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公开(公告)号：CN106997164A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201610812849.8
申请日：2016-09-09
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: G03G15/2057 , G03G2215/2035 , G03G15/2053 , H05B3/26
Abstract: 本发明公开了一种定影装置、图像形成装置和加热装置，所述定影装置包括加热部件、带部件以及按压部件。加热部件包括：基板，其具有大致平坦部及在一侧的表面上的凹部；加热体，其设置在基板的大致平坦部上并且通过供应电流发热；电阻元件，其设置在基板的凹部中并且与加热体串联，电阻元件具有正温度系数；和保护层，其设置在加热体和电阻元件上方并且保护加热体和电阻元件。带部件通过与加热部件的基板的一侧的表面接触而被加热，且带部件可旋转。按压部件按压带部件并且形成咬合部。
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公开(公告)号：CN105590898A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201510764757.2
申请日：2015-11-10
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: H01L21/78
CPC classification number: H01L33/0095 , B28D5/022 , B28D5/029 , H01L21/78 , H01S5/0202
Abstract: 本发明提供了一种制造半导体芯片的方法，所述方法包括步骤：形成位于衬底正面一侧的沟槽；以及利用旋转切割件从衬底背面一侧形成位于所述衬底背面一侧的与所述位于正面一侧的沟槽连通的沟槽并将所述衬底划片为多个半导体芯片，所述旋转切割件具有比所述位于正面一侧的沟槽的入口部分的宽度更厚的厚度，其中在具有不含顶面的锥形末端形状的所述切割件的顶部在沟槽宽度方向上的变化范围随着所述切割件的磨损而从被包括在所述位于正面一侧的沟槽中的范围变为离开所述位于正面一侧的沟槽的范围的制造条件下，在所述变化范围从被包括在所述位于正面一侧的沟槽中的范围变为离开所述位于正面一侧的沟槽的范围之前，停止使用所述切割件。
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公开(公告)号：CN105308724A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201480035012.6
申请日：2014-06-25
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: H01L21/301
CPC classification number: H01L21/78 , B23D65/00 , B28D5/0011 , B28D5/022 , H01L21/3043 , H01L33/0095
Abstract: 切割部件的末端形状的设计方法包括如下各工序：在基板的正面上形成正面侧的沟槽；以及利用具有比正面侧的沟槽的宽度大的厚度的旋转切割部件来从基板的背面形成与正面侧的沟槽连通的背面侧的沟槽，从而将基板划片为半导体芯片。该设计方法包括如下各工序：准备末端部具有不同锥度的多个切割部件；准备具有相同形状的多个正面侧的沟槽；对于多个切割部件中的每一者，确认利用切割部件形成背面侧的沟槽获得的破裂状况；以及如果确认多个切割部件包含引起破裂的切割部件和不引起破裂的切割部件这两种，则将不引起破裂的切割部件的锥度作为用于批量制造工艺的切割部件的末端形状。
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公开(公告)号：CN101259789A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200710196831.0
申请日：2007-12-11
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1642 , B41J2/1646
Abstract: 本发明提供液滴喷射头、液滴喷射装置和图像形成装置。本发明的目的在于实现液滴喷射头、液滴喷射装置和图像形成装置的紧凑。为了实现该目的，在作为用于将集墨腔(38)内的墨提供到压力腔(50)的流路的供墨用通孔(112)和供墨用通孔(44)的内壁形成连接线(86)。通过以连接线(86)来连接上电极(54)和连接到驱动IC(60)的金属线(90)，从而电连接上电极(54)和驱动IC(60)。因此，与在分立的孔形成用于布线的通孔和墨流路径的情况相比，在顶板(41)中形成较少的孔。因此，可以拓宽电布线区域，结果可以使得喷墨记录头(32)紧凑。
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公开(公告)号：CN1283464C
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN02104714.6
申请日：2002-02-09
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: B41J2/14 , B41J2/16 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种在同一芯片内备有具有不同的开口大小和深度的多个液体排出口的液滴喷射记录装置。例如，在喷墨记录头(10)中，在叠层端面(18)上形成具有不同的深度的大墨水排出口(20)和小墨水排出口(22)。为了实现这种结构，首先用湿式异向性蚀刻来蚀刻相当于大墨水排出口(20)部分的硅基板(40)，形成断面三角形的槽，然后用反应性离子蚀刻(RIE)来蚀刻相当于大墨水排出口(20)和小墨水排出口(22)部分的硅基板(40)，借此完成包含大墨水排出口(20)和小墨水排出口(22)的流路基板(14)。因而，由于用RIE加工可以精度高地进行最终的流路形状的加工，另一方面用湿式异向性蚀刻可以高效地形成不同深度的槽，所以喷墨记录头(10)的生产率也提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106997164B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201610812849.8
