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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100395867C
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200410089884.9
申请日：2004-10-29
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 古屋笃史
IPC: H01L21/00 , H01L21/302 , C23F4/00 , G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5009
Abstract: 形貌仿真系统、形貌仿真方法以及计算机产品。矩阵计算单元对受一元件的多个面积元之间的位置关系影响的可视性进行评测，以将遮挡效应和再淀积效应反映到仿真结果中。束条件计算单元根据元件在晶片上的位置来计算束条件，以将由所述晶片上的位置差所造成的加工形貌中的差异反映到所述仿真结果中。
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公开(公告)号：CN101240412B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200810001868.8
申请日：2008-01-17
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: C23C14/35 , G06F17/50 , H01J37/3408 , H01J37/3452 , H01J37/3455
Abstract: 本发明公开了一种磁控溅射设备的设计支持方法、系统和程序。读取静态磁场结构数据，在任意位置指定与溅射靶表面平行并且在其中产生等离子体的截面，并且计算穿过垂直于所指定截面中的平面的磁场为0的区域的中心的首尾相连形状的侵蚀中心线环。基于侵蚀中心线环的侵蚀率来计算在所指定的静态磁场结构数据的截面中的静态侵蚀率分布，计算随着磁体的旋转引起的旋转侵蚀率分布，并且通过使用旋转侵蚀率分布计算对象材料上的膜形成率分布。
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公开(公告)号：CN1702824A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200410089884.9
申请日：2004-10-29
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 古屋笃史
IPC: H01L21/00 , H01L21/302 , C23F4/00 , G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5009
Abstract: 形貌仿真系统、形貌仿真方法以及计算机产品。矩阵计算单元对受一元件的多个面积元之间的位置关系影响的可视性进行评测，以将遮挡效应和再淀积效应反映到仿真结果中。束条件计算单元根据元件在晶片上的位置来计算束条件，以将由所述晶片上的位置差所造成的加工形貌中的差异反映到所述仿真结果中。
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公开(公告)号：CN102645283A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210020266.3
申请日：2012-01-29
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G01J5/48
CPC classification number: G01J5/08 , G01J5/0887 , G01J2005/0077 , H05K7/20836
Abstract: 一种温度测量系统和温度测量方法，该温度测量系统包括：测量板，被放置在存储信息处理装置的机架的进风口和排放口中的至少一个上指定的测量平面上，或放置在离开测量平面预定距离的位置处；以及红外摄像机，被配置成捕获测量板的图像，其中，把红外摄像机放置在以下位置处：在该位置处红外摄像机捕获不到测量平面但捕获得到测量板。
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公开(公告)号：CN101240412A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200810001868.8
申请日：2008-01-17
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: C23C14/35 , G06F17/50 , H01J37/3408 , H01J37/3452 , H01J37/3455
Abstract: 本发明公开了一种磁控溅射设备的设计支持方法、系统和程序。读取静态磁场结构数据，在任意位置指定与溅射靶表面平行并且在其中产生等离子体的截面，并且计算穿过垂直于所指定截面中的平面的磁场为0的区域的中心的首尾相连形状的侵蚀中心线环。基于侵蚀中心线环的侵蚀率来计算在所指定的静态磁场结构数据的截面中的静态侵蚀率分布，计算随着磁体的旋转引起的旋转侵蚀率分布，并且通过使用旋转侵蚀率分布计算对象材料上的膜形成率分布。
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