公开(公告)号：CN113241325A

公开(公告)日：2021-08-10

申请号：CN202110002261.7

申请日：2021-01-04

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 泷泽直树

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/498 ,  H01L25/18 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明提供一种能够在不产生电气不良的情况下在基板高密度地安装部件的电子装置以及电子装置的制造方法。电子装置具有：半导体芯片(20、21)；以及电路板(12)，其正面被镀膜12a覆膜，在该正面的预定的部件区域经由第一、第二焊料(16a、16b)而配置有半导体芯片(20、21)。而且，电子装置沿电路板(12)的该部件区域的侧部在正面形成有防液部(14)。因此，能够在缩短半导体芯片(20、21)的间隔的同时，在它们之间形成防液部(14)而抑制第一、第二焊料(16a、16b)的扩散。

公开(公告)号：CN106252307A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610301483.8

申请日：2016-05-09

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 泷泽直树

IPC: H01L23/367

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3735 ,  H01L25/072 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/872 ,  H01L23/367

Abstract: 本发明提供一种即使反复进行热循环仍具备足够的可靠性的半导体装置。半导体装置包括：由金属构成的冷却板；一个以上的层叠基板，该一个以上的层叠基板由电路板、绝缘板、以及金属板层叠构成，并且金属板和冷却板通过接合材料接合；以及一个以上的第一半导体元件，该一个以上的第一半导体元件由宽带隙半导体构成，并被设置在电路板的外周端部。由此，当第一半导体元件通过动作温度上升时，即使没有被适当地散热，也能稳定地动作。

公开(公告)号：CN105900231A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201580004201.1

申请日：2015-06-05

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 泷泽直树

IPC: H01L23/40 ,  H01L23/12 ,  H01L23/36 ,  H01L25/07

CPC classification number: H01L23/36 ,  B23K35/262 ,  H01L23/12 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3735 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/07 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/3511

Abstract: 一种半导体装置(1)，具有：层叠基板(3)，由电路板(33)、绝缘板(31)以及金属板(32)层叠而构成，且以凸状向电路板(33)侧翘曲；半导体芯片(5)，固定于电路板(33)；底板(2)，具有用于配置层叠基板(3)的规定的配置区，形成于配置区的外缘的槽(22A)，以及与槽(22A)相邻且比槽(22A)更靠配置区的内侧而配置的突起(21)，在槽(22A)的突起(21)侧设置有与层叠基板(3)的翘曲所引起的倾斜相对应的倾斜部(22Ab)；以及接合材料(4)，填充于金属板(32)与配置区之间，从而覆盖槽(22A)和突起(21)。

公开(公告)号：CN106252307B

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN201610301483.8

申请日：2016-05-09

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 泷泽直树

IPC: H01L23/367

Abstract: 本发明提供一种即使反复进行热循环仍具备足够的可靠性的半导体装置。半导体装置包括：由金属构成的冷却板；一个以上的层叠基板，该一个以上的层叠基板由电路板、绝缘板、以及金属板层叠构成，并且金属板和冷却板通过接合材料接合；以及一个以上的第一半导体元件，该一个以上的第一半导体元件由宽带隙半导体构成，并被设置在电路板的外周端部。由此，当第一半导体元件通过动作温度上升时，即使没有被适当地散热，也能稳定地动作。

公开(公告)号：CN112928080A

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN202011178660.0

申请日：2020-10-29

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 泷泽直树

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/13 ,  H01L21/52

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法，其维持能够保持一定散热性的焊锡厚度。具有金属基底板(30)和陶瓷电路基板(21)，金属基底板(30)在正面与中心线(CL)分离地设定有配置区，陶瓷电路基板(21)通过焊锡(25a、25b)设置于配置区。此时，焊锡(25a、25b)的远离该中心线(CL)的端部的厚度比靠近该中心线(CL)的端部的厚度厚。在焊锡(25a、25b)的外侧的区域，缩孔的产生得到了抑制。通过这样的制造方法，可抑制焊锡(25a、25b)的量的增加，并且也抑制焊锡(25a、25b)的热阻的增大，还可以防止半导体装置(10)的散热性的降低。