申请日：2016-09-09
Applicant: 富士施乐株式会社
Abstract: 本发明公开了一种定影装置、图像形成装置和加热装置，所述定影装置包括加热部件、带部件以及按压部件。加热部件包括：基板，其具有大致平坦部及在一侧的表面上的凹部；加热体，其设置在基板的大致平坦部上并且通过供应电流发热；电阻元件，其设置在基板的凹部中并且与加热体串联，电阻元件具有正温度系数；和保护层，其设置在加热体和电阻元件上方并且保护加热体和电阻元件。带部件通过与加热部件的基板的一侧的表面接触而被加热，且带部件可旋转。按压部件按压带部件并且形成咬合部。
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公开(公告)号：CN105308724B
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201480035012.6
申请日：2014-06-25
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: H01L21/301
CPC classification number: H01L21/78 , B23D65/00 , B28D5/0011 , B28D5/022 , H01L21/3043 , H01L33/0095
Abstract: 切割部件的末端形状的设计方法包括如下各工序：在基板的正面上形成正面侧的沟槽；以及利用具有比正面侧的沟槽的宽度大的厚度的旋转切割部件来从基板的背面形成与正面侧的沟槽连通的背面侧的沟槽，从而将基板划片为半导体芯片。该设计方法包括如下各工序：准备末端部具有不同锥度的多个切割部件；准备具有相同形状的多个正面侧的沟槽；对于多个切割部件中的每一者，确认利用切割部件形成背面侧的沟槽获得的破裂状况；以及如果确认多个切割部件包含引起破裂的切割部件和不引起破裂的切割部件这两种，则将不引起破裂的切割部件的锥度作为用于批量制造工艺的切割部件的末端形状。
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公开(公告)号：CN101998711B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201010139155.5
申请日：2010-03-18
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: H01L33/40 , H01L27/15 , H01L33/0041 , H01L33/44
Abstract: 本发明公开了一种发光元件及发光元件的制造方法。该发光元件包括半导体层、金电极层、绝缘膜、阻挡金属层和铝配线层。金电极层形成在半导体层的一部分上并与该半导体层电连接。金电极层由包括金在内的金属制成。绝缘膜将半导体层覆盖并具有与金电极层对应的接触开口。阻挡金属层将金电极层、以及绝缘膜的位于接触开口附近的上表面覆盖。铝配线层形成在阻挡金属层上并与该阻挡金属层电连接。
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公开(公告)号：CN102254936B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201010560427.9
申请日：2010-11-18
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: H01L29/201 , H01L29/43 , H01L23/532 , H01L21/285 , H01L21/768 , H01L33/00
CPC classification number: H01L33/40 , H01L21/76834 , H01L29/452 , H01L33/30 , H01L33/62 , H01L2224/24 , H01L2924/1301 , H01L2924/00
Abstract: 一种化合物半导体装置，包括：Au合金电极、层间绝缘膜、金属布线、以及氧化膜。所述Au合金电极形成在化合物半导体上。所述层间绝缘膜形成在所述Au合金电极上。所述金属布线通过在所述层间绝缘膜中所形成的接触孔而与所述Au合金电极相连接。所述氧化膜形成在所述Au合金电极和层间绝缘膜之间的界面处，该氧化膜的主成分为所述化合物半导体的构成元素。
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公开(公告)号：CN102254936A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201010560427.9
申请日：2010-11-18
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: H01L29/201 , H01L29/43 , H01L23/532 , H01L21/285 , H01L21/768 , H01L33/00
CPC classification number: H01L33/40 , H01L21/76834 , H01L29/452 , H01L33/30 , H01L33/62 , H01L2224/24 , H01L2924/1301 , H01L2924/00
Abstract: 一种化合物半导体装置，包括：Au合金电极、层间绝缘膜、金属布线、以及氧化膜。所述Au合金电极形成在化合物半导体上。所述层间绝缘膜形成在所述Au合金电极上。所述金属布线通过在所述层间绝缘膜中所形成的接触孔而与所述Au合金电极相连接。所述氧化膜形成在所述Au合金电极和层间绝缘膜之间的界面处，该氧化膜的主成分为所述化合物半导体的构成元素。
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