-
公开(公告)号：CN115864002A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211416670.2
申请日：2022-11-13
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于光学超材料技术领域，具体为一种基于二氧化钒平面开口谐振环的可调节太赫兹超材料。本发明超材料包括高阻硅片衬底、形成在衬底上的由平面开口谐振环结构单元组成的二维阵列；结构单元包括二氧化钒薄膜、金薄膜；由金薄膜产生电磁波共振，二氧化钒调制整体吸收率；该二维超材料实现可调节共振吸收方式为：在室温下，二氧化钒为绝缘态，只由金介质作为共振吸收单元，L‑C共振和磁共振产生两个波长位置的吸收峰；二氧化钒加热至相变温度以上，变为金属相，对红外波段产生强烈吸收，在两个峰位共振吸收的基础上使整体的吸收率大幅度提高。本发明仅通过温度的变化就可实现吸收率大范围调节，在微纳光学、吸波材料等领域具有广阔应用前景。
-
公开(公告)号：CN108933183A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201810715873.9
申请日：2018-07-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中国科学院大学 , 复旦大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/109 , H01L31/0352 , H01L31/028
Abstract: 本发明提供的基于硅-石墨烯的光电探测器的制备方法，采用柔软的固定层作为光电探测器的衬底，提高了器件的柔性；另外采用SOI衬底作为制备探测器的前驱，使用SOI衬底的顶层硅以及石墨烯作为异质结，石墨烯只有一个原子厚度，同时顶层硅的厚度也很小，所以释放后，探测器的柔性效果更佳，进一步提高了整个器件的柔性，扩大了探测器的使用场景，使探测器可以应用到未来的可穿戴设备中；最后，SOI衬底的图形化加工及第一金属电极及第二金属电极的形成均与CMOS工艺兼容，从而大大简化了制备过程，降低成本。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115864001A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211416667.0
申请日：2022-11-13
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于太赫兹超材料领域，具体为一种基于二氧化钒三维可重构开口谐振环的太赫兹超材料。本发明太赫兹超材料包括高阻硅片衬底、三维开口谐振环的结构单元组成的二维阵列；结构单元为由二氧化钒和金薄膜双层条带卷曲成立体结构；由金薄膜产生电磁波共振，二氧化钒可改变谐振环开口角度。该三维超材料实现共振吸收和调制的方式为：在室温下太赫兹电磁波与金开口谐振环发生L‑C共振，产生特定频率的吸收；随着温度升高，二氧化钒发生由绝缘相至金属相的相变，晶格变化产生体积膨胀，开口谐振环开口角度随温度上升而变大，进而对太赫兹电磁波的共振频率进行调节。本发明突破传统平面结构不足，实现对共振频率动态调节，拓展了太赫兹超材料应用前景。
-
公开(公告)号：CN108933183B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201810715873.9
申请日：2018-07-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中国科学院大学 , 复旦大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/109 , H01L31/0352 , H01L31/028
Abstract: 本发明提供的基于硅‑石墨烯的光电探测器的制备方法，采用柔软的固定层作为光电探测器的衬底，提高了器件的柔性；另外采用SOI衬底作为制备探测器的前驱，使用SOI衬底的顶层硅以及石墨烯作为异质结，石墨烯只有一个原子厚度，同时顶层硅的厚度也很小，所以释放后，探测器的柔性效果更佳，进一步提高了整个器件的柔性，扩大了探测器的使用场景，使探测器可以应用到未来的可穿戴设备中；最后，SOI衬底的图形化加工及第一金属电极及第二金属电极的形成均与CMOS工艺兼容，从而大大简化了制备过程，降低成本。
-
公开(公告)号：CN103058129B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310003760.3
申请日：2013-01-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 复旦大学
Abstract: 本发明提供一种基于边缘转移法制备柔性衬底上半导体亚微米带的方法及柔性光波导，将绝缘体上半导体衬底的顶层半导体刻蚀成间隔排列的半导体条结构；采用HF溶液将埋氧层腐蚀成多个支撑结构，使各该半导体条结构的两侧形成悬空的半导体带结构；将一PDMS衬底与各该半导体条结构进行保角性接触；将所述PDMS衬底朝预设方向掀起，使各该半导体带结构与各该半导体条结构脱离而转移至所述PDMS衬底；可通过所制备的半导体亚微米带制作柔性衬底上硅光波导。本发明首次提出通过控制绝缘体上半导体材料边缘腐蚀的方法实现半导体亚微米带向柔性衬底的转移；半导体亚微米带的宽度、排列可控性非常高，可应用于较高精度的器件的制作；方法简易有效且成本较低。
-
公开(公告)号：CN103065937A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210593800.X
申请日：2012-12-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 复旦大学
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L24/95 , H01L2224/95085
Abstract: 本发明涉及基于图形识别在衬底上集成多种材料的方法，包括通过光刻以及RIE刻蚀过程制备具有微型井图形的衬底以及制备与所述微型井图形互补的、不同材料的微单元的步骤；然后将具有微型井图形的衬底以及与所述微型井图形互补的、不同材料的微单元放入盛有酸性组装液的容器中，利用脉冲湍流系统在容器中产生湍流，从而对微单元产生扰动使得形状互补的微单元与具有微型井图形的衬底通过图形辨认自组装集成一体。本发明最终形成硅基衬底上不同半导体材料集成的结构，即MSMOS（Multi-Semiconductor Materials on Silicon）。这种自组装形成的材料满足国际半导体技术发展路线图(ITRS)所提出的延续摩尔定律以及超越摩尔定律的材料需求；解决了异质生长的失配问题；同时，自组装形成异质材料集成的方法更加简易，成本更低。
-
公开(公告)号：CN103058129A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201310003760.3
申请日：2013-01-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 复旦大学
Abstract: 本发明提供一种基于边缘转移法制备柔性衬底上半导体亚微米带的方法及柔性光波导，将绝缘体上半导体衬底的顶层半导体刻蚀成间隔排列的半导体条结构；采用HF溶液将埋氧层腐蚀成多个支撑结构，使各该半导体条结构的两侧形成悬空的半导体带结构；将一PDMS衬底与各该半导体条结构进行保角性接触；将所述PDMS衬底朝预设方向掀起，使各该半导体带结构与各该半导体条结构脱离而转移至所述PDMS衬底；可通过所制备的半导体亚微米带制作柔性衬底上硅光波导。本发明首次提出通过控制绝缘体上半导体材料边缘腐蚀的方法实现半导体亚微米带向柔性衬底的转移；半导体亚微米带的宽度、排列可控性非常高，可应用于较高精度的器件的制作；方法简易有效且成本较低。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.015 seconds)
