公开(公告)号：CN117293028A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202311273341.1

申请日：2023-09-28

Applicant: 国网河南省电力公司电力科学研究院 ,  北京科技大学 ,  国网河南省电力公司

Inventor： 杜君莉 ,  吕中宾 ,  史书怀 ,  刘明蕊 ,  夏大伟 ,  何晓宇 ,  李珍平 ,  曹桂州 ,  李超 ,  张朝峰 ,  张铮 ,  汪莉

IPC: H01L21/332 ,  H01L21/28 ,  H01L29/74 ,  H01L29/16 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明公开了一种基于电极和介电层共同转移的二维晶闸管构筑方法，包括以下步骤：选取实验衬底，将铜箔基底上的石墨烯转移至所述实验衬底上，获得石墨烯薄膜；在所述石墨烯薄膜上依次制备介电层、金属电极层、粘附层和支撑层，获得层叠结构；利用水的张力，将所述层叠结构从所述实验衬底的表面剥离；构筑二维晶闸管的衬底，作为目标衬底；将剥离的层叠结构贴合到所述目标衬底上，并将所述粘附层和支撑层去除，进而完成二维晶闸管的制备。本发明利用水的张力进行金属电极和介电层共同转移方法，保证了二维材料界面的平坦、清洁，且具有普适性，有助于基于二维半导体的晶闸管结构设计和优化，扩展新型半导体材料应用。

公开(公告)号：CN119824369A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202510034590.8

申请日：2025-01-09

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  徐明杰 ,  张铮 ,  张先坤 ,  洪孟羽 ,  王玉南 ,  尚金森 ,  刘明蕊

IPC: C23C14/14 ,  H10D64/27 ,  H10D30/60 ,  H01L21/283 ,  H01L21/28 ,  C23C14/08 ,  C23C14/06 ,  C23C14/10 ,  C23C14/24 ,  C23C14/58 ,  C23C14/35 ,  C23C14/30 ,  C23C14/28 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  C23C16/40 ,  C23C16/34

Abstract: 本发明公开了一种基于易挥发性牺牲层辅助介电层制备的方法，属于晶体管的构筑工艺技术领域。所述基于易挥发性牺牲层辅助介电层制备的方法包括以下步骤：在衬底上沉积易挥发性材料，得到易挥发性牺牲层；在所述易挥发性牺牲层表面沉积介电层材料，然后进行后处理，在衬底表面获得范德华接触的介电层。该方法利用易挥发性材料作为介电层材料生长的籽晶层和形成范德华间隙的牺牲层，避免了原位沉积对二维半导体材料造成的损伤以及直接沉积的介电层材料致密度不足、薄膜厚度不均匀问题，优化了晶体管器件的构筑工艺。该方法无需通过转移就可以实现原位沉积的介电层的范德华接触，与硅基晶体管构筑工艺兼容，有望应用于硅基制程中。