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公开(公告)号：CN103022115B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201210441210.5
申请日：2009-01-28
IPC: H01L29/739 , H01L29/78
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L27/0658 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/4236 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/7815 , H01L29/7827
Abstract: 本发明提供一种半导体装置。在主元件(24)的源电极(25)和电流检测元件(21)的电流感应电极(22)之间连接电流检测用的电阻。栅极绝缘膜(36)的绝缘耐压比反向偏压时可流过电流检测元件(21)的最大电流与上述电阻之积大。主元件(24)的p主体区域(32)的扩散深度比电流检测元件(21)的p主体区域(31)的扩散深度浅，主元件(24)的p主体区域(32)的端部的曲率比电流检测元件(21)的p主体区域(31)的端部的曲率小。因此，在外加反向偏压时，主元件(24)的p主体区域(32)的端部的电场变得比电流检测元件(21)的p主体区域(31)的端部的电场高，主元件(24)变得易于在电流检测元件(21)之前发生雪崩击穿。
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公开(公告)号：CN102522427B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201110414104.3
申请日：2009-01-28
IPC: H01L29/78 , H01L29/739 , H01L29/423
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L27/0658 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/4236 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/7815 , H01L29/7827
Abstract: 一种半导体装置，在第1导电型基板的第1主面上形成：主电流流过的主活性区域以及第1主电极；和对流过上述主活性区域的上述主电流的变动进行检测的电流检测结构区域以及与上述第1主电极分离的第2主电极。在上述基板的第2主面上形成第3主电极，上述主活性区域具有第1沟槽栅极结构部，在上述第1沟槽栅极结构部之间，形成对元件的控制不起作用的第1虚拟沟槽结构部，上述电流检测结构区域具有第2沟槽栅极结构部，在上述第2沟槽栅极结构部之间，形成对元件的控制不起作用的第2虚拟沟槽结构部。上述主活性区域，在上述第1沟槽栅极结构部和上述第1虚拟沟槽结构部之间、以及在上述第1虚拟沟槽结构部彼此之间，形成与上述第1主电极电绝缘的第1个第2导电型的层，且上述第1沟槽栅极结构部相互连接。上述电流检测结构区域，在上述第2沟槽栅极结构部和上述第2虚拟沟槽结构部之间、以及在上述第2虚拟沟槽结构部彼此之间，形成与上述第2主电极电连接的第2个第2导电型的层，且上述第2沟槽栅极结构部和上述第1沟槽栅极结构部相互连接。
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公开(公告)号：CN109155332B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201780026996.5
申请日：2017-11-14
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/78
Abstract: 在沿与半导体基板(10)的正面平行地配置为条纹状的多个沟槽(2)中的栅沟槽(2a)的内部隔着栅绝缘膜(3a)设置有栅电位(G)的栅电极(4a)。在虚设沟槽(2b)的内部隔着虚设栅绝缘膜(3b)设置有发射电位(E)的虚设栅电极(4b)。在台面区(9)中的作为MOS栅起作用的第一台面区(9a)的表面区域的整个面设置有第一p型基区(5a)，在不作为MOS栅起作用的第二台面区(9b)沿第一方向(X)以预定的间隔(D1)选择性地设置有第二p型基区(5b)。台面区(9)的两侧的沟槽(2)中的至少一方为栅沟槽(2a)，MOS栅在栅沟槽(2a)的至少一方的侧壁侧进行驱动。据此，能够降低通态电压。
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公开(公告)号：CN105283951A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201480032850.8
申请日：2014-05-29
IPC: H01L21/822 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L27/04 , H01L29/41 , H01L29/417
CPC classification number: H01L23/562 , H01L23/34 , H01L23/4824 , H01L23/528 , H01L27/0255 , H01L29/417 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体装置具备：具有元件的半导体基板(12)、与上述元件连接的表面电极(18)、与上述元件连接的背面电极(14)、设置于上述半导体基板的表面上的分离区域(28)的保护膜(20)、以及设置于上述半导体基板的表面侧的温度传感器(22)。上述表面电极通过上述保护膜在至少2个方向上被分割为多个。上述分离区域包含位于相邻的上述表面电极的对置边间的对置区域(30)、和上述对置区域相交的交叉区域(32)。上述温度传感器仅配置在上述对置区域。
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公开(公告)号：CN103022115A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210441210.5
申请日：2009-01-28
IPC: H01L29/739 , H01L29/78
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L27/0658 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/4236 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/7815 , H01L29/7827
