公开(公告)号：CN117586014A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202311537472.6

申请日：2023-11-17

Applicant: 安徽工业大学

Inventor： 冉松林 ,  赵峻 ,  刘亮亮 ,  王东 ,  金星 ,  丁祥

IPC: C04B35/563 ,  C04B35/622 ,  C04B35/65

Abstract: 本发明公开了一种B4C–TiB2–SiC导电复相陶瓷及其制备方法，属于陶瓷材料领域。该导电复相陶瓷具有TiB2–SiC复合小晶粒包覆B4C大晶粒的显微结构，其中：TiB2的体积含量为5–20％，TiB2与SiC的摩尔比为2:3。该导电复相陶瓷制备原料为：B4C、TiC和单质Si粉体，其制备步骤是：按照成分设计配比分别称取原料粉体；混合均匀后充分干燥；使用放电等离子烧结炉在真空气氛中烧结制备复相陶瓷。本发明构筑了TiB2–SiC复合小晶粒包覆B4C大晶粒的包覆型显微结构，SiC的引入有效地抑制了TiB2导电相晶粒的长大，促进了导电网络的形成和完善。与没有引入SiC相比，本发明制备的复相陶瓷在相同或更低TiB2含量下具有更高的电导率。本发明制备过程简单，无需任何其它特殊复杂方法。

公开(公告)号：CN116253299A

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN202310155989.2

申请日：2023-02-20

Applicant: 安徽工业大学

Inventor： 金星 ,  冉松林 ,  丁详 ,  王东 ,  方喆禹 ,  孙玥

IPC: C01B21/068 ,  C01B21/00 ,  C04B35/58 ,  C04B35/584

Abstract: 本发明公开了一种利用含硅固废制备杂质包覆型Si2N2O的方法、制备所得Si2N2O及其应用，属于二次资源利用技术领域。本发明的一种利用含硅废料制备杂质包覆型Si2N2O陶瓷粉体的方法，将硅灰和晶体硅切割废料混合后一起进行循环热震处理，构筑硅氧化物包覆金属杂质核壳结构，然后对所得包覆结构进行原位氮化处理，即制备得到杂质包覆型Si2N2O陶瓷粉体。本发明不仅有效利用了光伏产业中产生的硅灰和切割废料，实现了“以废治废”，而且制备的Si2N2O陶瓷粉体具有杂质包覆型结构，能够应用于晶体硅拉晶及铸锭所用的坩埚涂层，实现了固废资源的“闭环处理”。

公开(公告)号：CN113564499B

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202110864237.4

申请日：2021-07-29

Applicant: 安徽工业大学科技园有限公司

Inventor： 王东 ,  徐凯 ,  冉松林 ,  丁祥 ,  金星 ,  李庆归

IPC: C22C49/10 ,  C22C49/14 ,  C22C47/06 ,  C22C47/14 ,  C22C111/02

Abstract: 本发明涉及金属陶瓷复合材料技术领域，具体涉及一种连续钨纤维及碳化锆复合增强钨铜材料、制备方法及其应用；该复合材料包括如下重量组分的混合料：编织钨网1份；锆铜合金1～20份；钨粉0～10份；碳化钨粉1～10份，该复合材料的平均显微维氏硬度≥4.5GPa，抗弯强度≥520MPa，本发明采用低温反应熔渗法制备连续钨纤维及原位自生碳化锆颗粒复合增强钨铜材料，实现了高强韧钨基复合材料的低成本快速制备，钨纤维及碳化锆颗粒的复合强韧化使材料表现出假塑性断裂行为，该复合材料在航空航天领域、先进高温工具、太阳能热电及核能等领域具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN115642461A

