公开(公告)号：CN119776766A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411962019.4

申请日：2024-12-27

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 姜巍 ,  崔文龙 ,  王麒翔 ,  田向毅 ,  李宗霖 ,  江奕霖

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/35 ,  C23C14/14

Abstract: 本发明提出了一种耐腐蚀低摩擦的CoCrNiTiC中熵合金碳化物薄膜及其制备方法。其组成元素为Co、Cr、Ni、Ti和C。采用平面射频磁控溅射在基体和单晶硅片(100)上制备CoCrNiTiC中熵合金碳化物薄膜，靶材选择CoCrNi合金靶、Ti靶材、石墨靶，溅射过程中所通气体为纯度99.99％的Ar气，工作气压1.0Pa，沉积时间2h。本发明通过平面靶磁控溅射制备CoCrNiTiC高熵合金碳化物薄膜，该中熵合金碳化物薄膜厚度在600nm‑800nm，SEM显示薄膜表面均匀平整，无明显缺陷。且随着碳含量增加，薄膜摩擦系数逐步降低，耐腐蚀性增强，韧性得到改善。

公开(公告)号：CN118752178A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202410809463.6

申请日：2024-06-21

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 姜巍 ,  李宗霖 ,  毛帅

IPC: B23P15/00 ,  C25D3/38 ,  C25D5/34 ,  H01L21/603

Abstract: 一种快速生成全金属间化合物接头的制备方法和应用，它属于电子封装技术领域。方法：一、预处理；二、配置电沉积溶液；三、电沉积；四、将锡箔进行超声清洗；五、制备铜‑锡‑铜“三明治”结构；六、钎焊，得到全金属间化合物接头。本发明通过绿色电沉积方法制备(111)晶向的铜微纳表面结构，通过组成微纳结构‑钎料‑微纳结构焊点，使得具有特殊的尺寸效应的铜微纳结构尖端直接刺破钎料表面的氧化膜，直达内部发生扩散，从而实现在微压、低温条件下快速生成全金属间化合物接头的目的。本发明所制备的全金属间化合物接头具有极佳的耐高温性能，可以满足第三代半导体功率器件高温服役的要求。

公开(公告)号：CN118657717A

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202410682543.X

申请日：2024-05-29

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 许家忠 ,  李宗霖 ,  杨海 ,  袁健

IPC: G06T7/00 ,  G06T7/60 ,  G06T7/13 ,  G06T5/30 ,  G06T5/50 ,  G06T7/136 ,  G06N3/006

Abstract: 本发明的目的是提供一种基于机器视觉的橡胶挠性管缠绕质量评估方法。包含以下步骤：S1、对橡胶挠性管图像提取识别区域，分别进行预处理；S2、对二值化图像进行纱线骨架提取，应用分阶段迭代粒子群的霍夫变换直线检测算法对骨架图像进行特征直线提取，得到每根线的图像位置信息，计算当前区域的纱线密度以及计算每根线的斜率再为弧度值再转换为角度值并输出，即可获得每根线的缠绕角度值；S3、计算线轮廓坐标，对轮廓边缘扩充，计算轮廓坐标的极值点集合；对极值坐标集合提取最优值，根据不同模型特点连接相邻极值点，求构成三角形的顶角平分线；计算角平分线与底边交点，像素标定，相邻交点像素距离转换为实际物理距离。S4、测试角度、间距、密度是否在允许的误差范围内的验证。