公开(公告)号：CN101350365B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN200810131543.1

申请日：2008-07-11

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 新村康 ,  小林孝 ,  井上正范 ,  大西泰彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/38 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/404 ,  H01L29/41741 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，包括一种传导层，该传导层在p型保护环上形成且绝缘薄膜介于它们之间以便与相应的p型保护环连接。每个传导层的内端部凸出于直接内接的p型保护环之上。p型保护环的杂质浓度被设置在n型半导体衬底杂质浓度和p阱区杂质浓度之间。结果，p型保护环可以被缩短且芯片大小可被减小。此外，该器件可被制成对外来电荷较不敏感。

公开(公告)号：CN1391289A

公开(公告)日：2003-01-15

申请号：CN02124332.8

申请日：2002-06-12

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 藤平龙彦 ,  小林孝 ,  阿部和 ,  新村康 ,  井上正范

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明揭示一种半导体器件，该器件显示出高击穿电压和低导通电阻，减少导通电压和击穿电压间的折衷关系，以及实现高速开关。按照本发明显示一个击穿电压Vbr的纵向半导体器件，包括一层击穿电压承载层12，它的电阻率ρ(Ωcm)在由下列关系式表示的范围内：－5.43+0.0316Vbr＜ρ＜－8.60+0.0509Vbr。按照本发明的MOS半导体器件，包括n－型表面区14，该表面区14是延伸到该半导体芯片表面的n－型漂移层12的延伸部分，每个n－型表面区14是用由p型阱区13包围的一条条纹形成，及n－型表面区14和包括n+型源区15的p型阱区13之间的表面积比率是0.01至0.2。

公开(公告)号：CN1299365C

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN02124332.8

申请日：2002-06-12

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 藤平龙彦 ,  小林孝 ,  阿部和 ,  新村康 ,  井上正范

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明揭示一种半导体器件，该器件显示出高击穿电压和低导通电阻，减少导通电压和击穿电压间的折衷关系，以及实现高速开关。按照本发明显示一个击穿电压Vbr的纵向半导体器件，包括一层击穿电压承载层12，它的电阻率ρ(Ωcm)在由下列关系式表示的范围内：-5.43+0.0316Vbr＜ρ＜-8.60+0.0509Vbr。按照本发明的MOS半导体器件，包括n-型表面区14，该表面区14是延伸到该半导体芯片表面的n-型漂移层12的延伸部分，每个n-型表面区14是用由p型阱区13包围的一条条纹形成，及n-型表面区14和包括n+型源区15的p型阱区13之间的表面积比率是0.01至0.2。

公开(公告)号：CN202662593U

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201120282649.9

申请日：2011-08-01

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 小山正晃 ,  望月英司 ,  小林孝 ,  小林英登

IPC: H01L23/485 ,  H01L25/07

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本实用新型提供一种半导体器件，能够有效地制造多种高品质的半导体器件。半导体器件(1)具有散热部件(10)；包含形成在散热部件(10)上的电路图案(21)和包含树脂的绝缘层(22)的布线层(20)；包含安装在布线层(20)上的电子元件和对其进行封装的封装树脂的半导体元件(30、40)。不需要半导体元件(30、40)安装后的封装工序。此外，通过变更形成的电路图案(21)和所使用的半导体元件(30、40)，能够有效地获得各种功能的半导体器件(1)。