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公开(公告)号：CN103681834A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310356243.4
申请日：2013-08-15
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/10 , H01L21/335 , H02M5/458 , H03F3/189
CPC classification number: H01L29/778 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/045 , H01L29/2003 , H01L29/66431 , H01L29/66462 , H01L29/7786
Abstract: 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。化合物半导体器件包括：由化合物半导体形成的电子渡越层；以及形成为覆盖电子渡越层的电极，其中在电子渡越层和电极之间插入有绝缘膜，其中电子渡越层的在电极下方的部分形成为使得具有第一极性面的第一化合物半导体和具有第二极性面的第二化合物半导体交替布置，并且在第一极性面中的极化电荷与在第二极性面中的极化电荷具有相反的极性。
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公开(公告)号：CN103681834B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310356243.4
申请日：2013-08-15
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/10 , H01L21/335 , H02M5/458 , H03F3/189
CPC classification number: H01L29/778 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/045 , H01L29/2003 , H01L29/66431 , H01L29/66462 , H01L29/7786
Abstract: 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。化合物半导体器件包括：由化合物半导体形成的电子渡越层；以及形成为覆盖电子渡越层的电极，其中在电子渡越层和电极之间插入有绝缘膜，其中电子渡越层的在电极下方的部分形成为使得具有第一极性面的第一化合物半导体和具有第二极性面的第二化合物半导体交替布置，并且在第一极性面中的极化电荷与在第二极性面中的极化电荷具有相反的极性。
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公开(公告)号：CN103515429B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310180255.6
申请日：2013-05-15
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 朱雷
IPC: H01L29/778 , H01L29/10 , H01L21/335 , H02M3/335
CPC classification number: H01L29/66431 , H01L29/1075 , H01L29/1079 , H01L29/2003 , H01L29/4232 , H01L29/66462 , H01L29/778 , H01L29/7787 , H01L29/7789 , H02M3/335 , H02M3/33507 , H03F1/3241 , H03F3/1935 , H03F3/195 , H03F3/24
Abstract: 本公开提供了一种化合物半导体器件及其制造方法，功率供应电路和高频放大器，其中化合物半导体器件包括：化合物半导体区域，具有其中形成阶梯的表面；第一电极，形成为位于阶梯的上表面的上方，上表面为非极性面；以及第二电极，沿着阶梯的侧表面形成为在竖直方向上与第一电极间隔开，侧表面是极性面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103515429A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310180255.6
申请日：2013-05-15
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 朱雷
IPC: H01L29/778 , H01L29/10 , H01L21/335 , H02M3/335
CPC classification number: H01L29/66431 , H01L29/1075 , H01L29/1079 , H01L29/2003 , H01L29/4232 , H01L29/66462 , H01L29/778 , H01L29/7787 , H01L29/7789 , H02M3/335 , H02M3/33507 , H03F1/3241 , H03F3/1935 , H03F3/195 , H03F3/24
Abstract: 本发明提供了一种化合物半导体器件及其制造方法，功率供应电路和高频放大器，其中化合物半导体器件包括：化合物半导体区域，具有其中形成阶梯的表面；第一电极，形成为位于阶梯的上表面的上方，上表面为非极性面；以及第二电极，沿着阶梯的侧表面形成为在竖直方向上与第一电极间隔开，侧表面是极性面。
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公开(公告)号：CN104766882B
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201410820297.6
申请日：2014-12-24
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/06
Abstract: 一种半导体器件包括：形成在衬底之上并由氮化物半导体形成的第一半导体层；形成在第一半导体层之上并由氮化物半导体形成的第二半导体层；形成在第二半导体层之上并由氮化物半导体形成的第三半导体层；形成在第三半导体层之上的源电极和漏电极；形成在源电极与漏电极之间、在第二半导体层和第三半导体层中的开口；形成在开口的侧表面和底表面上的绝缘层；以及经由绝缘层形成在开口中的栅电极。
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公开(公告)号：CN103137777B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201210383495.1
申请日：2012-10-11
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L31/167 , G02B6/122
CPC classification number: G02B6/122 , G02B6/29352 , G02B2006/121 , G02F1/025 , H01L31/105
Abstract: 一种半导体光学器件包括：第一包覆层、第二包覆层以及夹设于第一包覆层与第二包覆层之间的光波导层；其中该光波导层包括：第一半导体层；第二半导体层，布置在第一半导体层上且沿一个方向延伸；以及第三半导体层，覆盖第二半导体层的顶表面；以及其中该第一半导体层包括：n型区域，布置在第二半导体层的一侧；p型区域，布置在第二半导体层的另一侧；以及i型区域，布置在n型区域与p型区域之间，以及其中第二半导体层的带隙比第一半导体层和第三半导体层的带隙窄。采用该半导体光学器件，可以减少半导体光学器件的功率消耗或缩短器件长度。
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公开(公告)号：CN104766882A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201410820297.6
申请日：2014-12-24
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/205 , H01L29/0878 , H01L29/1045 , H01L29/2003 , H01L29/4236 , H01L29/4983 , H01L29/517 , H01L29/66462 , H01L29/66704 , H01L29/7786 , H01L29/7825 , H01L29/778 , H01L29/06
Abstract: 一种半导体器件包括：形成在衬底之上并由氮化物半导体形成的第一半导体层；形成在第一半导体层之上并由氮化物半导体形成的第二半导体层；形成在第二半导体层之上并由氮化物半导体形成的第三半导体层；形成在第三半导体层之上的源电极和漏电极；形成在源电极与漏电极之间、在第二半导体层和第三半导体层中的开口；形成在开口的侧表面和底表面上的绝缘层；以及经由绝缘层形成在开口中的栅电极。
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公开(公告)号：CN103137777A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201210383495.1
申请日：2012-10-11
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L31/167 , G02B6/122
CPC classification number: G02B6/122 , G02B6/29352 , G02B2006/121 , G02F1/025 , H01L31/105
Abstract: 一种半导体光学器件包括：第一包覆层、第二包覆层以及夹设于第一包覆层与第二包覆层之间的光波导层；其中该光波导层包括：第一半导体层；第二半导体层，布置在第一半导体层上且沿一个方向延伸；以及第三半导体层，覆盖第二半导体层的顶表面；以及其中该第一半导体层包括：n型区域，布置在第二半导体层的一侧；p型区域，布置在第二半导体层的另一侧；以及i型区域，布置在n型区域与p型区域之间，以及其中第二半导体层的带隙比第一半导体层和第三半导体层的带隙窄。采用该半导体光学器件，可以减少半导体光学器件的功率消耗或缩短器件长度。
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