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发明公开
一种耐腐蚀低摩擦的CoCrNiTiC中熵合金碳化物薄膜及其制备方法审中-公开

公开(公告)号：CN119776766A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411962019.4

申请日：2024-12-27

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 姜巍 , 崔文龙 , 王麒翔 , 田向毅 , 李宗霖 , 江奕霖

IPC: C23C14/06 , C23C14/35 , C23C14/14

Abstract: 本发明提出了一种耐腐蚀低摩擦的CoCrNiTiC中熵合金碳化物薄膜及其制备方法。其组成元素为Co、Cr、Ni、Ti和C。采用平面射频磁控溅射在基体和单晶硅片(100)上制备CoCrNiTiC中熵合金碳化物薄膜，靶材选择CoCrNi合金靶、Ti靶材、石墨靶，溅射过程中所通气体为纯度99.99％的Ar气，工作气压1.0Pa，沉积时间2h。本发明通过平面靶磁控溅射制备CoCrNiTiC高熵合金碳化物薄膜，该中熵合金碳化物薄膜厚度在600nm‑800nm，SEM显示薄膜表面均匀平整，无明显缺陷。且随着碳含量增加，薄膜摩擦系数逐步降低，耐腐蚀性增强，韧性得到改善。

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