Mo构成，其特征在于，按照这样的条件选择NiFeMo的成分比，即按原子%值计，Ni为77-82%，Fe为15-21%，Mo为6%以下，以及磁应变常数λs范围为-1×10-6≤λs≤1×10-6。
-
公开(公告)号：CN101312044A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200810099947.7
申请日：2008-05-22
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 本发明涉及磁头和信息存储设备。本发明的磁头包含：磁极，所述磁极面向记录介质的表面，按照沿所述表面的方向相对于所述表面移动，并产生与所述记录介质的表面相交的磁力线；和对所述磁极进行励磁的线圈，其中，所述磁极包含具有800A/m以下的矫顽力的层积体，所述层积体包含按照沿相对于所述记录介质的表面的移动的方向堆叠的两层或更多层，所述两层或更多层包含位于所述移动的最前方位置的第一磁性层和位于所述移动的最后方位置的第二磁性层，所述第二磁性层的饱和磁通密度高于所述第一磁性层的饱和磁通密度。
-
公开(公告)号：CN100371989C
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200510083079.X
申请日：2005-07-08
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/3113 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/3146 , H01F10/16 , H01F41/26
Abstract: 具有高饱和磁通密度和优异的软磁性能的软磁性薄膜。本发明的软磁性薄膜通过电解电镀来形成。该电镀膜由组成表示为FexCo1-x(60重量%≤x≤75重量%)的FeCo形成，该FeCo膜具有bcc晶体结构，并且该FeCo膜的晶体沿(110)晶面取向。
-
公开(公告)号：CN101038812A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200610136670.1
申请日：2006-11-09
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/3163 , C25D5/022 , C25D5/54 , G11B5/1871 , G11B5/3116 , Y10T29/49021
Abstract: 本发明提供一种磁头制造方法及磁头。该磁头制造方法能够稳定形成写入头的磁极的经镀覆的磁膜的淀积速度。在该方法所制造的磁头中，写入头的磁极由磁膜制成，该磁头制造方法包括如下步骤：在工件的表面上形成由Ru制成的种子层；在该种子层的表面上形成盖层，以便稳定该磁膜的淀积速度；以及，通过电镀形成磁膜，并将该种子层和该盖层用作用于进行所述电镀的馈电层。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1838244A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200510083079.X
申请日：2005-07-08
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/3113 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/3146 , H01F10/16 , H01F41/26
Abstract: 具有高饱和磁通密度和优异的软磁性能的软磁性薄膜。本发明的软磁性薄膜通过电解电镀来形成。该电镀膜由组成表示为FexCo1－x(60重量％≤x≤75重量％)的FeCo形成，该FeCo膜具有bcc晶体结构，并且该FeCo膜的晶体沿(110)晶面取向。
-
公开(公告)号：CN1257292A
公开(公告)日：2000-06-21
申请号：CN99126710.9
申请日：1999-12-14
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/3967 , G11B5/3109 , G11B5/3113 , H01F1/14708 , H01F10/14 , Y10S428/90 , Y10T428/11 , Y10T428/24942
Abstract: 本发明涉及一种由NiFeMo构成的磁头,它具有优异的高频特性,无需任何热处理易于形成磁畴结构,因此,提高了磁记录能力。磁性材料由Ni、Fe和Mo构成,其特征在于,按照这样的条件选择NiFeMo的成分比,即按原子%值计,Ni为77—82%,Fe为15—21%,Mo为6%以下,以及磁应变常数λs范围为－1×10-6≤λs≤1×10-6。
-
公开(公告)号：CN100429698C
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200510051143.6
申请日：2005-02-28
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: C25D3/562 , G11B5/232 , G11B5/235 , G11B5/3163
Abstract: 本发明的方法可以容易而安全地形成NiP非磁性膜。在通过电解电镀形成NiP非磁性膜的方法中，电解电镀在由以下组分构成的NiP电镀溶液中进行：提供镍离子的试剂；提供磷离子的试剂；和包含羧基的试剂。例如，镍的硫酸盐和氯盐等可以用作提供镍离子的试剂；磷酸、亚磷酸钠等可以用作提供磷离子的试剂。
-
公开(公告)号：CN101136208A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200710140241.6
申请日：2007-08-06
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/31
CPC classification number: G11B5/3109 , G11B5/1278 , G11B5/147 , G11B5/1872 , G11B5/3116
Abstract: 本发明提供了磁头和信息存储装置。该磁头包括：磁极，其被放置成与记录介质的表面相对，并且在沿着所述表面的方向上相对于所述表面移动，该磁极产生与所述记录介质的所述表面相交的磁力线；和线圈，其对所述磁极励磁。所述磁极具有在沿着相对于所述记录介质的所述表面移动的方向上彼此堆叠的多个层，并且所述多个层包括：最前层，其位于所述移动的最前方位置并且包含第一磁性材料；和最后层，其位于所述移动的最后方位置并且包含第二磁性材料，所述第二磁性材料的饱和磁通量密度高于所述第一磁性材料的饱和磁通量密度并且所述第二磁性材料的矫顽磁力大于所述第一磁性材料的矫顽磁力。
-
公开(公告)号：CN1866358A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200510102517.2
申请日：2005-09-08
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 三宅裕子
IPC: G11B5/31
CPC classification number: C25D5/022 , G11B5/1278 , G11B5/3116 , G11B5/3163
Abstract: 形成电镀图案的方法和制造薄膜磁头的方法。该形成电镀图案的方法能够确保进行了亲水性处理的抗蚀剂图案变窄和微型化，而不使该抗蚀剂图案变宽和变形。该方法包括以下步骤：使用抗蚀剂覆盖电镀晶种层的表面；对该抗蚀剂进行曝光和显影，以形成具有凹入部分的抗蚀剂图案；对该抗蚀剂图案进行亲水性处理；通过电镀在该抗蚀剂图案的凹入部分中淀积金属；去除该抗蚀剂图案；以及去除该电镀晶种层的暴露部分。该电镀晶种层是由金属制成的挥发性金属层，该挥发性金属层在该亲水性处理过程中被氧化，并且构成该挥发性金属层的金属的氧化物具有挥发性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.019 seconds)