Abstract: 本发明提供一种半导体装置。在主元件(24)的源电极(25)和电流检测元件(21)的电流感应电极(22)之间连接电流检测用的电阻。栅极绝缘膜(36)的绝缘耐压比反向偏压时可流过电流检测元件(21)的最大电流与上述电阻之积大。主元件(24)的p主体区域(32)的扩散深度比电流检测元件(21)的p主体区域(31)的扩散深度浅，主元件(24)的p主体区域(32)的端部的曲率比电流检测元件(21)的p主体区域(31)的端部的曲率小。因此，在外加反向偏压时，主元件(24)的p主体区域(32)的端部的电场变得比电流检测元件(21)的p主体区域(31)的端部的电场高，主元件(24)变得易于在电流检测元件(21)之前发生雪崩击穿。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109075213B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201780027131.0
申请日：2017-11-14
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/861 , H01L21/329 , H01L21/336 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/868
Abstract: 在半导体基板(10)的背面(10a)的表面层分别选择性地设置有n+型阴极区(4)和p型阴极区(5)。n+型阴极区(4)和p型阴极区(5)构成阴极层(6)，并在与半导体基板(10)的背面(10a)平行的方向上邻接。n+型阴极区(4)和p型阴极区(5)与阴极电极(8)接触。在n‑型漂移层(1)的内部，以距离半导体基板(10)的背面(10a)比阴极层(6)深且各不相同的深度设置有多个n型FS层(7)。由此，在二极管中能够改善正向电压的降低与反向恢复损耗的降低之间的权衡关系，且能够实现软恢复化。
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公开(公告)号：CN109155332A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201780026996.5
申请日：2017-11-14
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/78
Abstract: 在沿与半导体基板(10)的正面平行地配置为条纹状的多个沟槽(2)中的栅沟槽(2a)的内部隔着栅绝缘膜(3a)设置有栅电位(G)的栅电极(4a)。在虚设沟槽(2b)的内部隔着虚设栅绝缘膜(3b)设置有发射电位(E)的虚设栅电极(4b)。在台面区(9)中的作为MOS栅起作用的第一台面区(9a)的表面区域的整个面设置有第一p型基区(5a)，在不作为MOS栅起作用的第二台面区(9b)沿第一方向(X)以预定的间隔(D1)选择性地设置有第二p型基区(5b)。台面区(9)的两侧的沟槽(2)中的至少一方为栅沟槽(2a)，MOS栅在栅沟槽(2a)的至少一方的侧壁侧进行驱动。据此，能够降低通态电压。
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公开(公告)号：CN109075213A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780027131.0
申请日：2017-11-14
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/861 , H01L21/329 , H01L21/336 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/868
Abstract: 在半导体基板(10)的背面(10a)的表面层分别选择性地设置有n+型阴极区(4)和p型阴极区(5)。n+型阴极区(4)和p型阴极区(5)构成阴极层(6)，并在与半导体基板(10)的背面(10a)平行的方向上邻接。n+型阴极区(4)和p型阴极区(5)与阴极电极(8)接触。在n-型漂移层(1)的内部，以距离半导体基板(10)的背面(10a)比阴极层(6)深且各不相同的深度设置有多个n型FS层(7)。由此，在二极管中能够改善正向电压的降低与反向恢复损耗的降低之间的权衡关系，且能够实现软恢复化。
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公开(公告)号：CN101933141B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN200980103495.8
申请日：2009-01-28
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L27/0658 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/4236 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/7815 , H01L29/7827
Abstract: 本发明提供一种半导体装置。在主元件(24)的源电极(25)和电流检测元件(21)的电流感应电极(22)之间连接电流检测用的电阻。栅极绝缘膜(36)的绝缘耐压比反向偏压时可流过电流检测元件(21)的最大电流与上述电阻之积大。主元件(24)的p主体区域(32)的扩散深度比电流检测元件(21)的p主体区域(31)的扩散深度浅，主元件(24)的p主体区域(32)的端部的曲率比电流检测元件(21)的p主体区域(31)的端部的曲率小。因此，在外加反向偏压时，主元件(24)的p主体区域(32)的端部的电场变得比电流检测元件(21)的p主体区域(31)的端部的电场高，主元件(24)变得易于在电流检测元件(21)之前发生雪崩击穿。
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公开(公告)号：CN101499473B
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN200910009837.1
申请日：2009-01-24
IPC: H01L27/082 , H01L23/535 , H01L29/72 , H01L29/40
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种具有IGBT的半导体器件包括：衬底(1)；衬底上的漂移层(2)和基极层(3)；穿透基极层以将基极层分成基极部分(3a-3d)的沟槽(4)；一个基极部分中的发射极区(5)；沟槽中的栅极元件(7a-7c)；发射极电极(15)；以及集电极电极(16)。所述一个基极部分提供沟道层(3a)，另一基极部分提供没有发射极区的浮置层(3b-3d)。栅极元件包括与沟道层相邻的栅电极(7a)和与浮置层相邻的虚设栅电极(7b-7c)。浮置层包括与沟道层相邻的第一浮置层(3b)以及远离沟道层的第二浮置层(3c)。虚设栅电极和第一浮置层与基极层上的第一浮置布线(12)电耦合。虚设栅电极与第二浮置层隔离开。
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