公开(公告)号：CN103073303B

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201210574508.3

申请日：2012-12-26

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 林家齐 ,  张颖 ,  朱汉飞 ,  迟庆国 ,  杨志韬

IPC: H01L41/187 ,  C04B35/624 ,  C04B35/475 ,  C04B35/472 ,  C04B35/50 ,  C23C18/12

Abstract: 一种低晶化温度下制备高度(100)取向无铅压电薄膜的方法，本发明涉及一种制备无铅压电薄膜的方法。本发明是要解决现有的压电薄膜材料多数含铅量较大及其制备过程中薄膜晶化温度过高、织构度较差、成本高、工艺复杂且不利于大面积Si集成电路应用的问题。本发明方法为：一、溶胶A和溶胶B，将溶胶A和B混合，加入乙二醇甲醚，得到钛酸铅镧钙溶胶；四、制备E溶液和F溶液；将E和F溶液混合，加入乙二醇甲醚，得到钛酸铋钠钾溶胶；五、在基底上涂覆一层钛酸铅镧钙溶胶，进行热分解，得到种子层薄膜，然后旋转涂覆钛酸铋钠钾溶胶，再进行热分解，最后进行退火晶化处理，即完成本方法。本发明应用于无铅压电薄膜制备的领域。

公开(公告)号：CN103073303A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201210574508.3

申请日：2012-12-26

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 林家齐 ,  张颖 ,  朱汉飞 ,  迟庆国 ,  杨志韬

IPC: C04B35/624 ,  C04B35/475 ,  C04B35/472 ,  C04B35/50 ,  C23C18/12

Abstract: 一种低晶化温度下制备高度(100)取向无铅压电薄膜的方法，本发明涉及一种制备无铅压电薄膜的方法。本发明是要解决现有的压电薄膜材料多数含铅量较大及其制备过程中薄膜晶化温度过高、织构度较差、成本高、工艺复杂且不利于大面积Si集成电路应用的问题。本发明方法为：一、溶胶A和溶胶B，将溶胶A和B混合，加入乙二醇甲醚，得到钛酸铅镧钙溶胶；四、制备E溶液和F溶液；将E和F溶液混合，加入乙二醇甲醚，得到钛酸铋钠钾溶胶；五、在基底上涂覆一层钛酸铅镧钙溶胶，进行热分解，得到种子层薄膜，然后旋转涂覆钛酸铋钠钾溶胶，再进行热分解，最后进行退火晶化处理，即完成本方法。本发明应用于无铅压电薄膜制备的领域。