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公开(公告)号：CN102875828A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210409921.4
申请日：2012-10-24
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种陶瓷/聚酰亚胺复合薄膜的制备方法，涉及陶瓷/聚酰亚胺复合薄膜的制备方法的领域。本发明是要解决现有的制备方法中，原料成本高，工艺复杂，制备得到的陶瓷/聚酰亚胺复合薄膜的陶瓷的体积含量≤25%时，介电常数小于8的问题。一种陶瓷/聚酰亚胺复合薄膜的制备方法：一、制备陶瓷颗粒；二、制备陶瓷/聚酰亚胺复合薄膜。本发明应用于信息、电子和电力领域。
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公开(公告)号：CN104985738A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510350009.X
申请日：2015-06-23
Applicant: 哈尔滨理工大学
CPC classification number: B29C43/02 , B29B15/08 , B29C71/00 , C08K3/22 , C08K9/02 , C08K9/04 , C08K2003/2248 , C08L27/18
Abstract: 聚偏氟乙烯基复合材料的制备方法，它涉及一种复合材料的制备方法。本发明是为了解决现有在低体积浓度(≤10％)陶瓷类填料下聚偏氟乙烯基复合材料介电常数不高的技术问题。本方法如下：一、晶化处理；二、施镀；三、熔融共混；四、磁化处理。本发明选用负载Ni壳的钛酸铜钙为填料，以PVDF为基体，在低体积浓度(≤10％)填加量下采用熔融共混-热压成型工艺，结合磁化处理手段，制备得磁化的PVDF/CaCu3Ti4O12@Ni复合材料，其介电常数高达12000～18000，并且该材料能保持聚合物基体所具有的优良机械性能。本发明属于复合材料的制备领域。
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公开(公告)号：CN102875828B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201210409921.4
申请日：2012-10-24
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种陶瓷/聚酰亚胺复合薄膜的制备方法，涉及陶瓷/聚酰亚胺复合薄膜的制备方法的领域。本发明是要解决现有的制备方法中，原料成本高，工艺复杂，制备得到的陶瓷/聚酰亚胺复合薄膜的陶瓷的体积含量≤25%时，介电常数小于8的问题。一种陶瓷/聚酰亚胺复合薄膜的制备方法：一、制备陶瓷颗粒；二、制备陶瓷/聚酰亚胺复合薄膜。本发明应用于信息、电子和电力领域。
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公开(公告)号：CN102924920B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201210482553.6
申请日：2012-11-23
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种非晶钙铜钛氧陶瓷/聚酰亚胺复合薄膜及其制备方法，涉及陶瓷/聚酰亚胺复合薄膜及其制备方法的领域。本发明是要解决现有的晶体钙铜钛氧陶瓷/聚酰亚胺复合薄膜的制备方法中烧结晶体陶瓷高耗能，制备得到的晶体钙铜钛氧陶瓷/聚酰亚胺复合薄膜在低浓度（陶瓷的质量分数在20%以下）掺杂时介电常数较低的问题。一种非晶钙铜钛氧陶瓷/聚酰亚胺复合薄膜由非晶钙铜钛氧陶瓷颗粒、4,4'-二氨基二苯醚、均苯四甲酸酐和溶剂制备得到的薄膜。制备方法：一、制备非晶钙铜钛氧陶瓷/聚酰胺酸混合溶液；二、通过涂膜后进行加热酰亚胺化的方式制备得到非晶钙铜钛氧陶瓷/聚酰亚胺复合薄膜。本发明应用于信息、电子和电力领域。
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公开(公告)号：CN119231089A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411447584.7
申请日：2024-10-16
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: H01M50/403 , H01M50/434
Abstract: 本发明公开了一种纯陶瓷锂离子电池隔膜及其制备方法，属于陶瓷锂离子电池隔膜领域。本发明要解决聚合物材料热稳定性差，不具备阻燃效果等缺点。本发明采用两亲性的PVP与TBT和TEOS形成三维网络，在静电纺丝的过程中以PVP为载体将两种前驱体均匀的形成稳定的纳米纤维，经后期的煅烧保留其无机结构。本发明方法制备的锂离子电池隔膜在具有多孔的前提下还兼具着优秀的热稳定性和阻燃性。在极高的温度以及通过点火器的灼烧也不会发生任何反应，从而大幅度的提高了锂离子电池的安全性。在经过电化学性能测试后发现具有优异的电化学性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102875827B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201210409839.1
