公开(公告)号：CN102593064B

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201210061480.3

申请日：2012-03-11

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王鹏飞 ,  林曦 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L21/8254

CPC classification number: H01L21/8258 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明属于半导体存储器器件制造技术领域，具体公开了一种栅控二极管半导体存储器器件的制造方法。本发明采用低温工艺制备栅控二极管半导体存储器器件，工艺过程简单、制造成本低，而且所制造的栅控二极管存储器器件具有大驱动电流、小亚阈值摆幅的优点。本发明所提出的栅控二极管半导体存储器器件的制造方法特别适用于平板显示、浮栅存储器以及基于柔性衬底的存储器器件的制造中。

公开(公告)号：CN102185003B

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201110094530.3

申请日：2011-04-15

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王鹏飞 ,  林曦 ,  王玮 ,  刘晓勇 ,  张卫

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1804 ,  G02B6/42 ,  G02B6/4214 ,  H01L27/2454 ,  H01L27/304 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/113 ,  H01L31/1136 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明属于光互连技术领域，具体涉及一种由隧穿场效应晶体管（TFET）组成的光探测器。本发明将隧穿场效应晶体管和光纤整合在一起，采用垂直沟道的隧穿场效应晶体管作为探测器来对光进行检测，所需偏压低，降低了能耗，并且提高了光探测器的输出电流和灵敏度。同时，本发明还公开了一种采用自对准工艺来制造由隧穿场效应晶体管组成的光探测器的方法，使得制程更加稳定，降低了生产成本。

公开(公告)号：CN102709308A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210206510.5

申请日：2012-06-21

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林曦 ,  王鹏飞 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00

Abstract: 本发明属于半导体存储器技术领域，具体涉及一种集成阻变存储器的MOS晶体管结构及其制造方法。本发明提出的集成阻变存储器的MOS晶体管结构包括在衬底上形成的MOS晶体管和阻变存储器，所述MOS晶体管的栅介质层延伸至所述MOS晶体管的漏区表面之上，所述延伸至MOS晶体管的漏区表面之上的栅介质层部分形成所述阻变存储器的阻变存储层。本发明经过一次原子层淀积工艺来获得高质量的MOS晶体管的栅介质层与阻变存储器的阻变存储层，将阻变存储器与MOS晶体管集成在一起，工艺步骤简单，而且可以兼容浅沟槽隔离工艺或者场氧化层隔离工艺以及源、漏的离子注入或者扩散工艺，便于工艺集成。

公开(公告)号：CN101901813B

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201010231342.6

申请日：2010-07-20

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王鹏飞 ,  林曦 ,  张卫

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种垂直结构的半导体存储器及其制造方法。本发明的存储器是垂直沟道型双金属浮栅存储器，它包括至少一个衬底区、一个漏区、一个源区、两个浮栅区和一个控制栅极，所述存储器的浮栅区用于存储电荷。本发明还公开了上述双金属浮栅存储器的制造方法。本发明采用垂直的沟道结构，在增大栅长的情况下不会占用更多的芯片面积，有利于芯片往高度集成的方向发展；用简化的方法制造出面积较小的双位存储单元，可以在相同面积的硅衬底上制造出更多的存储器单元，从而实现高密度存储。

公开(公告)号：CN102403233A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110410898.6

申请日：2011-12-12

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王鹏飞 ,  林曦 ,  刘伟 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7391 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66356

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种垂直沟道的隧穿晶体管的制造方法。围栅型的栅极结构增强了栅极的控制能力，窄禁带宽度材料的源极使得器件的驱动电流得到提升。采用本发明所提出的垂直沟道的型隧穿晶体管的制造方法，可以精确地控制沟道的长度，工艺过程简单，易于控制，降低了生产成本。

公开(公告)号：CN102185105A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN201110101360.7

申请日：2011-04-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王鹏飞 ,  林曦 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C16/04

CPC classification number: H01L27/2463 ,  H01L27/2445 ,  H01L27/2472 ,  H01L29/7391 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1675

