公开(公告)号：CN117613565A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202311583874.X

申请日：2023-11-24

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 贺训军 ,  王东杰 ,  林在山 ,  姜久兴 ,  张颖 ,  徐帆

IPC: H01Q15/00 ,  G02F1/00 ,  G02F1/01 ,  G02B1/00 ,  H01Q15/02 ,  H01Q15/14 ,  H01Q3/30

Abstract: 基于石墨烯和二氧化钒的可调控极化复用太赫兹涡旋波束产生器及其制备方法，属于太赫兹功能器件技术领域。本发明的目的是为了解决现有太赫兹超表面器件存在功能单一、信息传输容量低、频谱拥挤以及应用范围窄的问题。本发明所述双调控超表面可以独立实现对石墨烯和VO2的控制。通过在石墨烯顶部旋涂离子凝胶，金属栅极和石墨烯表面之间可形成具有高电容的透明间隔层，电掺杂便可增大石墨烯电导率；通过温控VO2，可使其从介质态转换为金属态，电导率提高几个数量级，实现透射模式和反射模式的灵活切换。本发明可获得基于石墨烯和二氧化钒的可调控极化复用太赫兹涡旋波束产生器及其制备方法。