申请日：2012-10-24
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 高温时高介电常数陶瓷/聚酰亚胺复合薄膜的制备方法，涉及陶瓷/聚酰亚胺复合薄膜的制备方法的领域。本发明是要解决现有的陶瓷/聚酰亚胺复合薄膜制备方法中，原料成本高，工艺复杂，在高温场(210℃)下应用时其介电常数不高，仅达到102数量级的技术问题。高温时高介电常数陶瓷/聚酰亚胺复合薄膜的制备方法：一、制备陶瓷颗粒；二、制备陶瓷/聚酰亚胺复合薄膜。本发明应用于信息、电子和电力领域。
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公开(公告)号：CN102924920A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210482553.6
申请日：2012-11-23
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种非晶钙铜钛氧陶瓷/聚酰亚胺复合薄膜及其制备方法，涉及陶瓷/聚酰亚胺复合薄膜及其制备方法的领域。本发明是要解决现有的晶体钙铜钛氧陶瓷/聚酰亚胺复合薄膜的制备方法中烧结晶体陶瓷高耗能，制备得到的晶体钙铜钛氧陶瓷/聚酰亚胺复合薄膜在低浓度（陶瓷的质量分数在20%以下）掺杂时介电常数较低的问题。一种非晶钙铜钛氧陶瓷/聚酰亚胺复合薄膜由非晶钙铜钛氧陶瓷颗粒、4,4'-二氨基二苯醚、均苯四甲酸酐和溶剂制备得到的薄膜。制备方法：一、制备非晶钙铜钛氧陶瓷/聚酰胺酸混合溶液；二、通过涂膜后进行加热酰亚胺化的方式制备得到非晶钙铜钛氧陶瓷/聚酰亚胺复合薄膜。本发明应用于信息、电子和电力领域。
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公开(公告)号：CN104985738B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201510350009.X
申请日：2015-06-23
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 聚偏氟乙烯基复合材料的制备方法，它涉及一种复合材料的制备方法。本发明是为了解决现有在低体积浓度(≤10％)陶瓷类填料下聚偏氟乙烯基复合材料介电常数不高的技术问题。本方法如下：一、晶化处理；二、施镀；三、熔融共混；四、磁化处理。本发明选用负载Ni壳的钛酸铜钙为填料，以PVDF为基体，在低体积浓度(≤10％)填加量下采用熔融共混‑热压成型工艺，结合磁化处理手段，制备得磁化的PVDF/CaCu3Ti4O12@Ni复合材料，其介电常数高达12000～18000，并且该材料能保持聚合物基体所具有的优良机械性能。本发明属于复合材料的制备领域。
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公开(公告)号：CN102875827A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210409839.1
申请日：2012-10-24
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 高温时高介电常数陶瓷/聚酰亚胺复合薄膜的制备方法，涉及陶瓷/聚酰亚胺复合薄膜的制备方法的领域。本发明是要解决现有的陶瓷/聚酰亚胺复合薄膜制备方法中，原料成本高，工艺复杂，在高温场(210℃)下应用时其介电常数不高，仅达到102数量级的技术问题。高温时高介电常数陶瓷/聚酰亚胺复合薄膜的制备方法：一、制备陶瓷颗粒；二、制备陶瓷/聚酰亚胺复合薄膜。本发明应用于信息、电子和电力领域。
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公开(公告)号：CN202855549U
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201220603927.0
申请日：2012-11-15
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种金属化薄膜电容器，涉及电容器领域。本实用新型是要解决现有的金属化薄膜电容器，存在存储容量低、耐电压能力差和耐电流能力差的技术问题。一种金属化薄膜电容器，由壳体、引线和电容器芯子组成，其中，所述的电容器芯子是由上层单面双留边金属化薄膜、中间层双面金属化薄膜和下层单面双留边金属化薄膜依次叠压卷制而成；所述的上层单面双留边金属化薄膜为在薄膜的上表面的中间部分镀上第一金属层，两边留空不镀；所述的中间层双面金属化薄膜为在薄膜的上表面镀上第二金属层，在薄膜的下表面镀上第三金属层，均不留空；所述的下层单面双留边金属化薄膜为在薄膜的下表面的中间部分镀上第四金属层，两边留空不镀。本实用新型应用于电容器领域。
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