Abstract: 本发明属于微电子器件技术领域，具体为一种半导体存储器结构及其制造方法。该半导体存储器采用隧穿场效应晶体管对相变存储器或阻变存储器进行比如擦写操作和读操作的控制，一方面，隧穿场效应晶体管的正向偏置p-n结电流可以满足相变存储器或阻变存储器需要较大的电流来进行擦写操作的特点；另一方面，垂直结构的场效应晶体管可以大大提高存储器件阵列的密度。本发明还公开了一种使用自对准工艺来制造所述半导体存储器结构的方法，非常适用于存储器芯片的制造。

公开(公告)号：CN102097447A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN201010545127.3

申请日：2010-11-16

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王鹏飞 ,  林曦 ,  刘昕彦 ,  张卫

IPC: H01L27/15 ,  H01L27/04 ,  H01L21/82 ,  H01L33/00 ,  G03B21/20

CPC classification number: H01L25/167 ,  G03B21/2033 ,  H01L25/0753 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体公开了一种亮度可调的发光器件、阵列及其制造方法。所述发光器件包括包括一个半导体衬底、位于所述半导体衬底之上的MOSFET和发光二极管。发光二极管（LED）及其控制元件（MOSFET）集成在同一个芯片上，使单个芯片就可以实现图像的发射。由多个所述的发光器件还可以构成发光器件阵列。同时，本发明还公开了所述发光器件的制造方法。采用本发明所提出的发光器件制造的投影设备具有体积小、可便携性、功耗低等优点，而且，集成电路芯片的使用，使得投影设备系统大大简化，降低了生产成本，并且可以大大提高像素及亮度。

公开(公告)号：CN102244102B

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201110177163.3

申请日：2011-06-28

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林曦 ,  王玮 ,  王鹏飞 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明属于量子效应器件技术领域，具体涉及一种基于电子隧穿的围栅型栅控金属-绝缘体器件。本发明包括：半导体衬底，所述半导体衬底之上的源极、漏极、隧穿绝缘体层、金属层；所述金属层、隧穿绝缘体层与所述半导体衬底构成一个MIS结构；还包括一栅绝缘体层和栅绝缘体层之上围绕所述MIS结构一周的栅极。本发明采用平台工艺制作了基于量子隧穿效应的栅控金属-绝缘体器件，采用围栅型栅极对器件进行控制，增强了栅极的控制能力，同时，通过对围栅型栅控金属-绝缘体器件施加合适的偏压，可以控制其隧穿效率，将漏电流减小到远远小于普通二极管的程度，降低了芯片功耗。

公开(公告)号：CN102779853A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201210290113.0

申请日：2012-08-16

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林曦 ,  陈帆 ,  刘梅 ,  季伟 ,  徐向明 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种制作在锗硅外延层上的隧穿晶体管及其制造方法。本发明先在半导体衬底之上外延生长锗硅外延层，然后再在锗硅外延层上制备隧穿晶体管，所得到的隧穿晶体管具有高的开关电流，而且，本发明所提出的制作在锗硅外延层上的隧穿晶体管的制造方法与传统的CMOS工艺兼容，工艺过程简单，制造成本低。

公开(公告)号：CN102054690B

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201010552635.4

申请日：2010-11-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王鹏飞 ,  林曦 ,  张卫

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L29/66333 ,  H01L21/76275 ,  H01L29/41741

Abstract: 本发明属于高压大功率器件技术领域，具体为一种用于制造大功率器件的半导体衬底的制造方法。该方法先对区熔硅片的正面进行离子注入，然后采用耐高温金属作为中间媒介将倒扣后的区熔硅片和高掺杂直拉硅片进行键合形成半导体衬底。键合后，区熔硅片用于制备IGBT器件，高掺杂直拉硅片作为低阻的背部接触，可以减少区熔硅片的用量，降低生产成本。同时，键合后不再需要进行背部的金属化工序，简化了加工制程，提高了生产良率。