公开(公告)号：CN106788289A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611083940.7

申请日：2016-11-30

Applicant: 东南大学

Inventor： 范忱 ,  王志功

IPC: H03F3/193

CPC classification number: H03F3/1935

Abstract: 本发明公开了一种ROF激光器的预失真电路及方法，通过共栅放大器与增益倍增的结构实现激光器的预失真的功能。共栅放大器由第一NMOS晶体管Q1，第二NMOS晶体管Q2和第三NMOS晶体管Q3三只NMOS晶体管组成，其中第三NMOS晶体管Q3工作在饱和区，而第二NMOS晶体管Q2工作在亚阈值区，用来补偿晶体管第三NMOS晶体管Q3产生的非线性。第二NMOS晶体管Q2和第三NMOS晶体管Q3可以近似看成线性通路。第一MOS晶体管Q1同样工作在亚阈值区，通过推挽放大器的增益来控制第一NMOS晶体管Q1的三阶非线性的大小，第三NMOS晶体管Q3管作为整个预失真的非线性通路。整个预失真电路简单、面积小、功耗低、集成度高。

公开(公告)号：CN102035481A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010299067.1

申请日：2010-09-29

Applicant: 株式会社NTT都科摩

Inventor： 福田敦史 ,  冈崎浩司 ,  楢桥祥一

IPC: H03F3/20 ,  H03F1/02

CPC classification number: H03F1/306 ,  H03F3/1935 ,  H03F2200/111 ,  H03F2200/18 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/75

Abstract: 一种偏置电路，该偏置电路包括：偏置供给端子(800)；并联电容器(3)，一端连接到偏置供给端子(800)而另一端接地；并联电路(3L)，与并联电容器(3)并联连接，一端连接到偏置供给端子(800)。设为2≤N，并联电路(3L)包括直流电源连接端子(600)、在偏置供给端子(800)与直流电源连接端子(600)之间串联连接的N个并联电感器(21-2N)、N-1个串联谐振器(91-9N-1)，各串联谐振器包括一端连接到邻接的并联电感的连接部的谐振电容器(71-7N-1)、一端连接到谐振电容器(71-7N-1)的另一端而另一端接地的谐振电感器(81-8N-1)。

公开(公告)号：CN101116241A

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200580047829.6

申请日：2005-02-07

Applicant: 艾利森电话股份有限公司

Inventor： E·赫门多夫 ,  H·伯格 ,  K·加布里尔森

IPC: H03F3/72 ,  H03G1/00

CPC classification number: H03F3/72 ,  H03F3/19 ,  H03F3/1935 ,  H03F2200/225 ,  H03F2200/391 ,  H03F2200/75 ,  H03G1/0088

Abstract: 本发明涉及用于处理信号的电路，包括具有输入端和输出端的放大器(20)。电路还包括第一开关装置(S3，T3)和第二开关装置(S2，T2)。第一开关装置被安排在所述输入端与地之间，和第二开关装置被安排在所述输出端与地之间。开关装置被操作安排成把输入端和输出端连接到所述地，以使得所述放大器衰减所述信号。

公开(公告)号：CN1279692C

公开(公告)日：2006-10-11

申请号：CN99127094.0

申请日：1999-12-29

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 大川滋 ,  高桥清隆 ,  高屋敷巧

IPC: H03F3/19 ,  H03F1/32

CPC classification number: H03F3/1935 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种高频放大器和放大元件，其中高频放大器包括：一个放大装置，用于放大由组合多个独立调制的载波所产生的多载波信号，和一个滤波装置，与所述放大装置的输出端连接，其特征在于，所述滤波装置具有：一个拒斥频带，位于所述多载波信号所占有的频带范围之内；这样的转移特性使得把噪声的电平抑制在预定上限之下，所述噪声是以多载波信号之间的调制积，和频率等于频率轴上频率差Δf的调制积产生，作为所述载波之间的合成积；和一个通带，在其范围内包括所述频率差Δf。在应用本发明的电子器具、设备或系统中，能实现降低价格和尺寸，改善可靠性，及以较低费用更有效地实行维修和操作。

公开(公告)号：CN1116745C

公开(公告)日：2003-07-30

申请号：CN98123995.1

申请日：1998-11-11

Applicant: 摩托罗拉公司

Inventor： 达勒·格拉德·西文特 ,  克林特·霍沃德·纽茨尔

IPC: H04B3/46

CPC classification number: H03F3/1935 ,  H03F3/45076 ,  H03F2200/372 ,  H04B1/525

