公开(公告)号：CN117460978A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202180099029.8

申请日：2021-06-10

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 石黒哲郎 ,  宫武哲也 ,  河口研一 ,  岩井俊树 ,  土肥義康 ,  佐藤信太郎

IPC: G02B6/12

Abstract: 光波导具有：金刚石层，其具有第一面及第二面，且包含复合缺陷；第一包层，其与所述第一面相接；第二包层，其与所述第二面相接，且具有极性；以及金属层，其与所述第二包层进行肖特基接触。

公开(公告)号：CN115461986A

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202080100224.3

申请日：2020-05-18

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 河口研一 ,  宫原昭一

IPC: H03B7/08 ,  G06G7/60 ,  G06N3/063

Abstract: 本发明提供一种振荡电路以及信息处理装置。实现电路规模的降低。振荡电路(1)具备二极管(D1、D2、D3)、电感器(L1、L2)以及电源部(V1)。二极管(D1、D2、D3)是具有负微分电阻的非线性无源元件。在振荡电路(1)中，具有第一负微分电阻的二极管(D1)和合成电感器(11)串联连接而形成振荡部(10)。合成电感器(11)包含电感器(L1)和电感器(L2)并串联连接电感器(L1、L2)。具有第二负微分电阻的二极管(D2)与电感器(L1)并联连接。具有第三负微分电阻的二极管(D3)与二极管(D1)串联连接并与合成电感器(11)并联连接。而且，从电感器(L1、L2)和二极管(D2)的共用连接点(Vout)输出突发脉冲。

公开(公告)号：CN116648778A

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202180088117.8

申请日：2021-01-07

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 高桥刚 ,  河口研一

IPC: H01L21/338

Abstract: 半导体装置包括基板、配置在基板上的栅电极、源电极及漏电极，以相对于基板的上表面垂直延伸的方式在基板的上表面2维排列的非导电性的多个纳米线、在多个纳米线的上端以与基板之间具有空隙的方式配置并由多个纳米线支撑的电极焊盘以及将电极焊盘与栅电极连接的引出电极。

公开(公告)号：CN116472612A

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202080107411.4

申请日：2020-12-24

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 大伴真名步 ,  河口研一

IPC: H01L29/06

Abstract: 一种量子比特电路，具有：具备第一边缘且沿第一方向延伸的第一马约拉纳载体；以及具备第二边缘且在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的第二马约拉纳载体，所述第一马约拉纳载体在所述第一边缘的俯视观察时与所述第二边缘重叠的部分包含能够存在马约拉纳粒子的第一区域，所述第二马约拉纳载体在所述第二边缘的俯视观察时与所述第一边缘重叠的部分包含能够存在马约拉纳粒子的第二区域，所述第一区域的马约拉纳粒子与所述第二区域的马约拉纳粒子能够交换。

公开(公告)号：CN115428166A

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202080099700.4

申请日：2020-04-15

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 河口研一 ,  高桥刚

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/329 ,  H01L29/88 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明提供半导体装置，具有：多个隧道二极管，分别具备第一导电型的第一半导体区域和设置在上述第一半导体区域上且具有纳米线的形状的第二导电型的第二半导体区域；绝缘膜，覆盖上述第二半导体区域的侧面；多个第一电极，分别与上述第一半导体区域连接；以及多个第二电极，分别与上述第二半导体区域连接，上述第二电极具有第一面，上述第一面隔着上述绝缘膜与上述第二半导体区域的侧面对置，在上述多个隧道二极管之间，上述第二半导体区域的直径不同。

公开(公告)号：CN103137777B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201210383495.1

申请日：2012-10-11

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 朱雷 ,  关口茂昭 ,  田中信介 ,  河口研一

IPC: H01L31/167 ,  G02B6/122

CPC classification number: G02B6/122 ,  G02B6/29352 ,  G02B2006/121 ,  G02F1/025 ,  H01L31/105

Abstract: 一种半导体光学器件包括：第一包覆层、第二包覆层以及夹设于第一包覆层与第二包覆层之间的光波导层；其中该光波导层包括：第一半导体层；第二半导体层，布置在第一半导体层上且沿一个方向延伸；以及第三半导体层，覆盖第二半导体层的顶表面；以及其中该第一半导体层包括：n型区域，布置在第二半导体层的一侧；p型区域，布置在第二半导体层的另一侧；以及i型区域，布置在n型区域与p型区域之间，以及其中第二半导体层的带隙比第一半导体层和第三半导体层的带隙窄。采用该半导体光学器件，可以减少半导体光学器件的功率消耗或缩短器件长度。

公开(公告)号：CN103137777A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210383495.1

申请日：2012-10-11

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 朱雷 ,  关口茂昭 ,  田中信介 ,  河口研一

IPC: H01L31/167 ,  G02B6/122

CPC classification number: G02B6/122 ,  G02B6/29352 ,  G02B2006/121 ,  G02F1/025 ,  H01L31/105

Abstract: 一种半导体光学器件包括：第一包覆层、第二包覆层以及夹设于第一包覆层与第二包覆层之间的光波导层；其中该光波导层包括：第一半导体层；第二半导体层，布置在第一半导体层上且沿一个方向延伸；以及第三半导体层，覆盖第二半导体层的顶表面；以及其中该第一半导体层包括：n型区域，布置在第二半导体层的一侧；p型区域，布置在第二半导体层的另一侧；以及i型区域，布置在n型区域与p型区域之间，以及其中第二半导体层的带隙比第一半导体层和第三半导体层的带隙窄。采用该半导体光学器件，可以减少半导体光学器件的功率消耗或缩短器件长度。