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公开(公告)号：CN1815479B
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN200510124349.7
申请日：2005-11-25
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5018 , G06F2217/16 , H05K1/0201 , H05K1/0271 , H05K1/0298 , H05K3/0005 , H05K3/4626 , H05K2203/162
Abstract: 提供了一种采用有限元法的结构分析方法，其在不降低预测精度的情况下节省了分析时间。该结构分析方法包括以下步骤：将分析对象分割为多个有限元素；定义将分析对象分割成大于所述有限元素的单位的多个网格，并且对于各网格，计算多个材料中的一个材料占所述网格中包含的所述有限元素的比例；指定其中计算出的所述一个材料的比例超过预定阈值的网格，并且通过用指定非所述一个材料的材料的材料信息来替代所指定网格中包含的有限元素的材料的材料信息来生成网格数据；以及基于所生成的网格数据计算分析对象中产生的物理量。
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公开(公告)号：CN101240412B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200810001868.8
申请日：2008-01-17
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: C23C14/35 , G06F17/50 , H01J37/3408 , H01J37/3452 , H01J37/3455
Abstract: 本发明公开了一种磁控溅射设备的设计支持方法、系统和程序。读取静态磁场结构数据，在任意位置指定与溅射靶表面平行并且在其中产生等离子体的截面，并且计算穿过垂直于所指定截面中的平面的磁场为0的区域的中心的首尾相连形状的侵蚀中心线环。基于侵蚀中心线环的侵蚀率来计算在所指定的静态磁场结构数据的截面中的静态侵蚀率分布，计算随着磁体的旋转引起的旋转侵蚀率分布，并且通过使用旋转侵蚀率分布计算对象材料上的膜形成率分布。
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公开(公告)号：CN100410951C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200510006726.7
申请日：2005-01-31
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5036
Abstract: 本发明涉及用于S参数计算的设备和方法。根据本发明，S参数文件输入部输入针对构成经受传输分析的系统的每个器件的S参数，端口位置对应关系转换部转换所输入的S参数，以使其与待连接的预设端口位置相对应，S参数/T参数转换部把S参数转换为T参数，连接计算部执行T参数的连接计算以获得整个系统的T参数，T参数/S参数转换部把整个系统的T参数转换为整个系统的S参数，而S参数文件输出部输出整个系统的S参数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102667867A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080058754.2
申请日：2010-12-22
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G06T17/10
CPC classification number: G06F17/30657 , G06T9/00
Abstract: 一种改进的计算机实施的几何特征检测方法，该方法包括获取包括对象的几何模型的数据文件；获取包括不适合于分析的几何特征的定义的不适合特征文件；自动检测对象中包括的定义的不适合几何特征；以及可选地修改不适合几何特征以产生用于分析目的的修改后的模型。
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公开(公告)号：CN101471076A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200810149798.0
申请日：2008-09-27
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: G11B5/3967 , G11B5/11 , G11B5/3143 , G11B5/3912 , G11B5/40
Abstract: 本发明提供头滑块和磁存储装置。下遮蔽层和上遮蔽层之间设有磁阻元件。磁阻元件经由下遮蔽层和上遮蔽层件接收电流。在滑块体和下遮蔽层之间的绝缘膜中嵌入有非导磁层。在头滑块和存储介质之间形成有气层。在头滑块和存储介质之间建立了电容耦合。电容耦合允许噪声从存储介质传递到头滑块。噪声影响在下遮蔽层和头滑块之间建立的电容。非导磁层用于防止噪声传递导致的下遮蔽层和上遮蔽层之间的电势差变化。
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公开(公告)号：CN101240412A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200810001868.8
申请日：2008-01-17
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: C23C14/35 , G06F17/50 , H01J37/3408 , H01J37/3452 , H01J37/3455
Abstract: 本发明公开了一种磁控溅射设备的设计支持方法、系统和程序。读取静态磁场结构数据，在任意位置指定与溅射靶表面平行并且在其中产生等离子体的截面，并且计算穿过垂直于所指定截面中的平面的磁场为0的区域的中心的首尾相连形状的侵蚀中心线环。基于侵蚀中心线环的侵蚀率来计算在所指定的静态磁场结构数据的截面中的静态侵蚀率分布，计算随着磁体的旋转引起的旋转侵蚀率分布，并且通过使用旋转侵蚀率分布计算对象材料上的膜形成率分布。
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公开(公告)号：CN1815479A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200510124349.7
申请日：2005-11-25
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5018 , G06F2217/16 , H05K1/0201 , H05K1/0271 , H05K1/0298 , H05K3/0005 , H05K3/4626 , H05K2203/162
Abstract: 提供了一种采用有限元法的结构分析方法，其在不降低预测精度的情况下节省了分析时间。该结构分析方法包括以下步骤：将分析对象分割为多个有限元素；定义将分析对象分割成大于所述有限元素的单位的多个网格，并且对于各网格，计算多个材料中的一个材料占所述网格中包含的所述有限元素的比例；指定其中计算出的所述一个材料的比例超过预定阈值的网格，并且通过用指定非所述一个材料的材料的材料信息来替代所指定网格中包含的有限元素的材料的材料信息来生成网格数据；以及基于所生成的网格数据计算分析对象中产生的物理量。
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公开(公告)号：CN1674009A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510006726.7
申请日：2005-01-31
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5036
Abstract: 用于S参数计算的设备和方法及其程序和记录介质。根据本发明，S参数文件输入部输入针对构成经受传输分析的系统的每个器件的S参数，端口位置对应关系转换部转换所输入的S参数，以使其与待连接的预设端口位置相对应，S参数/T参数转换部把S参数转换为T参数，连接计算部执行T参数的连接计算以获得整个系统的T参数，T参数/S参数转换部把整个系统的T参数转换为整个系统的S参数，而S参数文件输出部输出整个系统的S参数。
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