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公开(公告)号：CN102231391B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201110177230.1
申请日：2011-06-28
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明属于量子效应器件技术领域，具体涉及一种基于金属-绝缘体-半导体（MIS）结构的量子效应器件。本发明包括：一个半导体衬底，位于半导体衬底之上的源极、漏极、隧穿绝缘体层、金属层；所述的金属层、隧穿绝缘体层与半导体衬底构成一个MIS结构；还包括：位于所述MIS结构一侧的栅极以及位于所述MIS结构与所述栅极之间的栅绝缘体层。本发明将量子隧穿效应和一种栅控二极管结合在一起，采用平台工艺制作出基于量子隧穿效应的栅控金属绝缘体半导体二极管。通过对量子效应器件施加合适的偏压，可以控制其隧穿效率，将漏电流减小到远远小于普通二极管的程度,降低了芯片功耗。
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公开(公告)号：CN102464578A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010544163.8
申请日：2010-11-15
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于药学领域，涉及绵马酚类化合物及其抑制多药耐药金黄葡萄球菌活性的用途。本发明从金丝桃科植物金丝桃中提取分离到绵马酚类具有抗耐药菌活性的化合物,它们的结构鉴定为式I所示化合物aspidinolC和D，本发明所述的化合物aspidinolC和D，经抑菌实验表明，对于六种不同机制的耐药菌株都有一定的抑制作用。其中对具有耐氟喹诺酮类外泵蛋白NorA的金葡菌株SA-1199B的活性均强于对照药物诺氟沙星，本发明所述的化合物可用于制备抗菌药物制剂。其中，R代表低级烷基：1到5个碳的直链或支链烷基，如：甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、异戊基、新戊基。
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公开(公告)号：CN102185003A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110094530.3
申请日：2011-04-15
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1804 , G02B6/42 , G02B6/4214 , H01L27/2454 , H01L27/304 , H01L31/02327 , H01L31/113 , H01L31/1136 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明属于光互连技术领域，具体涉及一种由隧穿场效应晶体管（TFET）组成的光探测器。本发明将隧穿场效应晶体管和光纤整合在一起，采用垂直沟道的隧穿场效应晶体管作为探测器来对光进行检测，所需偏压低，降低了能耗，并且提高了光探测器的输出电流和灵敏度。同时，本发明还公开了一种采用自对准工艺来制造由隧穿场效应晶体管组成的光探测器的方法，使得制程更加稳定，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN102222697B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201110177198.7
申请日：2011-06-28
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明属于量子效应器件技术领域，具体涉及一种基于电子隧穿的栅控金属-绝缘体器件。本发明包括：一个半导体衬底，位于半导体衬底之上的源极、漏极、源掺杂区、隧穿绝缘体层、金属层；所述的金属层、隧穿绝缘体层与半导体衬底构成一个MIS结构；还包括：位于半导体衬底之上所述MIS结构一侧的栅极，以及位于MIS结构与所述栅极之间的栅绝缘体层。本发明采用平台工艺制作了一种基于量子隧穿效应的类似MOSFET（MOS-like）的器件，通过对MOS-like器件施加合适的偏压，可以控制其隧穿效率，减小反向电流，提高亚阈值摆幅性能。
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公开(公告)号：CN103151383A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310072169.3
申请日：2013-03-06
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种具有叠层结构的U型沟道隧穿晶体管及其制备方法。本发明通过外延生长的方法在隧穿晶体管的锗化硅源区下面形成一层与锗化硅源区掺杂类型相反的高掺杂硅层，锗化硅相对于硅具有更窄的禁带宽度，因此可以提高源区和沟道区之间的能带弯曲程度，进而能够减小隧穿长度、提高隧穿效率。本发明所提出的具有叠层结构的U型沟道隧穿晶体管可以在不影响关断电流的情况下大幅度提高开启电流，降低亚阈值摆幅。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102222697A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110177198.7
