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公开(公告)号：CN119627008A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202410998228.8
申请日：2024-07-24
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/495
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其控制基板的接合位置。半导体装置具有相邻的绝缘电路基板（11）和散热基座（3）。散热基座（3）在正面（3a）隔着焊料层（17a）而接合有一侧的绝缘电路基板11，并且隔着焊料层（17b）而接合有另一侧的绝缘电路基板（11）。另外，相邻的绝缘电路基板（11）隔开间隙地对置，在正面（3a）的该间隙沿着焊料层（17a、17b）形成有间隙抗蚀剂部（4a）。间隙抗蚀剂部（4a）分别与焊料层（17a）的面向焊料层（17b）的边缘部（17a1）以及焊料层（17b）的面向焊料层（17a）的边缘部（17b1）相接。
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