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公开(公告)号：CN119310760A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411468476.8
申请日：2024-10-21
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 基于太赫兹超表面传输波或表面波波前片上动态调控器件，属于电磁波波前调控器件技术领域。由于传统相位梯度超表面未能动态调控传输波或表面波波前，本发明将集成光敏材料超表面与空间编码光源结合，实现片上动态调控太赫兹传输波或表面波波前。该器件在金属反射底板上淀积介质层，介质层顶层分两个区域：激发区和本征区。激发区由均匀分布多个开口且开口处淀积光敏材料的金属环阵列组成，通过控制泵浦光源照射光敏材料的强度，形成2‑bit编码单元。根据预设的编码序列构建激发区，当圆极化波入射到激发区表面可产生传输波或表面波，改变编码序列重构传输波或表面波相位，动态调控传输波或表面波波前，从而实现传输波或表面波波前片上动态调控器件。
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公开(公告)号：CN103436824B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310364719.9
申请日：2013-08-20
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 纳米氧化铋涂覆陶瓷相增强体/铝基复合材料的制备方法，它涉及一种采用热注入方式在陶瓷增强体表面制备纳米氧化铋涂层的方法。本发明为了解决现有的陶瓷增强金属基复合材料阻尼性能差的技术问题。本方法如下：将陶瓷增强体分散到硝酸铋溶液中，加入氯化钠溶液或氯化钾溶液，静置，过滤，然后将过滤后所得的增强体倒入的氢氧化钠溶液中搅拌或超声震荡，过滤，将增强体倒入模具中压制，得到增强体的预制件将增强体的预制件保温后放入模具中加热，将熔融的铝或铝合金浇入模具中同时加压，保压，即得。本发明制备的米氧化铋涂覆陶瓷相增强体/铝基复合材料与未涂覆氧化铋的陶瓷相增强体/铝基复合材料相比室温阻尼性能提高2.5倍以上。
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公开(公告)号：CN103397282A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310351427.1
申请日：2013-08-13
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 纳米氧化锆涂覆硼酸铝晶须/铝基复合材料的制备方法，它涉及一种采用水热合成的方法在陶瓷增强体表面获得纳米氧化锆涂层的制备方法。本发明为了解决高温条件下硼酸铝晶须与铝基体之间存在严重的界面反应，使其力学性能降低的技术问题。方法：将氨水或NaOH溶液与氧氯化锆水溶液以雾化的方式添加到硼酸铝晶须水溶液中，过滤，然后将过滤后所得的增强体倒入水热釜中保温，冷却，压制，得到增强体的预制件，将增强体的预制件保温后放入模具中加热，将熔融的铝或铝合金浇入模具中同时加压，保压，即得。本发明用挤压铸造的方法得到的增强体制备纳米氧化锆涂覆硼酸铝晶须/铝基复合材料抗拉强度可达540MPa，相比现有复合材料抗拉强度提高了40%以上。
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公开(公告)号：CN102924920A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210482553.6
申请日：2012-11-23
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种非晶钙铜钛氧陶瓷/聚酰亚胺复合薄膜及其制备方法，涉及陶瓷/聚酰亚胺复合薄膜及其制备方法的领域。本发明是要解决现有的晶体钙铜钛氧陶瓷/聚酰亚胺复合薄膜的制备方法中烧结晶体陶瓷高耗能，制备得到的晶体钙铜钛氧陶瓷/聚酰亚胺复合薄膜在低浓度（陶瓷的质量分数在20%以下）掺杂时介电常数较低的问题。一种非晶钙铜钛氧陶瓷/聚酰亚胺复合薄膜由非晶钙铜钛氧陶瓷颗粒、4,4'-二氨基二苯醚、均苯四甲酸酐和溶剂制备得到的薄膜。制备方法：一、制备非晶钙铜钛氧陶瓷/聚酰胺酸混合溶液；二、通过涂膜后进行加热酰亚胺化的方式制备得到非晶钙铜钛氧陶瓷/聚酰亚胺复合薄膜。本发明应用于信息、电子和电力领域。
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公开(公告)号：CN116895949A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310919710.3
申请日：2023-07-26
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯和二氧化钒的多模式可调谐太赫兹超材料极化转换器，属于电磁超材料技术领域。器件单元结构由四层组成，从底层至顶层依次为附着在底部金属光栅上的石墨烯层,介质层，二氧化硅层和金属圆环层组成，金属圆环层为设置了2个开口的金属圆环，开口相对于y轴45度方向对称设置，开口均由二氧化钒填充。本发明利用二氧化钒的相变特性和石墨烯的导电特性，通过温度调控和电压调控，实现了具有多模式可调谐的太赫兹超材料极化转换器。器件的调谐方式、相对带宽和偏振转换性能均具有显著的优势，在高密度集成器件领域中具有潜在的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110118756A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201910413477.5
