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公开(公告)号：CN118374875A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202311079357.9
申请日：2023-08-25
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
Abstract: 本发明属于半导体材料与半导体微电子器件技术领域，具体涉及一种一维铋硫氯单晶及其制备方法、一种铋硫氯光电探测器及其制备方法。本发明沿着保护气体流动的方向，间隔设置硫粉和氯氧化铋粉体，所述硫粉位于所述氯氧化铋粉体的上游，在所述氯氧化铋粉体的上方设置衬底；加热所述硫粉和所述氯氧化铋粉体，在所述衬底的表面通过化学气相沉积得到一维铋硫氯单晶。本发明提供的制备方法原料易得，采用的化学气相沉积(CVD)的方法具有反应温度低的特点，同时能够大规模的合成BiSCl纳米线单晶，且畴长可调，结晶性好，可以很好地运用于一维纳米线的偏振光电探测器中。
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公开(公告)号：CN119310676A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411747211.1
申请日：2024-12-02
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
Abstract: 本发明涉及微电子器件技术领域，提供了一种柔性自支撑垂直光波导阵列及其制备方法和应用。本发明采用可紫外固化的SU‑8聚合物作为光波导材料，利用简单的涂覆、光刻和ICP刻蚀工艺，在衬底上制备出垂直光波导阵列，之后制备柔性支撑层并将衬底去除，即得到柔性自支撑垂直光波导阵列。本发明提供的柔性自支撑垂直光波导阵列能够解决图像传感器的光电串扰问题，提高弱光环境中的探测灵敏度，还具有极佳的柔性，能够与图像传感器表面实现共形贴合；并且，本发明的柔性自支撑垂直光波导阵列不依赖图像传感器的像素尺寸，制备过程独立于图像传感器的制备过程，通用性强，灵活性好。
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公开(公告)号：CN119542128A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411622354.X
申请日：2024-11-14
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
IPC: H01L21/205 , H01L21/78 , H10F77/124 , H10F77/169 , H10F71/00
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，提供了一种磷化铟单晶薄膜的高质量定向远程外延方法和剥离转移方法。本发明在磷化铟单晶衬底表面覆盖单层石墨烯膜，再采用两段式气相外延法制备磷化铟单晶薄膜；之后将磷化铟单晶薄膜剥离并转移到硅基底表面。本发明采用两段式气相外延法，能够保护石墨烯不受破坏，提高外延膜的晶体质量；利用单层石墨烯的薄层特性及电穿透性，可以通过更换不同晶面的衬底制备定向晶面的磷化铟单晶薄膜；同时，石墨烯/外延层界面为范德华力，利用机械力即可剥离，进而实现磷化铟单晶薄膜的转移。综上，本发明能够实现特定取向磷化铟单晶薄膜、异质结薄膜乃至器件的剥离转移和硅基异质集成，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN115241307A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210884909.2
申请日：2022-07-26
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
IPC: H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及光电子学和神经形态器件技术领域，提供了一种二维硫化钼‑硫化铌范德华异质结光突触器件及其制备方法。本发明提供的光突触器件包括依次层叠设置的衬底层、介电层、二维硫化钼/硫化铌垂直异质结和电极层，该器件在底栅压和激光脉冲的共同调控下具备较好的光响应行为，还表现出良好的可持续光电导现象，能够有效实现双脉冲易化、多组态光写入和电擦除等突触行为，有望在图像传感器、神经形态器件和光响应储存设备上应用。本发明采用前驱体旋涂辅助化学气相沉积法或熔盐辅助化学气相沉积法制备二硫化钼纳米片，采用熔盐辅助化学气相沉积法制备二硫化铌纳米片，整个生长过程可控、工艺稳定，容易获得结晶质量较好的二维垂直异质结材料。
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公开(公告)号：CN115241307B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202210884909.2
申请日：2022-07-26
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
