-
公开(公告)号：CN101240412B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200810001868.8
申请日：2008-01-17
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: C23C14/35 , G06F17/50 , H01J37/3408 , H01J37/3452 , H01J37/3455
Abstract: 本发明公开了一种磁控溅射设备的设计支持方法、系统和程序。读取静态磁场结构数据，在任意位置指定与溅射靶表面平行并且在其中产生等离子体的截面，并且计算穿过垂直于所指定截面中的平面的磁场为0的区域的中心的首尾相连形状的侵蚀中心线环。基于侵蚀中心线环的侵蚀率来计算在所指定的静态磁场结构数据的截面中的静态侵蚀率分布，计算随着磁体的旋转引起的旋转侵蚀率分布，并且通过使用旋转侵蚀率分布计算对象材料上的膜形成率分布。
-
公开(公告)号：CN101240412A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200810001868.8
申请日：2008-01-17
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: C23C14/35 , G06F17/50 , H01J37/3408 , H01J37/3452 , H01J37/3455
Abstract: 本发明公开了一种磁控溅射设备的设计支持方法、系统和程序。读取静态磁场结构数据，在任意位置指定与溅射靶表面平行并且在其中产生等离子体的截面，并且计算穿过垂直于所指定截面中的平面的磁场为0的区域的中心的首尾相连形状的侵蚀中心线环。基于侵蚀中心线环的侵蚀率来计算在所指定的静态磁场结构数据的截面中的静态侵蚀率分布，计算随着磁体的旋转引起的旋转侵蚀率分布，并且通过使用旋转侵蚀率分布计算对象材料上的膜形成率分布。
-
Search Results
2
records
(took 0.016 seconds)