申请日：2019-05-17
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: G01N21/63
Abstract: 本发明公开了一种具有纳米级分辨率的空间电荷测试系统，所述系统包括太赫兹波激发单元和弹光取样检测单元，其中：太赫兹波激发单元由飞秒激光器、分光镜、第一平面反射镜、电光聚合物、抛物面反射镜组构成；弹光取样检测单元由第二平面反射镜、光学延迟线、第三平面反射镜、第四平面反射镜、第五平面反射镜、弹光取样传感器、四分之一波片、平衡探测器、锁相放大器、斩波器构成。本发明以太赫兹波作为激励，以弹光取样技术完成响应信号的探测与接收，采用全光学手段，避免了电子测试技术对系统带宽的限制，不仅能够实现对空间电荷分布的纳米级测试，而且对待测样品和测试环境没有任何特殊的限制和要求。
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公开(公告)号：CN103073303B
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201210574508.3
申请日：2012-12-26
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: H01L41/187 , C04B35/624 , C04B35/475 , C04B35/472 , C04B35/50 , C23C18/12
Abstract: 一种低晶化温度下制备高度(100)取向无铅压电薄膜的方法，本发明涉及一种制备无铅压电薄膜的方法。本发明是要解决现有的压电薄膜材料多数含铅量较大及其制备过程中薄膜晶化温度过高、织构度较差、成本高、工艺复杂且不利于大面积Si集成电路应用的问题。本发明方法为：一、溶胶A和溶胶B，将溶胶A和B混合，加入乙二醇甲醚，得到钛酸铅镧钙溶胶；四、制备E溶液和F溶液；将E和F溶液混合，加入乙二醇甲醚，得到钛酸铋钠钾溶胶；五、在基底上涂覆一层钛酸铅镧钙溶胶，进行热分解，得到种子层薄膜，然后旋转涂覆钛酸铋钠钾溶胶，再进行热分解，最后进行退火晶化处理，即完成本方法。本发明应用于无铅压电薄膜制备的领域。
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公开(公告)号：CN103073303A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201210574508.3
申请日：2012-12-26
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C04B35/624 , C04B35/475 , C04B35/472 , C04B35/50 , C23C18/12
Abstract: 一种低晶化温度下制备高度(100)取向无铅压电薄膜的方法，本发明涉及一种制备无铅压电薄膜的方法。本发明是要解决现有的压电薄膜材料多数含铅量较大及其制备过程中薄膜晶化温度过高、织构度较差、成本高、工艺复杂且不利于大面积Si集成电路应用的问题。本发明方法为：一、溶胶A和溶胶B，将溶胶A和B混合，加入乙二醇甲醚，得到钛酸铅镧钙溶胶；四、制备E溶液和F溶液；将E和F溶液混合，加入乙二醇甲醚，得到钛酸铋钠钾溶胶；五、在基底上涂覆一层钛酸铅镧钙溶胶，进行热分解，得到种子层薄膜，然后旋转涂覆钛酸铋钠钾溶胶，再进行热分解，最后进行退火晶化处理，即完成本方法。本发明应用于无铅压电薄膜制备的领域。
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公开(公告)号：CN117613565A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311583874.X
申请日：2023-11-24
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 基于石墨烯和二氧化钒的可调控极化复用太赫兹涡旋波束产生器及其制备方法，属于太赫兹功能器件技术领域。本发明的目的是为了解决现有太赫兹超表面器件存在功能单一、信息传输容量低、频谱拥挤以及应用范围窄的问题。本发明所述双调控超表面可以独立实现对石墨烯和VO2的控制。通过在石墨烯顶部旋涂离子凝胶，金属栅极和石墨烯表面之间可形成具有高电容的透明间隔层，电掺杂便可增大石墨烯电导率；通过温控VO2，可使其从介质态转换为金属态，电导率提高几个数量级，实现透射模式和反射模式的灵活切换。本发明可获得基于石墨烯和二氧化钒的可调控极化复用太赫兹涡旋波束产生器及其制备方法。
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公开(公告)号：CN116154485A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310356352.X
申请日：2023-04-06
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于温度和电压调制的太赫兹宽带吸波/极化转换器，属于电磁超材料技术领域。器件单元包括金属反射层，下聚酰亚胺层、无图案二氧化钒薄膜层、金属/石墨烯复合层、上聚酰亚胺层和图案化二氧化钒层。金属反射层为一层连续的金属金薄膜，金属/石墨烯复合层为双开口的金属金圆环，开口处由石墨烯填充；图案化二氧化钒层由两个具有不同边长的同轴二氧化钒方环嵌套形成。通过温度调节二氧化钒的电导率实现在宽带吸收和宽带极化转换两种功能之间的自由切换，通过电压调制石墨烯的费米能级实现宽带吸收幅度的调节及宽带极化转换率的调节。本发明具有功能自由切换，吸收幅度和极化转换率动态可调，调制深度大，极化不敏感等优点。
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