IPC: H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及光电子学和神经形态器件技术领域，提供了一种二维硫化钼‑硫化铌范德华异质结光突触器件及其制备方法。本发明提供的光突触器件包括依次层叠设置的衬底层、介电层、二维硫化钼/硫化铌垂直异质结和电极层，该器件在底栅压和激光脉冲的共同调控下具备较好的光响应行为，还表现出良好的可持续光电导现象，能够有效实现双脉冲易化、多组态光写入和电擦除等突触行为，有望在图像传感器、神经形态器件和光响应储存设备上应用。本发明采用前驱体旋涂辅助化学气相沉积法或熔盐辅助化学气相沉积法制备二硫化钼纳米片，采用熔盐辅助化学气相沉积法制备二硫化铌纳米片，整个生长过程可控、工艺稳定，容易获得结晶质量较好的二维垂直异质结材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116322290A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310257072.3
申请日：2023-03-17
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明涉及存储器件技术领域，尤其涉及一种基于二维三硒化铌纳米带的阻变式随机存储器件及其制备方法和应用。本发明提供的制备方法，包括：在硅衬底的表面制备二维三硒化铌纳米带，得到表面有二维三硒化铌纳米带的硅衬底；在所述表面含有二维三硒化铌纳米带的硅衬底的表面涂覆光刻胶后，在所述二维三硒化铌纳米带的两端分别刻蚀出电极位点，制备电极，去胶后，进行锂化，得到所述基于二维三硒化铌纳米带的阻变式随机存储器件。所述制备方法制备得到的二维三硒化铌纳米带的阻变式随机存储器件具有良好的高低阻切换行为和优良的保持特性。
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公开(公告)号：CN112885894A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110025590.3
申请日：2021-01-08
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Inventor： 秦敬凯
IPC: H01L29/26 , H01L21/34 , H01L23/373 , B82Y40/00 , B82Y30/00 , C01B21/064
Abstract: 本发明公开了一种碲‑氮化硼复合材料及其制备方法和场效应器件，该制备方法包括以下步骤：S1、在基板上制备氮化硼纳米管；S2、在所述氮化硼纳米管的表面覆上光刻胶，然后采用光刻工艺结合反应离子刻蚀工艺，将所述氮化硼纳米管切割成具有两端开口的段体，去除所述光刻胶；S3、将步骤S2得到的基板浸入45～55℃的氨水中处理，然后置于空气氛围中在800～900℃热处理；S4、将步骤S3得到的基板和碲粉置于真空密闭体系中，在300～500℃加热。本发明使用氮化硼纳米管作为碲半导体的包覆材料，解决碲纳米线材料在常温空气条件下工作稳定性差的问题，在场效应器件中具有更好的应用前景。
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公开(公告)号：CN114262934B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202111591180.1
申请日：2021-12-23
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明提供了一种铌酸镁单晶纳米片及其制备方法和应用，属于功能材料技术领域。本发明采用化学气相传输法结合氟金云母片的空间限域作用，并利用氟金云母片本身提供MgO前驱体，成功制备得到了铌酸镁单晶纳米片，且厚度均匀，表面平整，结晶性好，可以很好地运用于二维场效应晶体管的栅极绝缘层，提高晶体管中的载流子迁移率，进而提升器件性能。
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公开(公告)号：CN116157004A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310255164.8
申请日：2023-03-16
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明涉及忆阻器件技术领域，尤其涉及一种基于三硫化钛/二氧化钛/三硫化钛横向异质结的忆阻器件及其制备方法和应用。本发明所述制备方法首先采用云母限域空间辅助化学气相运输法(CVT法)合成的TiS3纳米片，具有规则的形状、较大的二维尺寸、厚度较小、结晶质量高，用其构筑的晶体管具备较好的电学性能；接着采用激光原位氧化所述TiS3纳米片形成TiS3/TiO2/TiS3横向异质结，激光氧化灵活度高、可控性强，可以根据需要设计异质结的沟道形状；所述制备过程简单快速、在室温大气环境下进行，无苛刻的实验环境要求；制备得到的异质结界面清晰、质量较好，可以较好的实现模拟忆阻器功能和模拟突触可塑性等功能。
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公开(公告)号：CN114262934A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111591180.1
申请日：2021-12-23
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明提供了一种铌酸镁单晶纳米片及其制备方法和应用，属于功能材料技术领域。本发明采用化学气相传输法结合氟金云母片的空间限域作用，并利用氟金云母片本身提供MgO前驱体，成功制备得到了铌酸镁单晶纳米片，且厚度均匀，表面平整，结晶性好，可以很好地运用于二维场效应晶体管的栅极绝缘层，提高晶体管中的载流子迁移率，进而提升器件性能。
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