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN202211355036.2

申请日：2022-11-01

Applicant: 安徽工业大学

Inventor： 王东 ,  吴思佳 ,  郝树宏 ,  杨梦瑶

IPC: H01S3/067 ,  H01S3/08 ,  H01S3/091

Abstract: 本发明公开了一种平面镜梯形腔单模固体激光器，属于固体激光器技术领域。本发明包括激光晶体、泵浦光源、法拉第旋转器、二分之一波片，以及由第一腔镜、第二腔镜、第三腔镜和第四腔镜组成的四镜环行腔，泵浦光源设置在激光晶体外围，激光晶体设置在第一腔镜和第二腔镜之间，法拉第旋转器和二分之一波片设置在第三腔镜、第四腔镜之间；其中，所述的四镜环行腔呈梯形结构，且四镜均采用平面镜。本发明利用市场上广泛售卖的平面光学元件，避免了凹面镜腔由于子午面和弧矢面焦距不同造成输出光斑为椭圆形的缺点，实现了结构紧凑的窄线宽、单纵模激光器，且输出激光光斑为圆形，同时由第二腔镜输出较弱的p偏振激光，第四腔镜输出强的s偏振激光。

公开(公告)号：CN113698209B

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN202110866044.2

申请日：2021-07-29

Applicant: 安徽工业大学科技园有限公司

Inventor： 王东 ,  冉松林 ,  丁祥 ,  金星 ,  李庆归

IPC: C04B35/573 ,  C04B35/58 ,  C04B35/626 ,  C04B35/645

Abstract: 本发明涉及复相陶瓷技术领域，具体涉及一种高熵二硼化物‑碳化硅复相陶瓷、制备方法及其应用；该复相陶瓷包括如下摩尔组分的混合料：过渡金属碳化物(碳化钛、碳化锆、碳化铪、碳化铌、碳化钽、碳化钒、碳化铬、碳化钼、碳化钨)中的5～9种，每种0～1份，碳化硼粉2.5～9份，硅粉7.5～18份，碳化硅粉0～27份；该高熵二硼化物‑碳化硅复相陶瓷密度＜5.3g/cm3，致密度≥95％，维氏硬度Hv5≥19GPa；本发明实现了轻质、高强、高硬高熵二硼化物‑碳化硅复相陶瓷的快速原位自生制备，且烧结温度低，因而在超高温材料、超硬材料、陶瓷刀具等领域具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN111834136B

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN202010684502.6

申请日：2020-07-15

Applicant: 安徽工业大学

Inventor： 丁健翔 ,  张骁 ,  陈立明 ,  王东 ,  孙正明 ,  柳东明 ,  张世宏 ,  徐东 ,  杨媛

IPC: H01H1/0233 ,  H01H11/04

Abstract: 本发明公开一种MAX@M复合电触头增强相材料、复合电触头材料及制备方法，为表面包覆金属纳米颗粒的MAX@M，其内核为三维材料MAX相，外壳为表面包覆的金属纳米颗粒；采用本发明通过在MAX相表面敏化生成MXene材料，活化后用化学镀法在其表面包覆金属纳米颗粒制备表面包覆金属纳米颗粒的MAX@M复合电触头增强相材料；增强相材料与低压电触头Ag基复合后，有效解决了Ag‑MAX间存在的界面反应与扩散问题，且化学镀法工艺方便，技术成本低廉，可实用性强；使用表面包覆金属纳米颗粒的MAX@M作为低压电触头电接触材料增强相时，增强相含量占复合材料比例最高可达50wt％，节银效果明显且可以大幅提高复合材料基本性能。

公开(公告)号：CN114685168A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202210485924.X

申请日：2022-05-06

Applicant: 安徽工业大学

Inventor： 冉松林 ,  赵峻 ,  金星 ,  王东 ,  丁祥

IPC: C04B35/563 ,  C04B35/58 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种B4C‑TiB2导电复相陶瓷及其制备方法，属于陶瓷材料领域。该导电复相陶瓷具有包覆型显微结构的，其中TiB2的体积含量为10‑30％。该导电复相陶瓷制备原料为：B4C、TiC和无定形B粉体，其制备步骤是：按照成分设计配比分别称取原料粉体；混合均匀后充分干燥；使用放电等离子烧结炉在真空气氛中烧结制备复相陶瓷，烧结温度为2000℃，压力为50MPa，保温时间为5‑20min。本发明构筑了TiB2小晶粒包覆B4C大晶粒的包覆型显微结构，有利导电网络的形成和完善。在相同TiB2含量下，本发明制备的B4C‑TiB2复相陶瓷具有更高的电导率。本发明制备过程简单，无需任何其它特殊复杂方法。与传统方法相比，本发明所制备的B4C‑TiB2复相陶瓷的力学性能相当或更优。

