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公开(公告)号：CN117807021B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410232127.X
申请日：2024-03-01
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本申请涉及一种2T‑2MTJ存算单元和MRAM存内计算电路，其中，该2T‑2MTJ存算单元包括：第一NMOS管和第一磁隧道结，第一磁隧道结的正向端用于连接第一子位线，第一磁隧道结的反向端连接第一NMOS管的漏极，第一NMOS管的源极用于连接第一子源线；第二NMOS管和第二磁隧道结，第二磁隧道结的正向端用于连接第二子位线，第一磁隧道结的反向端连接第二NMOS管的漏极，第二NMOS管的源极用于连接第二子源线；其中，第一NMOS管和第二NMOS管的栅极用于连接同一存算字线。该2T‑2MTJ存算单元构成的存算阵列面积较小，能够实现高密度的存内计算。因此，解决了目前的基于静态随机存取存储器的存内计算电路中SRAM‑CIM阵列面积较大，其会阻碍CMOS技术下芯片计算密度提高的问题。
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公开(公告)号：CN117316237B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311635817.1
申请日：2023-12-01
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种时域8T1C‑SRAM存算单元、以及一种时序跟踪量化的存算电路和芯片。存算单元由2个PMOS管P1~P2，6个NMOS管N1~N6，以及一个电容C0构成；其中，N5、N6和C0构成用于实现单比特或多比特乘法的运算单元；其余元件构成6T‑SRAM单元；运算单元的电路连接关系为：N5的栅极连接在存储节点QB上，N5的源极通过一根源线CSL接电容C0的一端，C0的另一端接地；N5的漏极与N6的源极相连；N6的栅极接运算字线CWL；N6的漏极接全局位线CBL；本发明改善了现有电流域和电压域的存内运算电路在性能和能耗等指标上的不足。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116882347A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310907392.9
申请日：2023-07-24
Applicant: 国网安徽省电力有限公司芜湖市湾沚区供电公司 , 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院 , 安徽大学
IPC: G06F30/367 , G06N3/006 , G06F113/16 , G06F119/06 , G06F119/08
Abstract: 本发明提出一种基于接地介质自适应参数的高阻接地故障电弧建模方法，基于不同接地介质下的实测电弧数据，建立不同接地介质下的归一化标准模型。然后通过采集实际故障电路数据，确定故障接地介质的类别。最后，基于MATLAB‑PSCAD联合仿真计算，将已经确定的介质类型的归一化模型为目标，通过PSO参数寻优算法确定PSCAD中电弧模型的最优参数设定。本发明能够根据接地介质的不同自动修订电弧模型参数，从而更加精确的分析电弧的热功率，从而电气火灾的预防提供技术基础，保障人员的用电安全以及减少设备损坏等经济损失。
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公开(公告)号：CN117807021A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202410232127.X
申请日：2024-03-01
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本申请涉及一种2T‑2MTJ存算单元和MRAM存内计算电路，其中，该2T‑2MTJ存算单元包括：第一NMOS管和第一磁隧道结，第一磁隧道结的正向端用于连接第一子位线，第一磁隧道结的反向端连接第一NMOS管的漏极，第一NMOS管的源极用于连接第一子源线；第二NMOS管和第二磁隧道结，第二磁隧道结的正向端用于连接第二子位线，第一磁隧道结的反向端连接第二NMOS管的漏极，第二NMOS管的源极用于连接第二子源线；其中，第一NMOS管和第二NMOS管的栅极用于连接同一存算字线。该2T‑2MTJ存算单元构成的存算阵列面积较小，能够实现高密度的存内计算。因此，解决了目前的基于静态随机存取存储器的存内计算电路中SRAM‑CIM阵列面积较大，其会阻碍CMOS技术下芯片计算密度提高的问题。
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公开(公告)号：CN117540554A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311509133.7
申请日：2023-11-14
Applicant: 国网安徽省电力有限公司芜湖市湾沚区供电公司 , 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院 , 安徽大学
Abstract: 本发明提出一种电弧理论数学描述及其Simulink建模方法，其中电弧电流的零休区使用改进的过渡函数ζ(i)来描述，电弧电流是过渡函数ζ(i)和正弦电流的乘积，电弧电压是畸变脉冲与理想周期方波的矢量叠加，周期方波使用正余弦波构成的傅里叶级数描述，理想周期方波转变成畸变周期方波通过一阶惯性环节来描述。基于提出的电弧电流和电弧电压的数学描述，搭建了Simulink仿真模型，得到了电弧电流与电弧电压波形。该方法实现了理论与Simulink仿真验证，易于理解电弧理论和编程实现。
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公开(公告)号：CN117316237A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311635817.1
申请日：2023-12-01
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种时域8T1C‑SRAM存算单元、以及一种时序跟踪量化的存算电路和芯片。存算单元由2个PMOS管P1~P2，6个NMOS管N1~N6，以及一个电容C0构成；其中，N5、N6和C0构成用于实现单比特或多比特乘法的运算单元；其余元件构成6T‑SRAM单元；运算单元的电路连接关系为：N5的栅极连接在存储节点QB上，N5的源极通过一根源线CSL接电容C0的一端，C0的另一端接地；N5的漏极与N6的源极相连；N6的栅极接运算字线CWL；N6的漏极接全局位线CBL；本发明改善了现有电流域和电压域的存内运算电路在性能和能耗等指标上的不足。
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公开(公告)号：CN104049005A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201310074700.0
申请日：2013-03-11
Applicant: 安徽大学
IPC: G01N27/26
Abstract: 本发明系一种新型的检测苯酚的方法，其特征在于：应用一种经典的非线性化学振荡体系(其组成“NaBrO3-苹果酸-H2SO4-[CuL](ClO4)2”)作为检测溶液以及该溶液对苯酚的振荡响应建立工作曲线，进而实现对苯酚的定量分析。催化剂[CuL](ClO4)2中L为5，7，7，12，14，14-六甲基-1，4，8，11-四氮杂十四-4，11-二烯；检测溶液中各组分的摩尔浓度范围为溴酸钠0.0018-0.175mol/L、苹果酸0.005-0.8mol/L、硫酸0.25-2.5mol/L、[CuL](ClO4)2≥4.61×10-4mol/L。本方法具有选择性好、灵敏度高、方便快捷等特点。
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