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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103563075B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201280023833.9
申请日：2012-05-31
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 三柳俊之
IPC: H01L23/48
CPC classification number: H01L23/49575 , H01L23/053 , H01L23/24 , H01L23/3735 , H01L23/4334 , H01L23/492 , H01L23/49811 , H01L24/06 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/03 , H01L25/072 , H01L2224/04026 , H01L2224/04042 , H01L2224/0603 , H01L2224/06181 , H01L2224/291 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/45014 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48227 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2924/01047 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/1203 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/30107 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种包括执行均匀的并联动作的芯片的半导体单元、以及使用该半导体单元来制成的低热阻、低成本、高可靠性的半导体器件。将使用作为宽带隙衬底的SiC衬底来形成的相同种类的多个小半导体芯片（SiC-Di芯片（2））夹在2个导电板（公共铜板（1和8））之间并进行并联连接，从而形成半导体单元（100）。由此，能提供半导体芯片（SiC-Di芯片（2））的并联动作均匀从而能防止因电流集中而导致发生损坏的、高可靠性的半导体单元（100）。
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公开(公告)号：CN104620373A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201380048064.2
申请日：2013-11-19
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 三柳俊之
CPC classification number: H01L23/34 , H01L23/295 , H01L23/296 , H01L23/3107 , H01L23/3121 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/45144 , H01L2224/4846 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 通过搭载在功率半导体模块内的功率半导体芯片的不与布线薄膜对置的表面、以及键合线表面由不含导热性填充材料的密封树脂A密封，并且密封树脂A由含导热性填充材料的密封树脂B密封，能够兼具功率半导体模块的冷却性能和长期可靠性。
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公开(公告)号：CN104251872B
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201410260649.7
申请日：2014-06-12
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: G01N25/20
CPC classification number: H01L23/34 , G01R31/2619 , G01R31/2628 , H01L23/3735 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及热阻测量方法及热阻测量装置。目的在于提高热阻测量的精度。在热阻测量方法中，基于半导体元件中流过不会导致其发热的程度的固定电流时的第1电极与第2电极之间的不发热时电压的温度系数，来测量对应于第1电极与第2电极之间施加的电压而有电流从第3电极流向第2电极的半导体元件的元件温度(步骤S2、S5)。此外，在热阻测量方法中，使半导体元件的第1电极与第2电极之间施加的电压固定，第3电极中流过会导致半导体元件发热的固定电流，基于会导致半导体元件发热的电流、半导体元件发热时的第3电极与第2电极之间的发热时电压来测量功率(步骤S3、S4)。
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公开(公告)号：CN104251872A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201410260649.7
申请日：2014-06-12
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: G01N25/20
CPC classification number: H01L23/34 , G01R31/2619 , G01R31/2628 , H01L23/3735 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及热阻测量方法及热阻测量装置。目的在于提高热阻测量的精度。在热阻测量方法中，基于半导体元件中流过不会导致其发热的程度的固定电流时的第1电极与第2电极之间的不发热时电压的温度系数，来测量对应于第1电极与第2电极之间施加的电压而有电流从第3电极流向第2电极的半导体元件的元件温度(步骤S2、S5)。此外，在热阻测量方法中，使半导体元件的第1电极与第2电极之间施加的电压固定，第3电极中流过会导致半导体元件发热的固定电流，基于会导致半导体元件发热的电流、半导体元件发热时的第3电极与第2电极之间的发热时电压来测量功率(步骤S3、S4)。
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公开(公告)号：CN103563075A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201280023833.9
申请日：2012-05-31
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 三柳俊之
IPC: H01L23/48
CPC classification number: H01L23/49575 , H01L23/053 , H01L23/24 , H01L23/3735 , H01L23/4334 , H01L23/492 , H01L23/49811 , H01L24/06 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/03 , H01L25/072 , H01L2224/04026 , H01L2224/04042 , H01L2224/0603 , H01L2224/06181 , H01L2224/291 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/45014 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48227 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2924/01047 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/1203 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/30107 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种包括执行均匀的并联动作的芯片的半导体单元、以及使用该半导体单元来制成的低热阻、低成本、高可靠性的半导体器件。将使用作为宽带隙衬底的SiC衬底来形成的相同种类的多个小半导体芯片（SiC-Di芯片（2））夹在2个导电板（公共铜板（1和8））之间并进行并联连接，从而形成半导体单元（100）。由此，能提供半导体芯片（SiC-Di芯片（2））的并联动作均匀从而能防止因电流集中而导致发生损坏的、高可靠性的半导体单元（100）。
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