公开(公告)号：CN112592126B

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202011482504.3

申请日：2020-12-16

Applicant: 安徽工业大学

Inventor： 唐晨钧 ,  冉松林 ,  宣明 ,  丁祥 ,  吕辉鸿 ,  季益龙 ,  邓先功 ,  王东

IPC: C04B28/04 ,  C04B18/14 ,  C04B20/02 ,  C04B111/90

Abstract: 本发明公开了一种水泥基热电材料，属于冶金固废资源综合利用领域。该热电材料包括如下重量组分的混合料：水泥450份、碳化渣1080～1350份、标准砂0～270份、水325～345份。所述水泥为硅酸盐水泥，强度等级为42.5。所述碳化渣由攀钢含钛高炉渣经高温碳化后所得，且经破碎后过200目标准筛。该热电材料的热电动势率≥640μv/℃，抗压强度≥72.8MPa。本发明实现了高钛型高炉渣的碳化产物的全组分、高附加值利用，且不产生二次污染，因而在太阳能及工业余热等一些低品位热源领域具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN113698209A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202110866044.2

申请日：2021-07-29

Applicant: 安徽工业大学科技园有限公司

Inventor： 王东 ,  冉松林 ,  丁祥 ,  金星 ,  李庆归

IPC: C04B35/573 ,  C04B35/58 ,  C04B35/626 ,  C04B35/645

Abstract: 本发明涉及复相陶瓷技术领域，具体涉及一种高熵二硼化物‑碳化硅复相陶瓷、制备方法及其应用；该复相陶瓷包括如下摩尔组分的混合料：过渡金属碳化物(碳化钛、碳化锆、碳化铪、碳化铌、碳化钽、碳化钒、碳化铬、碳化钼、碳化钨)中的5～9种，每种0～1份，碳化硼粉2.5～9份，硅粉7.5～18份，碳化硅粉0～27份；该高熵二硼化物‑碳化硅复相陶瓷密度＜5.3g/cm3，致密度≥95％，维氏硬度Hv5≥19GPa；本发明实现了轻质、高强、高硬高熵二硼化物‑碳化硅复相陶瓷的快速原位自生制备，且烧结温度低，因而在超高温材料、超硬材料、陶瓷刀具等领域具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN113636842A

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN202110866010.3

申请日：2021-07-29

Applicant: 安徽工业大学科技园有限公司

Inventor： 冉松林 ,  王东 ,  丁祥 ,  金星 ,  李庆归

IPC: C04B35/563 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645

Abstract: 本发明涉及复相陶瓷技术领域，具体涉及一种高熵二硼化物‑碳化硼复相陶瓷、制备方法及其应用；该复相陶瓷包括如下摩尔组分的混合料：过渡金属碳化物(碳化钛、碳化锆、碳化铪、碳化铌、碳化钽、碳化钒、碳化铬、碳化钼、碳化钨)中的5～9种，每种0～1份，硼粉32～60份。所述过渡金属碳化物为其粉末，纯度＞98％，粒度0.5～3μm。所述硼粉纯度＞95％，粒度0.5～3μm。该高熵二硼化物‑碳化硼复相陶瓷维氏硬度Hv5≥20GPa，抗弯强度≥420MPa，断裂韧性≥5.0MPa m1/2。本发明实现了轻质、高强韧高熵二硼化物‑碳化硼复相陶瓷的快速原位自生制备，且烧结温度低，因而在超高温材料、超硬材料、陶瓷刀具等领域具有广泛的应用前景。