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公开(公告)号：CN113198340A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110589944.7
申请日：2021-05-28
申请人： 天津中环领先材料技术有限公司 , 中环领先半导体材料有限公司
摘要： 本发明提供一种抛光液自动配液装置，其特征在于，包括：回收单元、混合单元以及与所述混合单元相连的原液供液单元、供水单元和KOH供液单元；所述原液供液单元提供的抛光液原液、所述供水单元提供的水和所述KOH供液单元提供的KOH溶液在所述混合单元内进行混合得到抛光液；所述回收单元与所述混合单元和抛光设备连接，所述混合单元内的剩液以及所述抛光液进入所述抛光设备后产生的回收液回收至所述回收单元。本发明的有益效果是有效的解决人工配液时间长、劳动强度高、效率低且配液浓度存在偏差导致产品质量不稳定的问题，对于抛光液的回收再利用进行系统的分类回收，不会造成抛光液的浪费，降低产品的生产成本。
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公开(公告)号：CN112792729A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202110012997.2
申请日：2021-01-06
申请人： 天津中环领先材料技术有限公司 , 中环领先半导体材料有限公司
IPC分类号： B24B37/34 , B24B55/00 , B08B7/00 , B08B13/00 , H01L21/304
摘要： 本发明提供一种硅片减薄净化工件，用于净化放置台面靠近被磨硅片的一侧面，包括基片及置于所述基片一侧的吸附层；所述基片侧面与所述吸附层连接设置，且其结构与所述吸附层相适配；所述吸附层远离所述基片一侧为平面，且其面积不小于被磨所述硅片的面积，并所述吸附层远离所述基片一侧具有粘性。本发明还提出一种采用该工件的减薄净化工艺。本发明减薄净化工件，结构简单且易于操作，可快速与放置被磨硅片的台面配合，经过空置旋转一段时间后，即可完全将台面上的磨削颗粒吸附走，同时还可吸附台面上其它硅粉颗粒，完全净化台面与被磨硅片接触的表面，保证台面洁净度，提高晶片研磨质量，提高研磨效率。
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公开(公告)号：CN112670220A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202110012998.7
申请日：2021-01-06
申请人： 天津中环领先材料技术有限公司 , 中环领先半导体材料有限公司
IPC分类号： H01L21/673
摘要： 本发明提出一种半导体晶圆片花篮，包括侧板、底柱和端板，至少在侧板内侧沿其高度方向设有若干用于放置晶圆片的插槽；侧板外侧面沿端板外边缘设置；侧板底部与其相邻的底柱一侧边无缝隙连接；底柱下端面与其中一个端板的下端面连接，且在该端板远离插槽一侧面设有卡槽组件；端板除去下端面的其它侧边面均为弧形面；设有卡槽组件的端板相邻侧边面的连接处均设有转角；两个端板靠近底柱一侧的侧边面的结构不同。本发明尤其适用于大尺寸晶圆片的承载放置，不仅结构简单，强度高且稳定性好，便于生产过程的搬运，而且还可与检测机配合，使晶圆片水平、稳定地放置在检测台上，保证晶圆片放置的安全性，降低碎片率。
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公开(公告)号：CN115463594A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211246172.8
申请日：2022-10-12
申请人： 天津中环领先材料技术有限公司 , 中环领先半导体材料有限公司
发明人： 袁祥龙 , 刘园 , 吴雪强 , 武卫 , 刘建伟 , 祝斌 , 刘姣龙 , 裴坤羽 , 孙晨光 , 王彦君 , 张宏杰 , 由佰玲 , 常雪岩 , 杨春雪 , 谢艳 , 刘秒 , 吕莹 , 徐荣清
摘要： 本发明提供一种清洗药液配置系统，包括：原液部：其设有原液槽；配液部：其设有配液槽；清洗部，其配置有清洗槽；每个所述原液槽至少与一个所述配液槽连通；其中一个所述原液槽，与所有所述配液槽连通，且至少与其中一个所述清洗槽连通；每个所述清洗槽至少与一个所述配液槽连通。本发明一种清洗药液配置系统，可自动对多组药液进行配置，且可保证所有药液常用常新，尤其是适用于持续性的硅片清洗所用的药液，并可对每个槽内的药液进行监控，做到现用现配、先配先用，不仅可自动补液而且还可保证药液的鲜活性，提高硅片清洗效果。本发明还提出一种采用该配置系统的监控方法。
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公开(公告)号：CN111211042B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202010033492.X
申请日：2020-01-13
申请人： 天津中环领先材料技术有限公司 , 中环领先半导体材料有限公司
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明提供一种提高边抛大直径硅片表面洁净度的清洗工艺，包括以下步骤，对硅片进行碱溶液清洗；对硅片进行第一纯水清洗，去除硅片表面的碱溶液；对硅片进行酸溶液清洗；对硅片进行第二纯水清洗，去除硅片表面的酸溶液；对硅片进行第三纯水清洗；对硅片进行慢提拉、烘干。本发明的有益效果是用于对大直径硅片边抛后清洗，采用碱洗和酸洗，去除硅片表面的颗粒杂质和金属离子，保证硅片表面的清洁度，降低清洗成本。