申请日：2011-06-28
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明属于量子效应器件技术领域，具体涉及一种基于电子隧穿的栅控金属-绝缘体器件。本发明包括：一个半导体衬底，位于半导体衬底之上的源极、漏极、源掺杂区、隧穿绝缘体层、金属层；所述的金属层、隧穿绝缘体层与半导体衬底构成一个MIS结构；还包括：位于半导体衬底之上所述MIS结构一侧的栅极，以及位于MIS结构与所述栅极之间的栅绝缘体层。本发明采用平台工艺制作了一种基于量子隧穿效应的类似MOSFET（MOS-like）的器件，通过对MOS-like器件施加合适的偏压，可以控制其隧穿效率，减小反向电流，提高亚阈值摆幅性能。
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公开(公告)号：CN102222686A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110177226.5
申请日：2011-06-28
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本发明属于量子效应器件技术领域，具体涉及一种基于电子隧穿的围栅型栅控金属-绝缘体器件。本发明包括：一个半导体衬底，位于半导体衬底上的源极、漏极、源掺杂区、隧穿绝缘体层、金属层；所述的金属层、隧穿绝缘体层与半导体衬底构成一个MIS结构；还包括：栅绝缘体层以及位于所述栅绝缘体层之上围绕MIS结构一周的栅极。本发明采用平台工艺制作了一种基于量子隧穿效应的围栅型栅控金属-绝缘体器件，所述栅极围绕所述金属-绝缘体结构一周，用于增强栅极的控制能力，同时通过对围栅型栅控金属-绝缘体器件施加合适的偏压，可以控制其隧穿效率，减小漏电流电流，提高亚阈值摆幅性能。
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公开(公告)号：CN103151383B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310072169.3
申请日：2013-03-06
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种具有叠层结构的U型沟道隧穿晶体管及其制备方法。本发明通过外延生长的方法在隧穿晶体管的锗化硅源区下面形成一层与锗化硅源区掺杂类型相反的高掺杂硅层，锗化硅相对于硅具有更窄的禁带宽度，因此可以提高源区和沟道区之间的能带弯曲程度，进而能够减小隧穿长度、提高隧穿效率。本发明所提出的具有叠层结构的U型沟道隧穿晶体管可以在不影响关断电流的情况下大幅度提高开启电流，降低亚阈值摆幅。
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公开(公告)号：CN102185003B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201110094530.3
申请日：2011-04-15
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1804 , G02B6/42 , G02B6/4214 , H01L27/2454 , H01L27/304 , H01L31/02327 , H01L31/113 , H01L31/1136 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明属于光互连技术领域，具体涉及一种由隧穿场效应晶体管（TFET）组成的光探测器。本发明将隧穿场效应晶体管和光纤整合在一起，采用垂直沟道的隧穿场效应晶体管作为探测器来对光进行检测，所需偏压低，降低了能耗，并且提高了光探测器的输出电流和灵敏度。同时，本发明还公开了一种采用自对准工艺来制造由隧穿场效应晶体管组成的光探测器的方法，使得制程更加稳定，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN102438367A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110326689.3
申请日：2011-10-25
Applicant: 复旦大学
IPC: H05B37/02
CPC classification number: Y02B20/42
Abstract: 本发明涉及一种基于视觉功效学的线性化调光系统，目的是提供一种基于人眼感受亮度的线性化调光系统，能够根据当前亮度、目标亮度、调光时间来计算调光曲线。本发明提出的线性化调光原理基于视觉功效学和心理物理学的研究结果，即感受亮度与实际亮度呈对数变化。通过建立调光电气参数、实际亮度、感受亮度这三者之间的对应关系，然后以感受亮度线性变化为目标，根据用户的参数设定，解算出电气参数的变化曲线。然后直接控制电气参数按照曲线变化，实现线性化调光。本发明可以使得在调光过程中感受亮度随时间线性变化，调光过程更加均匀柔和。可用于机舱等对照明要求较高的场合以及室内照明领域。
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