Abstract: 在一收发器中实现的旁信道泄漏功率监测器动态地测量由发送器功率放大器的非线性产生的相邻信道和相间信道泄漏功率。调节主本地振荡器，偏置压控振荡器和第二本地振荡器，以能够使用一用数字信号处理器或者一门阵列实现的测量计算器测量本信道功率，相邻信道功率，和相间信道功率。得到旁信道泄漏功率测量值后，可以在改变的工作条件下增加功率放大器的效率，而使其线性度保持在可接受的范围。

公开(公告)号：CN1422455A

公开(公告)日：2003-06-04

申请号：CN01807552.5

申请日：2001-03-30

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 松本秀俊 ,  田上知纪 ,  田中聪 ,  山下喜市

IPC: H03F3/213 ,  H03F1/02

CPC classification number: H03F1/56 ,  H03F1/0222 ,  H03F1/0261 ,  H03F1/0266 ,  H03F1/301 ,  H03F1/302 ,  H03F1/306 ,  H03F3/19 ,  H03F3/1935 ,  H03F2200/318 ,  H03F2200/453

Abstract: 在由多数放大器构成的功率放大器模块的每一级上设置模拟放大器工作的基准放大器，根据输入功率电平，对在该基准放大器核心的双极性晶体管基极上流过的电流进行检测、放大，作为上述放大器核心的晶体管的基极电流供给。

公开(公告)号：CN1084963C

公开(公告)日：2002-05-15

申请号：CN97193007.4

申请日：1997-03-11

Applicant: 新泻精密株式会社

Inventor： 中西努 ,  冈本明

IPC: H03F3/191

CPC classification number: H03G3/3036 ,  H03F3/1935

Abstract: 调谐放大器1由包含放大电路11和反馈电路12的振荡电路10、向该振荡电路10输入信号的输入电路14和控制振荡电路10的输出振幅的自动增益控制(AGC)电路16构成。在使振荡电路10振荡的状态下，通过输入电路14输入信号，便可进行只使该振荡频率附近的信号通过的调谐工作。

公开(公告)号：CN1226107A

公开(公告)日：1999-08-18

申请号：CN98123995.1

申请日：1998-11-11

Applicant: 摩托罗拉公司

Inventor： 达勒·格拉德·西文特 ,  克林特·霍沃德·纽茨尔

IPC: H04B3/46

CPC classification number: H03F3/1935 ,  H03F3/45076 ,  H03F2200/372 ,  H04B1/525

Abstract: 在一收发器中实现的旁信道泄漏功率监测器动态地测量由发送器功率放大器的非线性产生的相邻信道和相间信道泄漏功率。调节主本地振荡器,偏置压控振荡器和第二本地振荡器,以能够使用一用数字信号处理器或者一门阵列实现的测量计算器测量本信道功率,相邻信道功率,和相间信道功率。得到旁信道泄漏功率测量值后,可以在改变的工作条件下增加功率放大器的效率,而使其线性度保持在可接受的范围。

公开(公告)号：CN1152977A

公开(公告)日：1997-06-25

申请号：CN95193834.7

申请日：1995-05-09

Applicant: 池田毅

Inventor： 池田毅 ,  大江忠孝

IPC: H03F3/191

CPC classification number: H03F3/1935 ,  H03F2200/408

Abstract: 目的在于得到一种易于集成的、调谐频率和最大衰减量互不干涉的、可任意调整的调谐放大器，包括：由把通过输入阻抗输入的交流信号转换成同相和反相的交流信号并输出的转换装置(F1)和把所转换的两个交流信号通过第一阻抗元件C和第一电阻R进行合成并移相的装置构成的第一移相电路1C；由把该第一移相电路1C移相的交流信号转换成同相和反相的交流信号并输出的转换装置(F2)和把所转换的两个交流信号通过第二阻抗元件C和第二电阻R进行合成并移相的装置构成的、在与上述第一移相电路1C相同方向上移相的第二移相电路2C；使该第二移相电路的输出反相并输出的反相电路3；和把该反相电路3的输出通过反馈电阻R0反馈到第一移相电路1C的转换装置的输入5的电路。

公开(公告)号：CN1148289A

公开(公告)日：1997-04-23

申请号：CN96111233.6

申请日：1996-08-28

Applicant: 松下电子工业株式会社

Inventor： 古川秀利 ,  上田大助

IPC: H03F3/20

CPC classification number: H03F3/1935 ,  H01L29/045 ,  H01L29/42316 ,  H03F1/306

Abstract: 一种功率放大电路、在半绝缘性GaAs基片的(100)结晶平面上制成备有n型活性层、源电极、漏电极及栅电极的FET，并用钝化膜保护该FET。并且，为了使该FET的阈值电压的温度系数实际上与由电源施加在栅电极上的栅偏压的温度系数相等，将上述栅电极的长轴方向与上述化合物半导体基片的＜0-1-1＞方向所构成的角度θ根据n型活性层的杂质浓度设定为从0°到90°之间的某个角度。