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公开(公告)号：CN102779853A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210290113.0
申请日：2012-08-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/8238
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种制作在锗硅外延层上的隧穿晶体管及其制造方法。本发明先在半导体衬底之上外延生长锗硅外延层，然后再在锗硅外延层上制备隧穿晶体管，所得到的隧穿晶体管具有高的开关电流，而且，本发明所提出的制作在锗硅外延层上的隧穿晶体管的制造方法与传统的CMOS工艺兼容，工艺过程简单，制造成本低。
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