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公开(公告)号：CN112872921B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202110286004.0
申请日：2021-03-17
申请人： 天津中环领先材料技术有限公司 , 中环领先半导体材料有限公司
摘要： 一种提高晶圆片边缘平坦度的抛光方法，用于提高R型倒角结构的大尺寸晶圆片外缘平坦度，步骤包括：执行晶圆片放置于其下方的支撑盘中的载具内，并被支撑盘以设定转速带动旋转；置于晶圆片上方的压盘以设定压力、设定转速与所述支撑盘一起旋转，分别对晶圆片的上端面和下端面进行抛光；分别设于支撑盘和压盘上且与晶圆片双面接触的抛光垫的厚度不大于1mm；设于支撑盘中且用于放置晶圆片的放置孔的内径边缘为圆形倒角结构，且放置孔内径边缘倒角结构的角度小于晶圆片边缘倒角的角度。本发明可使晶圆片双面的平坦度均被控制在0.5μm以内，且晶圆片边缘平坦度值控制在0.08μm以内，相应成品率提高至90％。
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公开(公告)号：CN112373840B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011221911.9
申请日：2020-11-05
申请人： 天津中环领先材料技术有限公司 , 中环领先半导体材料有限公司
IPC分类号： B65B51/10
摘要： 本发明提供一种12英寸硅片包装工艺，包括S1：将12英寸硅片装入片盒中，再将片盒装入内包装袋中；S2：通过真空包装装置抽取所述内包装袋内的气体，设置真空压强为55kpa‑65kpa；S3：在所述内包装袋封口处进行热封；S4：将热封后的所述内包装袋封口处进行冷却；S5：用胶带固定所述内包装袋封口；S6：将冷却好的所述内包装袋装入外包装袋中，通过所述真空包装装置抽取外包装袋内的气体，真空压强为55kpa‑65kpa；所述外包装袋封口处进行热封；将热封好的所述外包装袋进行冷却；用胶带固定所述外包装袋封口。本发明的有益效果是解决了在运输过程中会因碰撞摩擦导致包装袋破损，密封性差，导致运输过程中硅片表面颗粒增长量高、表面金属含量高的问题，提高硅片的质量。
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公开(公告)号：CN113001392A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110024202.X
申请日：2021-01-08
申请人： 天津中环领先材料技术有限公司 , 中环领先半导体材料有限公司
摘要： 本发明提供一种大尺寸硅片研磨工艺，包括：将硅片放入游星盘中，加入研磨液；上磨盘和下磨盘开始研磨所述硅片，上磨盘气缸的压力为轻压范围，所述上磨盘和所述下磨盘以一定转速研磨一段时间；将所述上磨盘气缸的压力由所述轻压范围调整至中压范围，所述上磨盘和所述下磨盘转速不变，研磨一段时间；将所述上磨盘气缸的压力由所述中压范围调整至高压范围，所述上磨盘和所述下磨盘转速不变，研磨一段时间。本发明的有益效果是有效的解决现有技术研磨效率低，且磨后硅片表面不平整，影响硅片的性能和质量的问题，还有硅片表面的总厚度变化变化大导致需要经常更换研磨液，现有的游星盘容易混乱硅片的加工顺序，致使生产效率降低的问题。
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公开(公告)号：CN112405339A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011404818.1
申请日：2020-12-05
申请人： 天津中环领先材料技术有限公司 , 中环领先半导体材料有限公司
摘要： 一种硅片抛光用暂存放置系统，包括用于放置待抛光硅片的上载暂存机构；用于放置抛光后硅片的下载暂存机构；以及用于驱动上载暂存机构和下载暂存机构旋转，并向置于上载暂存机构或下载暂存机构上硅片的非抛光面进行喷淋的驱动清洗机构；其中，上载暂存机构使硅片的待抛光面被溶液浸润；下载暂存机构使硅片的抛光面被溶液保护且被清洗；上载暂存机构和下载暂存机构绕设于驱动清洗机构设置。本发明同步对多组上载或下载硅片进行稳定暂存放置，不仅使上载硅片的待抛光面完全浸润，亦同时对上载硅片的非抛光面进行保护；而且使下载硅片的抛光面完全处于水液环境中与空气隔绝，也同时对下载硅片的非抛光面上的抛光液和杂质进行清洗去除。
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公开(公告)号：CN112366132A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202011222638.1
申请日：2020-11-05
申请人： 天津中环领先材料技术有限公司 , 中环领先半导体材料有限公司
发明人： 由佰玲 , 周迎朝 , 邓春星 , 董楠 , 苗向春 , 原宇乐 , 武卫 , 刘建伟 , 刘园 , 孙晨光 , 王彦君 , 祝斌 , 刘姣龙 , 裴坤羽 , 常雪岩 , 杨春雪 , 谢艳 , 袁祥龙 , 张宏杰 , 刘秒 , 吕莹 , 徐荣清
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/316
摘要： 本发明提供一种硅片氧化方法，步骤至少包括：对硅片预加热至设定温度并生成臭氧气体；再在所述设定温度下保温一定时间，所述臭氧在所述设定温度下使所述硅片双侧表面分别形成二氧化硅氧化层。本发明氧化方法，可快速准确地在较短时间内对硅片双侧表面进行氧化，并在硅片双侧表面分别形成一层二氧化硅氧化层，整个操作过程不仅无需采用化学试剂，而且在硅片表面是非破坏性的；氧化层一致性好；氧化时间短且效率高，无污染，能源用量少。
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