公开(公告)号：CN105900231B

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201580004201.1

申请日：2015-06-05

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 泷泽直树

IPC: H01L23/40 ,  H01L23/12 ,  H01L23/36 ,  H01L25/07

CPC classification number: H01L23/36 ,  B23K35/262 ,  H01L23/12 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3735 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/07 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/3511

Abstract: 一种半导体装置(1)，具有：层叠基板(3)，由电路板(33)、绝缘板(31)以及金属板(32)层叠而构成，且以凸状向电路板(33)侧翘曲；半导体芯片(5)，固定于电路板(33)；底板(2)，具有用于配置层叠基板(3)的规定的配置区，形成于配置区的外缘的槽(22A)，以及与槽(22A)相邻且比槽(22A)更靠配置区的内侧而配置的突起(21)，在槽(22A)的突起(21)侧设置有与层叠基板(3)的翘曲所引起的倾斜相对应的倾斜部(22Ab)；以及接合材料(4)，填充于金属板(32)与配置区之间，从而覆盖槽(22A)和突起(21)。

公开(公告)号：CN119627008A

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202410998228.8

申请日：2024-07-24

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 泷泽直树 ,  中仓弘贵

IPC: H01L23/495

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其控制基板的接合位置。半导体装置具有相邻的绝缘电路基板（11）和散热基座（3）。散热基座（3）在正面（3a）隔着焊料层（17a）而接合有一侧的绝缘电路基板11，并且隔着焊料层（17b）而接合有另一侧的绝缘电路基板（11）。另外，相邻的绝缘电路基板（11）隔开间隙地对置，在正面（3a）的该间隙沿着焊料层（17a、17b）形成有间隙抗蚀剂部（4a）。间隙抗蚀剂部（4a）分别与焊料层（17a）的面向焊料层（17b）的边缘部（17a1）以及焊料层（17b）的面向焊料层（17a）的边缘部（17b1）相接。

公开(公告)号：CN106992157B

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN201610851374.3

申请日：2016-09-26

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 泷泽直树

IPC: H01L23/13 ,  H01L23/15 ,  H01L23/488 ,  H01L23/00

Abstract: 本发明能够抑制在焊料等连接部件产生裂纹等。提供一种半导体装置，其具备：第一部件；配置于第一部件的正面的第二部件；设置于第一部件和第二部件之间且将第二部件与第一部件连接的连接部，在第一部件的正面的与第二部件的第一角部和第二角部对置的位置，形成有形状不同的第一槽部和第二槽部，连接部还形成在第一槽部和第二槽部的内部。

公开(公告)号：CN106992157A

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201610851374.3

申请日：2016-09-26

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 泷泽直树

IPC: H01L23/13 ,  H01L23/15 ,  H01L23/488 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L23/5386 ,  H01L23/13 ,  H01L23/15 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/48 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/16 ,  H01L25/18 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/861 ,  H01L2224/32225 ,  H02M7/003 ,  H02M7/5387 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/32054 ,  H01L2224/32059

Abstract: 本发明能够抑制在焊料等连接部件产生裂纹等。提供一种半导体装置，其具备：第一部件；配置于第一部件的正面的第二部件；设置于第一部件和第二部件之间且将第二部件与第一部件连接的连接部，在第一部件的正面的与第二部件的第一角部和第二角部对置的位置，形成有形状不同的第一槽部和第二槽部，连接部还形成在第一槽部和第二槽部的内部。

公开(公告)号：CN115485831A

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202180031064.6

申请日：2021-09-22

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 泷泽直树

IPC: H01L23/40 ,  H01L23/12 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H05K1/02 ,  H05K1/18

Abstract: 能够降低焊料的厚度，并且抑制陶瓷电路基板和焊料的破坏。金属底板(30)在俯视时呈矩形状，且在正面设定有接合区域，并在与对置的一对短边(31a、31c)平行且被一对短边(31a、31c)所夹的正中央设定有中心线CL1。陶瓷电路基板(21)包括在俯视时为矩形状的陶瓷基板、形成于陶瓷基板的正面且接合半导体芯片的电路图案以及形成于陶瓷基板(22)的背面且通过焊料(25a、25b)与接合区域接合的金属板(23)。此时，焊料(25a、25b)在远离中心线CL1的一方的边缘部具备焊料(25a、25b)所包含的空隙的密度比其他区域的焊料(25a、25b)所包含的空隙的密度高的应力缓和区域(25a1、25b1)。