本发明提供一种硅片减薄净化工件，用于净化放置台面靠近被磨硅片的一侧面，包括基片及置于所述基片一侧的吸附层；所述基片侧面与所述吸附层连接设置，且其结构与所述吸附层相适配；所述吸附层远离所述基片一侧为平面，且其面积不小于被磨所述硅片的面积，并所述吸附层远离所述基片一侧具有粘性。本发明还提出一种采用该工件的减薄净化工艺。本发明减薄净化工件，结构简单且易于操作，可快速与放置被磨硅片的台面配合，经过空置旋转一段时间后，即可完全将台面上的磨削颗粒吸附走，同时还可吸附台面上其它硅粉颗粒，完全净化台面与被磨硅片接触的表面，保证台面洁净度，提高晶片研磨质量，提高研磨效率。