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公开(公告)号：CN115656310A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202210930111.7
申请日：2022-08-03
申请人： 天津中环领先材料技术有限公司 , 中环领先半导体材料有限公司
发明人： 邓春星 , 由佰玲 , 周迎朝 , 原宇乐 , 武卫 , 刘建伟 , 刘园 , 孙晨光 , 王彦君 , 祝斌 , 刘姣龙 , 裴坤羽 , 常雪岩 , 杨春雪 , 谢艳 , 袁祥龙 , 张宏杰 , 刘秒 , 吕莹 , 徐荣清
IPC分类号： G01N27/626 , G01N1/28 , G01N1/40
摘要： 本发明提供一种基于晶圆解理装置的晶圆体金属检测方法及晶圆解理装置，包括：通过所述解理装置对所述晶圆进行解理；用雾化的氢氟酸处理所述晶圆的解理面；收集所述解理面上的金属离子；通过ICP‑MS检测出所述晶圆中金属的含量；一种晶圆解理装置，包括：刻刀、机械钳和第一载台，所述第一载台被设置于放置晶圆；所述机械钳被设置于所述晶圆的侧面，用于夹取所述晶圆；所述刻刀被设置于所述晶圆的上方，用于切割所述晶圆。本发明的有益效果是通过自动化解理过程，实现对晶圆的机械化解理，用硅片解理的机械方法，使得硅片的内部表面暴露出来，再结合ICP‑MS，使得硅片中的金属元素的含量能够进行表征，从而更加容易地分析与控制硅片中金属元素的含量。
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公开(公告)号：CN112757055B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202110015809.1
申请日：2021-01-07
申请人： 天津中环领先材料技术有限公司 , 中环领先半导体材料有限公司
IPC分类号： B24B1/00 , B24B19/22 , B24B41/06 , B24B47/12 , B24B47/20 , B24B47/22 , H01L21/304 , H01L21/67
摘要： 一种大尺寸晶圆片减薄工艺，包括：执行对晶圆片的厚度进行单面减薄；减薄时，用于减薄晶圆片厚度的砂轮磨盘与晶圆片交叉叠放接触，以设定减薄后厚度目标值分阶段地对晶圆片逐层进行减薄，并实时采用测厚针与晶圆片表面连续接触以监测晶圆片减薄后的厚度值；当减薄后厚度目标值与厚度最终值的差值为2‑5μm时，测厚针远离晶圆片直至减薄结束；同时，在设定转速情况下磨盘仍以前一阶段的进给速度一旋转若干圈，再向远离晶圆片一侧移动一定距离，停止旋转；再在同一设定转速条件下，以进给速度二向靠近晶圆片一侧的方向移动，并以进给速度二对晶圆片厚度进行减薄，直至减薄结束。本发明晶圆片平坦度在1μm内，破片率降低0.009％，单面减薄时间提高17％。
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公开(公告)号：CN115476265A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202211245952.0
申请日：2022-10-12
申请人： 天津中环领先材料技术有限公司 , 中环领先半导体材料有限公司
摘要： 本发明提供一种去除硅片表面颗粒的抛光工艺，至少对抛光后的硅片进行一次粗抛和一次精抛；在粗抛所用的粗抛液中加入活性剂，且加入活性剂的时间小于粗抛的时间。本发明一种去除硅片表面颗粒的抛光工艺，在每一抛光工序中都添加活性剂，且添加活性剂的时间至少持续5s，即可完全抛光掉硅片表面上的颗粒，抛光效果好且抛光效率高；可有效提升硅片表面颗粒的洁净度，对后期器件质量有较大改善，且硅片利用率高，节约成本。
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公开(公告)号：CN112687600A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202110012359.0
申请日：2021-01-06
申请人： 天津中环领先材料技术有限公司 , 中环领先半导体材料有限公司
IPC分类号： H01L21/677
摘要： 本发明提供一种晶圆片承载装置，具有：用于承载晶圆片的箱体、用于可抓取配合的基座、用于与检测机配合的安装座、以及与所述箱体配合的盖体；其中，所述基座和所述安装座分设于所示箱体外侧并对位设置；且所述基座和所述安装座均与所述晶圆片并行放置。本发明承载装置，尤其适用于大尺寸晶圆片的放置，结构强度高且晶圆片放置稳定，可以盖合晶圆片，降低碎片率；可以配合人工操作或机械手夹取操作，而且还可使晶圆片水平或立式放置，使用范围广，实用性强，保证晶圆片质量，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN112505135A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011471290.X
申请日：2020-12-15
申请人： 天津中环领先材料技术有限公司 , 中环领先半导体材料有限公司
发明人： 齐禹纯 , 由佰玲 , 武卫 , 刘建伟 , 刘园 , 孙晨光 , 王彦君 , 常雪岩 , 裴坤羽 , 祝斌 , 刘姣龙 , 张宏杰 , 袁祥龙 , 谢艳 , 杨春雪 , 刘秒 , 吕莹 , 徐荣清
