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公开(公告)号：CN103000650B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201210529104.2
申请日：2012-12-10
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L27/1461 , H01L27/14641 , H01L27/14649
Abstract: 本发明属于半导体感光器件技术领域，具体涉及一种近红外-可见光可调图像传感器。本发明将硅基光电二极管与锗化硅基光电二极管集成在同一芯片上，通过增加一个传递晶体管，实现硅基光电二极管与锗化硅基光电二极管在不同时刻被同一读出电路控制，从而拓宽感光器件的光谱响应范围，实现芯片的高集成度与多功能性，并降低芯片的制造成本。本发明适用于低功耗、中高端产品以及特定波段的感光设备，特别适用于军事、通信等特定用途的领域。
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公开(公告)号：CN101976668B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201010293194.0
申请日：2010-09-27
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/102 , H01L21/8252 , H01L33/06 , G03B21/20
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种使用硅基MOS管控制发光二极管的半导体器件、阵列及制备方法。本半导体器件包括至少两个半导体衬底、位于所述半导体衬底之上形成的一个硅基MOS晶体管和一个发光二极管。本发明将发光二极管及硅基MOS晶体管集成在同一个芯片上，使单个芯片就可以实现图像的发射。由多个所述半导体器件还可以构成一个半导体器件阵列。采用本发明技术制造的投影机具有体积小、功耗低、可便携性等优点，而且，集成电路芯片的使用，使得投影机系统大大简化，降低了生产成本，并且可以大大提高像素及亮度。
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公开(公告)号：CN102097447A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010545127.3
申请日：2010-11-16
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: H01L25/167 , G03B21/2033 , H01L25/0753 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体公开了一种亮度可调的发光器件、阵列及其制造方法。所述发光器件包括包括一个半导体衬底、位于所述半导体衬底之上的MOSFET和发光二极管。发光二极管（LED）及其控制元件（MOSFET）集成在同一个芯片上，使单个芯片就可以实现图像的发射。由多个所述的发光器件还可以构成发光器件阵列。同时，本发明还公开了所述发光器件的制造方法。采用本发明所提出的发光器件制造的投影设备具有体积小、可便携性、功耗低等优点，而且，集成电路芯片的使用，使得投影设备系统大大简化，降低了生产成本，并且可以大大提高像素及亮度。
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公开(公告)号：CN101969061A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN201010293306.2
申请日：2010-09-27
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/088 , H01L29/10 , H01L21/786
Abstract: 本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体为一种鳍型隧穿晶体管集成电路及其制备方法。在基于绝缘体上的硅衬底的基础上，在隧穿晶体管中采用鳍型栅结构，并且采用高k介质作为栅介质，采用低k介质作为边墙材料。本发明所提出的鳍型隧穿晶体管集成电路，在提高集成电路驱动电流的同时，可以加快集成电路的开关速度，降低芯片功耗。进一步地，本发明还公开了所述鳍型隧穿晶体管集成电路的制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103000650A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210529104.2
申请日：2012-12-10
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L27/1461 , H01L27/14641 , H01L27/14649
Abstract: 本发明属于半导体感光器件技术领域，具体涉及一种近红外-可见光可调图像传感器。本发明将硅基光电二极管与锗化硅基光电二极管集成在同一芯片上，通过增加一个传递晶体管，实现硅基光电二极管与锗化硅基光电二极管在不同时刻被同一读出电路控制，从而拓宽感光器件的光谱响应范围，实现芯片的高集成度与多功能性，并降低芯片的制造成本。本发明适用于低功耗、中高端产品以及特定波段的感光设备，特别适用于军事、通信等特定用途的领域。
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公开(公告)号：CN101976668A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010293194.0
申请日：2010-09-27
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/102 , H01L21/8252 , H01L33/06 , G03B21/20
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种使用硅基MOS管控制发光二极管的半导体器件、阵列及制备方法。本半导体器件包括至少两个半导体衬底、位于所述半导体衬底之上形成的一个硅基MOS晶体管和一个发光二极管。本发明将发光二极管及硅基MOS晶体管集成在同一个芯片上，使单个芯片就可以实现图像的发射。由多个所述半导体器件还可以构成一个半导体器件阵列。采用本发明技术制造的投影机具有体积小、功耗低、可便携性等优点，而且，集成电路芯片的使用，使得投影机系统大大简化，降低了生产成本，并且可以大大提高像素及亮度。
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公开(公告)号：CN101894840A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010221408.3
申请日：2010-07-08
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/088 , H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/8234
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体公开了一种半导体集成电路。该半导体集成电路包括一个栅控PNPN晶体管和一个MOS晶体管。所述集成电路中的栅控PNPN晶体管和MOS晶体管均采用凹陷型沟道结构，可在提高驱动电流的同时抑制漏电流的增加，即在降低芯片功耗的同时提高了芯片的性能。本发明还公开了所述半导体集成电路的制造方法。本发明所提出的半导体集成电路，特别适用于低功耗集成电路芯片的制造。
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公开(公告)号：CN101894866B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201010220542.1
申请日：2010-07-08
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明属于功率半导体器件技术领域，具体为一种凹陷沟道的碰撞电离型场效应晶体管及其制造方法。包括一个半导体衬底，位于衬底底部的具有第一种掺杂类型的漏区，位于衬底内的凹槽结构，覆盖在凹槽内的栅极，位于栅极与半导体衬底之间的栅介质层；位于凹槽两侧、衬底顶部的具有第二种掺杂类型的源区，位于凹槽与源区之间的绝缘介质层。凹陷型沟道结构和碰撞电离工作原理的使用，使晶体管在抑制亚阈值摆幅的同时可提高驱动电流，进而提高器件的开关速度和响应频率，同时也减小器件的关态功耗。本发明的场效应晶体管非常适用于集成电路芯片的制造，特别是高速大功率芯片的制造。
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公开(公告)号：CN101894866A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010220542.1
申请日：2010-07-08
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明属于功率半导体器件技术领域，具体为一种凹陷沟道的碰撞电离型场效应晶体管及其制造方法。包括一个半导体衬底，位于衬底底部的具有第一种掺杂类型的漏区，位于衬底内的凹槽结构，覆盖在凹槽内的栅极，位于栅极与半导体衬底之间的栅介质层；位于凹槽两侧、衬底顶部的具有第二种掺杂类型的源区，位于凹槽与源区之间的绝缘介质层。凹陷型沟道结构和碰撞电离工作原理的使用，使晶体管在抑制亚阈值摆幅的同时可提高驱动电流，进而提高器件的开关速度和响应频率，同时也减小器件的关态功耗。本发明的场效应晶体管非常适用于集成电路芯片的制造，特别是高速大功率芯片的制造。
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