IPC分类号： G01N27/64
摘要： 本发明提供一种测试氧化膜硅基产品硼元素含量的方法，包括使用二次质谱仪检测一级标样的离子强度，计算出RSF值，利用RSF值计算出样片一、样片二和样片三的硼元素浓度，用已知样片一、样片二和样片三的硼元素浓度除以计算出的样片一、样片二和样片三的硼元素浓度，得出3个修正系数，在计算出修正系数的平均修正系数，检测待测样片的硼离子强度，得出临时硼元素浓度，用临时硼元素浓度乘以平均修正系数得出最终待测样片的硼元素浓度。本发明的有益效果是有效的解决硼元素含量过多导致产品失效，现有技术测量元素浓度存在不准确性，不能保证RSF值是否正确，检测速度慢的问题。
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公开(公告)号：CN111823120A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010795447.8
申请日：2020-08-10
申请人： 天津中环领先材料技术有限公司 , 中环领先半导体材料有限公司
摘要： 本发明一种半导体晶圆片抛光设备及抛光方法，包括：用于放置若干晶圆片的放置机构；用于抛光所述晶圆片双面并相互独立转动的上抛机构和下抛机构；以及用于测量所述上抛机构下端面不同位置至其与所述下抛机构上端面相应位置之间距离的测量机构；其中，所述放置机构内置于所述下抛机构上端面，并被所述下抛机构带动旋转；所述上抛机构和所述下抛机构可调整相互之间的距离，以调整所述上抛机构下端面形变量和所述下抛机构上端面形变量。本发明不仅可精确保证晶圆片几何参数，而且还可节约抛光时间，单片晶圆片形变量调整抛光时间提高了约96％，抛光效率高，控制精度高。
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公开(公告)号：CN111180369A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN202010106027.4
申请日：2020-02-20
申请人： 天津中环领先材料技术有限公司 , 中环领先半导体材料有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/02
摘要： 本发明提供一种半导体抛光片清洗设备及清洗方法，包括：分离单元：用于将抛光后的硅圆片与装载所述硅圆片的一号片篮脱离分开；清洗单元：包括若干连续设置的清洗装置，用于对所述硅圆片进行清洗；合体单元：将清洗后的所述硅圆片装载入二号片篮中；在所述分离单元、所述清洗单元和所述合体单元中，分别设有独立的机械手对所述一号片篮或所述硅圆片进行移动操作。本发明先将装有抛光片的片篮与硅圆片分离，再对硅圆片进行分步清洗，清洗后的硅圆片再重新装入另一片篮中，同时在整个清洗过程中使用多个机械手对各个工序进行独立操作硅圆片，防止花篮和机械手对硅圆片造成二次污染，清洗质量好，清洗效率高。
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公开(公告)号：CN113198340A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110589944.7
申请日：2021-05-28
申请人： 天津中环领先材料技术有限公司 , 中环领先半导体材料有限公司
摘要： 本发明提供一种抛光液自动配液装置，其特征在于，包括：回收单元、混合单元以及与所述混合单元相连的原液供液单元、供水单元和KOH供液单元；所述原液供液单元提供的抛光液原液、所述供水单元提供的水和所述KOH供液单元提供的KOH溶液在所述混合单元内进行混合得到抛光液；所述回收单元与所述混合单元和抛光设备连接，所述混合单元内的剩液以及所述抛光液进入所述抛光设备后产生的回收液回收至所述回收单元。本发明的有益效果是有效的解决人工配液时间长、劳动强度高、效率低且配液浓度存在偏差导致产品质量不稳定的问题，对于抛光液的回收再利用进行系统的分类回收，不会造成抛光液的浪费，降低产品的生产成本。
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公开(公告)号：CN112792729A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202110012997.2
申请日：2021-01-06
申请人： 天津中环领先材料技术有限公司 , 中环领先半导体材料有限公司
IPC分类号： B24B37/34 , B24B55/00 , B08B7/00 , B08B13/00 , H01L21/304
摘要： 本发明提供一种硅片减薄净化工件，用于净化放置台面靠近被磨硅片的一侧面，包括基片及置于所述基片一侧的吸附层；所述基片侧面与所述吸附层连接设置，且其结构与所述吸附层相适配；所述吸附层远离所述基片一侧为平面，且其面积不小于被磨所述硅片的面积，并所述吸附层远离所述基片一侧具有粘性。本发明还提出一种采用该工件的减薄净化工艺。本发明减薄净化工件，结构简单且易于操作，可快速与放置被磨硅片的台面配合，经过空置旋转一段时间后，即可完全将台面上的磨削颗粒吸附走，同时还可吸附台面上其它硅粉颗粒，完全净化台面与被磨硅片接触的表面，保证台面洁净度，提高晶片研磨质量，提高研磨效率。
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